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IXTH16N10D2 已经过时且不再制造。
可用替代品:
类似
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 停产 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 100 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 64 毫欧 @ 8A，0V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 225 nC @ 5 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5700 pF @ 25 V | |
FET 功能 | 耗尽模式 | |
功率耗散（最大值） | 830W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-247（IXTH） | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 300 | ¥102.37303 | ¥30,711.91 |
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