Name: RH6R025BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RH6R025BHTB1TR-ND
Price: 14.94 CNY
Availability: InStock

RH6R025BHTB1
DigiKey 零件编号	846-RH6R025BHTB1TR-ND - 卷带（TR） 846-RH6R025BHTB1CT-ND - 剪切带（CT） 846-RH6R025BHTB1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Rohm Semiconductor
制造商产品编号	RH6R025BHTB1
描述	NCH 150V 25A, HSMT8, POWER MOSFE
原厂标准交货期	21 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 150 V 25A（Tc） 59W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
规格书	规格书

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Rohm Semiconductor
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	60 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	16.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1010 pF @ 75 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	59W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-HSMT（3.2x3）
封装/外壳	8-PowerVDFN
基本产品编号	RH6R025