单 FET,MOSFET

结果 : 71
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A(Tc)8A(Tc)9A(Tc)10A(Tc)11A(Tc)12A(Tc)13A(Tc)14A(Tc)15A(Tc)16A(Tc)17A(Tc)18A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
17 毫欧 @ 58.2A,10V19 毫欧 @ 58.3A,10V33 毫欧 @ 28.9A,10V40 毫欧 @ 24.9A,10V45 毫欧 @ 24.9A,10V60 毫欧 @ 15.9A,10V65 毫欧 @ 15.9A,10V65 毫欧 @ 17.1A,10V70 毫欧 @ 8.5A,10V95 毫欧 @ 11.8A,10V99 毫欧 @ 5.9A,10V99 毫欧 @ 9.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1.24mA4V @ 1.25mA4V @ 1.44mA4V @ 2.91mA4V @ 2.92mA4V @ 240µA4V @ 260µA4V @ 290µA4V @ 390µA4V @ 440µA4V @ 490µA4V @ 590µA4V @ 800µA4V @ 850µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20 nC @ 10 V23 nC @ 10 V24 nC @ 10 V34 nC @ 10 V35 nC @ 10 V42 nC @ 10 V45 nC @ 10 V64 nC @ 10 V68 nC @ 10 V93 nC @ 10 V107 nC @ 10 V110 nC @ 10 V215 nC @ 10 V240 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
996 pF @ 400 V1080 pF @ 400 V1150 pF @ 400 V1500 pF @ 400 V1670 pF @ 400 V1819 pF @ 400 V2140 pF @ 400 V2850 pF @ 400 V3020 pF @ 400 V3020 pF @ 100 V4340 pF @ 400 V5000 pF @ 400 V9890 pF @ 400 V9900 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
29W(Tc)30W(Tc)32W(Tc)33W(Tc)34W(Tc)35W(Tc)63W(Tc)67W(Tc)68W(Tc)72W(Tc)75W(Tc)77W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAK(TO-263)PG-HSOF-8-2PG-TO220 整包PG-TO220-3PG-TO220-3-1PG-TO220-FPPG-TO247PG-TO247-3PG-TO247-3-1PG-TO247-4PG-TO252-3PG-TO263-3PG-TO263-3-2PG-VSON-4
封装/外壳
4-PowerTSFN8-PowerSFNTO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-247-4TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-4,D2PAK(3 引线 + 凸片),TO-263AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
71结果
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/ 71
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R095C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Infineon Technologies
3,189
现货
1 : ¥48.60000
剪切带(CT)
1,000 : ¥25.14085
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Tc)
10V
95 毫欧 @ 11.8A,10V
4V @ 590µA
45 nC @ 10 V
±20V
2140 pF @ 400 V
-
128W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-VSON-4
IPL65R099C7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
Infineon Technologies
9,176
现货
1 : ¥50.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥24.82584
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
21A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 5.9A,10V
4V @ 590µA
45 nC @ 10 V
±20V
2140 pF @ 400 V
-
128W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
TO-220-3
IPP60R060C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3
Infineon Technologies
678
现货
1 : ¥64.20000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
35A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 15.9A,10V
4V @ 800µA
68 nC @ 10 V
±20V
2850 pF @ 400 V
-
162W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
5,100
现货
1 : ¥64.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥34.50471
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
29A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 15.9A,10V
4V @ 800µA
68 nC @ 10 V
±20V
2850 pF @ 400 V
-
180W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-VSON-4-1
4-PowerTSFN
PG-VSON-4
IPL65R070C7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
Infineon Technologies
3,664
现货
1 : ¥66.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥35.55574
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
28A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 8.5A,10V
4V @ 850µA
64 nC @ 10 V
±20V
3020 pF @ 100 V
-
169W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
D²Pak
IPB60R040C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Infineon Technologies
1,214
现货
1 : ¥92.20000
剪切带(CT)
1,000 : ¥58.37952
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
50A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 24.9A,10V
4V @ 1.24mA
107 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-4,D2PAK(3 引线 + 凸片),TO-263AA
PG-TO247-3
IPW65R045C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Infineon Technologies
2,403
现货
1 : ¥95.81000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
46A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 24.9A,10V
4V @ 1.25mA
93 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R040C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
Infineon Technologies
677
现货
1 : ¥95.97000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
50A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 24.9A,10V
4V @ 1.24mA
107 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R045C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Infineon Technologies
821
现货
1 : ¥102.05000
剪切带(CT)
1,000 : ¥62.79972
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
46A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 24.9A,10V
4V @ 1.25mA
93 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
AUIRFP4310Z BACK
IPW65R019C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Infineon Technologies
143
现货
1 : ¥176.92000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
10V
19 毫欧 @ 58.3A,10V
4V @ 2.92mA
215 nC @ 10 V
±20V
9900 pF @ 400 V
-
446W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-4
IPZ65R019C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Infineon Technologies
1,207
现货
1 : ¥182.10000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
10V
19 毫欧 @ 58.3A,10V
4V @ 2.92mA
215 nC @ 10 V
±20V
9900 pF @ 400 V
-
446W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-4
TO-247-4
MOSFETTO247
IPZ60R017C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Infineon Technologies
200
现货
1 : ¥182.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
109A(Tc)
10V
17 毫欧 @ 58.2A,10V
4V @ 2.91mA
240 nC @ 10 V
±20V
9890 pF @ 400 V
-
446W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-4
TO-247-4
TO252-3
IPD65R225C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
Infineon Technologies
7,885
现货
1 : ¥21.10000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.49758
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
11A(Tc)
10V
225 毫欧 @ 4.8A,10V
4V @ 240µA
20 nC @ 10 V
±20V
996 pF @ 400 V
-
63W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
IPP60R180C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
Infineon Technologies
519
现货
1 : ¥23.56000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
13A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 5.3A,10V
4V @ 260µA
24 nC @ 10 V
±20V
1080 pF @ 400 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-220-3
IPP65R190C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 13A TO220-3
Infineon Technologies
487
现货
1 : ¥23.56000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
13A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 5.7A,10V
4V @ 290µA
23 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 400 V
-
72W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
PG-TO263-3
IPB65R065C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Infineon Technologies
4,932
现货
1 : ¥46.55000
剪切带(CT)
1,000 : ¥34.41169
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
33A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 17.1A,10V
4.5V @ 200µA
64 nC @ 10 V
±20V
3020 pF @ 400 V
-
171W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
IPP65R095C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Infineon Technologies
327
现货
1 : ¥48.60000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Tc)
10V
95 毫欧 @ 11.8A,10V
4V @ 590µA
45 nC @ 10 V
±20V
2140 pF @ 400 V
-
128W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R190C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
Infineon Technologies
6,625
现货
1 : ¥16.58000
剪切带(CT)
1,000 : ¥10.99713
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
13A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 5.7A,10V
4V @ 290µA
23 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 400 V
-
72W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO252-3
IPD65R190C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Infineon Technologies
6,021
现货
1 : ¥22.41000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.89559
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
13A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 5.7A,10V
4V @ 290µA
23 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 400 V
-
72W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TO-220-FP
IPA60R180C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
Infineon Technologies
299
现货
1 : ¥22.82000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
9A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 5.3A,10V
4V @ 260µA
24 nC @ 10 V
±20V
1080 pF @ 400 V
-
29W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220 整包
TO-220-3 整包
PG-VSON-4
IPL65R230C7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
Infineon Technologies
6,000
现货
1 : ¥23.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.56734
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
10A(Tc)
10V
230 毫欧 @ 2.4A,10V
4V @ 240µA
20 nC @ 10 V
±20V
996 pF @ 400 V
-
67W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
TO252-3
IPD60R180C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
Infineon Technologies
2,196
现货
1 : ¥24.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.90038
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
13A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 5.3A,10V
4V @ 260µA
24 nC @ 10 V
±20V
1080 pF @ 400 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-VSON-4
IPL60R185C7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Infineon Technologies
2,922
现货
1 : ¥24.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥12.02624
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
13A(Tc)
10V
185 毫欧 @ 5.3A,10V
4V @ 260µA
24 nC @ 10 V
±20V
1080 pF @ 400 V
-
77W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
PG-VSON-4
IPL65R195C7AUMA1
MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
Infineon Technologies
1,967
现货
1 : ¥25.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥12.39207
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
12A(Tc)
10V
195 毫欧 @ 2.9A,10V
4V @ 290µA
23 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 400 V
-
75W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
AUIRFP4310Z BACK
IPW60R180C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
Infineon Technologies
198
现货
1 : ¥30.21000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
13A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 5.3A,10V
4V @ 260µA
24 nC @ 10 V
±20V
1080 pF @ 400 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。