1,200 V SiC MOSFET 评估板

Wolfspeed 的电路板使用户能够评估 1,200 V 碳化硅 MOSFET 和肖特基二极管

Wolfspeed 的 1,200 V SiC MOSFET 评估板图片Wolfspeed 的 KIT-CRD-3DD12P 评估板展示了 1,200 V SiC MOSFET 和肖特基二极管的开关和热性能。该板可配置为在同步或异步模式下作为降压或升压转换器运行。用户可以在打开套件后的几分钟内开始测试。

特性
  • 旨在实现以下测量:
    • 时序:TDelay-On、TDelay-Off、TRise 和 TFall
    • 过冲:VDS-Max 和 ID-Max
    • 速度:di/dt 和 dv/dt
    • 开关损耗:EON、E离开 和 ERR
    • 运行效率:高达 2.5 kW
  • 直流输入/输出电压:800 V(最大值)
  • 功率(最大值):100 kHz 时为 2.5 kW(受板载电感器限制,使用备用电感器可达到更高水平)
  • 与 TO-247-4 和 TO-247-3 SiC MOSFET 兼容
  • 与 TO-247 和 TO-220 碳化硅肖特基二极管兼容
  • 每个 SiC MOSFET 的专用栅极驱动器和隔离电源
  • 示波器探头测量漏极电流(VGS、VDS 和 IS
  • 支持同步和异步降压和升压拓扑
应用
  • 不间断电源 (UPS)
  • 电机控制和驱动
  • 开关模式电源 (SMPS)
  • 太阳能和储能系统
  • 电动汽车充电
  • 高压 DC/DC 转换器

KIT-CRD-3DD12P 1,200 V SiC MOSFET Evaluation Board

图片制造商零件编号描述输出和类型功率 - 输出电压 - 输出可供货数量价格查看详情
C3M SIC BUCK-BOOST EVAL KITKIT-CRD-3DD12PC3M SIC BUCK-BOOST EVAL KIT1,非隔离2.5 kW800V0 - 立即发货$2,945.51查看详情

Associated Parts

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发布日期: 2021-07-06