Name: SI2369BDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2369BDS-T1-GE3TR-ND
Price: 4.19 CNY
Availability: InStock

SI2369BDS-T1-GE3
DigiKey 零件编号	742-SI2369BDS-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） 742-SI2369BDS-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） 742-SI2369BDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SI2369BDS-T1-GE3
描述	MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
原厂标准交货期	17 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 30 V 5.6A（Ta），7.5A（Tc） 1.3W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
规格书	规格书

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Vishay Siliconix
系列	TrenchFET® Gen IV
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	5.6A（Ta），7.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	27 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	19.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	+16V，-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	745 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.3W（Ta），2.5W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号	SI2369