Vishay / Siliconix

SiHR080N60E E 系列功率 MOSFET

Vishay 的 MOSFET 可实现MOSFET大额定功率值和高功率密度，同时降低损耗以提高效率

Vishay SiHR080N60E E 系列功率 MOSFET 的图片为了为电信、工业和计算应用提供更高的效率和功率密度，Vishay 在其第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 采用 PowerPAK® 8 x 8LR 封装。与上一代器件相比，N 沟道 SiHR080N60E 将导通电阻降低了 27%，并将电阻栅极电荷乘积降低了 60%，同时在比 D2PAK 封装的器件更小的占用空间内提供更大的电流。电阻栅极电荷乘积是电源转换应用中 600 V MOSFET 的关键品质因数 (FOM)。SiHR080N60E 的顶部冷却 PowerPAK 8 x 8LR 封装尺寸为 10.42 mm x 8 mm x 1.65 mm，比 D2 PAK 占位面积小 50.8%，同时高度降低 66%。

由于采用顶部冷却，该封装具有出色的热性能，并且结至外壳热阻极低，为+0.25°C/W。这允许比 D 高 46% 的电流2 PAK 具有相同的导通电阻水平，可显著提高功率密度。此外，SiHR080N60E 业界最低的 3.1 Ω*nC 导通电阻栅极电荷乘积 FOM 可降低传导和开关损耗，从而节省能源并提高 2 kW 以上电源系统的效率。

MOSFET 的典型有效输出电容 Co(er) 和 Co(tr) 分别为 79 pF 和 499 pF，可提高硬开关拓扑（例如功率因数校正 (PFC)、半桥和双开关正向设计）的开关性能。Vishay 广泛提供一系列 MOSFET 技术，支持电源转换过程所级，从高压输入到为高科技设备供电所需的低压输出。凭借 SiHR080N60E 和第四代 600 V E 系列的其他设备，该公司正在解决电源系统架构前两级（PFC 和后续 DC/DC 转换器块）的效率和功率密度改进需求。

特性
  • 紧凑的顶部冷却 PowerPAK 8 x 8LR 封装可实现低热阻，从而实现更大电流和更高功率密度
  • 鸥翼引线具有出色的温度循环能力
  • 10 V 时导通电阻典型值低至 0.074 Ω
  • 超低栅极电荷，低至 42 nC
  • 业界最低的 3.1 Ω*nC 导通电阻栅极电荷乘积品质因数 (FOM) 可降低传导和开关损耗，从而节省能源并提高 2kW 以上电源系统的效率
  • 79 pF 和 499 pF 的低典型有效输出电容 Co(er) 和 Co(tr)，可提高硬开关拓扑（例如 PFC、半桥和双开关正向设计）的开关性能。
  • 设计用于承受雪崩模式下的过压瞬变，并通过 100% UIS 测试保证限值
  • 符合 RoHS 规范且无卤素
应用
  • 服务器、边缘计算、超级计算机和数据存储中的 PFC 和后续 DC/DC 转换器块
  • UPS
  • 高强度放电 (HID) 灯和日光灯镇流器照明
  • 电信开关电源
  • 太阳能逆变器
  • 焊接设备
  • 电感加热
  • 电机驱动
  • 电池充电器

SiHR080N60E E Series Power MOSFET

图片制造商零件编号描述FET 类型技术漏源电压（Vdss）可供货数量价格查看详情
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8SIHR080N60E-T1-GE3E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8N 通道MOSFET（金属氧化物）600 V0 - 立即发货$50.32查看详情
发布日期： 2024-04-19

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