Name: NTTFD4D1N03P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFD4D1N03P1ETR-ND
Price: 11.49 CNY
Availability: InStock

NTTFD4D1N03P1E
DigiKey 零件编号	488-NTTFD4D1N03P1ETR-ND - 卷带（TR） 488-NTTFD4D1N03P1ECT-ND - 剪切带（CT） 488-NTTFD4D1N03P1EDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	NTTFD4D1N03P1E
描述	MOSFET 2N-CH 30V 12A/54A 12WQFN
原厂标准交货期	25 周
客户内部零件编号
详细描述	MOSFET - 阵列 30V 12A（Ta），54A（Tc） 1W（Ta），20W（Tc）表面贴装型 12-WQFN（3.3x3.3）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	NTTFD4D1N03P1E 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列
制造商	onsemi
系列	PowerTrench®
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
技术	MOSFET（金属氧化物）
配置	2 N-通道（双）
FET 功能	-
漏源电压（Vdss）	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	12A（Ta），54A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.3 毫欧 @ 10A，10V，3.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	15nC @ 10V，14nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1103pF @ 15V，972pF @ 15V
功率 - 最大值	1W（Ta），20W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	12-PowerWQFN
供应商器件封装	12-WQFN（3.3x3.3）
基本产品编号	NTTFD4D1