产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | IXYS | |
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
配置 | 6 N-沟道(3 相桥) | |
FET 功能 | - | |
漏源电压(Vdss) | 75V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 255A(Tc) | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.3 毫欧 @ 100A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.8V @ 275µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 155nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 14400pF @ 38V | |
功率 - 最大值 | - | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | ISOPLUS-DIL™ | |
供应商器件封装 | ISOPLUS-DIL™ | |
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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13 | ¥298.34692 | ¥3,878.51 |
Manufacturers Standard Package