FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
包装
卷带（TR）管件
产品状态
停产在售
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
8-DIP（0.300"，7.62mm），7 引线8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-PDIP-7B8-SOIC
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-PDIP
LN60A01EP-LF
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP
Monolithic Power Systems Inc.
0
现货
在售
-
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
3 N 沟道，共栅
-
600V
80mA
190 欧姆 @ 10mA，10V
1.2V @ 250µA
-
-
1.3W
-20°C ~ 125°C（TJ）
通孔
8-DIP（0.300"，7.62mm），7 引线
8-PDIP-7B
8-SOIC
LN60A01ES-LF
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
Monolithic Power Systems Inc.
0
现货
在售
-
管件
在售
MOSFET（金属氧化物）
3 N 沟道，共栅
-
600V
80mA
190 欧姆 @ 10mA，10V
1.2V @ 250µA
-
-
1.3W
-20°C ~ 125°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
8-SOIC
LN60A01ES-LF-Z
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
Monolithic Power Systems Inc.
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
MOSFET（金属氧化物）
3 N 沟道，共栅
-
600V
80mA
190 欧姆 @ 10mA，10V
1.2V @ 250µA
-
-
1.3W
-20°C ~ 125°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。