Name: RN2506(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN2506(TE85LF)TR-ND
Price: 2.79 CNY
Availability: InStock

RN2506(TE85L,F)
DigiKey 零件编号	RN2506(TE85LF)TR-ND - 卷带（TR） RN2506(TE85LF)CT-ND - 剪切带（CT） RN2506(TE85LF)DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	RN2506(TE85L,F)
描述	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
原厂标准交货期	28 周
客户内部零件编号
详细描述	晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） 50V 100mA 200MHz 300mW 表面贴装型 SMV
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	RN2506(TE85L,F) 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管双极（BJT）双极晶体管阵列，预偏置
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
晶体管类型	2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
电阻器 - 基极 (R1)	4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2)	47 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）	80 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）	300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
频率 - 跃迁	200MHz
功率 - 最大值	300mW
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	SC-74A，SOT-753
供应商器件封装	SMV
基本产品编号	RN2506

RN2506(TE85L,F)