Name: TPN4R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN4R712MDL1QTR-ND
Price: 6.49 CNY
Availability: InStock

TPN4R712MD,L1Q
DigiKey 零件编号	TPN4R712MDL1QTR-ND - 卷带（TR） TPN4R712MDL1QCT-ND - 剪切带（CT） TPN4R712MDL1QDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TPN4R712MD,L1Q
描述	MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
原厂标准交货期	24 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 20 V 36A（Tc） 42W（Tc） 8-TSON Advance（3.1x3.1）
EDA/CAD 模型	TPN4R712MD,L1Q 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSVI
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.7 毫欧 @ 18A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	65 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	4300 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	42W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-TSON Advance（3.1x3.1）
封装/外壳	8-PowerVDFN
基本产品编号	TPN4R712