Name: ISP25DP06LMSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISP25DP06LMSATMA1TR-ND
Price: 5.34 CNY
Availability: InStock

ISP25DP06LMSATMA1
DigiKey 零件编号	448-ISP25DP06LMSATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-ISP25DP06LMSATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-ISP25DP06LMSATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	ISP25DP06LMSATMA1
描述	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
原厂标准交货期	22 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 60 V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta），5W（Tc） PG-SOT223
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	1.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	250 毫欧 @ 1.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	13.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	420 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.8W（Ta），5W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-SOT223
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号	ISP25DP06

ISP25DP06LMSATMA1