RF FET，MOSFET

结果 : 3
技术
GaNHEMT
频率
960MHz ~ 1.215GHz1.03GHz ~ 1.09GHz
增益
18.1dB18.5dB18.75dB
电流 - 测试
10 mA40 mA60 mA
功率 - 输出
19W35W150W
电压 - 额定
125 V150 V
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
频率
增益
电压 - 测试
额定电流（安培）
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
封装/外壳
供应商器件封装
0
现货
在售
散装
在售
GaN
-
1.03GHz ~ 1.09GHz
18.5dB
50 V
-
-
40 mA
35W
150 V
模块
-
0
现货
在售
散装
在售
GaN
-
960MHz ~ 1.215GHz
18.1dB
50 V
-
-
10 mA
19W
150 V
模块
-
0
现货
在售
散装
在售
HEMT
-
1.03GHz ~ 1.09GHz
18.75dB
50 V
-
-
60 mA
150W
125 V
模块
-
显示
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RF FET，MOSFET

射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。