FET、MOSFET 阵列

结果 : 4
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N 和 2 P 沟道（全桥）N 和 P 沟道N 和 P 沟道，共漏
漏源电压（Vdss）
30V40V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.5A，4.1A6.6A，4.7A7.3A，5.3A8.8A，7.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
26.5 毫欧 @ 7A，10V30 毫欧 @ 4A，10V33 毫欧 @ 5A，10V36 毫欧 @ 6A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.2nC @ 4.5V10nC @ 4.5V11.2nC @ 4.5V19.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
400pF @ 25V960pF @ 25V1050pF @ 15V1560pF @ 25V
功率 - 最大值
1.38W2.5W3.13W3.57W
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-252-5，DPAK（4 引线 + 耳片），TO-252AD
供应商器件封装
8-PQFN（3x3）8-SOPQFN（5x6）TO-252-4L
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
0
现货
停产
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET（金属氧化物）
2 N 和 2 P 沟道（全桥）
-
30V
5.5A，4.1A
33 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
10nC @ 4.5V
960pF @ 25V
1.38W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
TO-252-4L
TMC1620-TO
MOSFET N/P-CH 60V 6.6A TO252-4L
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
0
现货
停产
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道，共漏
-
60V
6.6A，4.7A
36 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
19.2nC @ 4.5V
1560pF @ 25V
3.13W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-5，DPAK（4 引线 + 耳片），TO-252AD
TO-252-4L
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道，共漏
-
30V
7.3A，5.3A
30 毫欧 @ 4A，10V
3V @ 250µA
7.2nC @ 4.5V
400pF @ 25V
2.5W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerTDFN
8-PQFN（3x3）
8PQFN
TMC1420-LA
MOSFET N/P-CH 40V 8.8A/7.3A PQFN
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
0
现货
停产
-
卷带（TR）
停产
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
-
40V
8.8A，7.3A
26.5 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
11.2nC @ 4.5V
1050pF @ 15V
3.57W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerTDFN
PQFN（5x6）
显示
/ 4

FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。