Name: RD3G01BATTL1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3G01BATTL1TR-ND
Price: 9.11 CNY
Availability: InStock

RD3G01BATTL1
DigiKey 零件编号	846-RD3G01BATTL1TR-ND - 卷带（TR） 846-RD3G01BATTL1CT-ND - 剪切带（CT） 846-RD3G01BATTL1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Rohm Semiconductor
制造商产品编号	RD3G01BATTL1
描述	PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
原厂标准交货期	21 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 40 V 15A（Tc） 25W（Tc） TO-252
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	RD3G01BATTL1 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Rohm Semiconductor
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	39 毫欧 @ 15A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	19.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1030 pF @ 20 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	25W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-252
封装/外壳	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
基本产品编号	RD3G01