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TW070J120B SiC MOSFET
Toshiba 的 TO-3P (N) 碳化硅 (SiC) MOSFET 在 1.2 kV 时具有低 RDS(ON) 特性
Toshiba 的 TW070J120B 碳化硅 MOSFET 具有低 RDS(ON) (70 mΩ) 的特性，采用 TO-3P(N) 封装。
当减少工业设备的功耗时，功率器件是必备器件。SiC 被认为是功率器件的下一代材料，因为它实现了比硅更高的电压和更低的损耗。SiC 功率器件有望用于功率密集型应用，包括光伏功率系统和工业设备的功率管理系统。
Toshiba 创建了一种结构，该结构通过将 SBD 与电池内部的 PN 二极管平行放置来防止 PN 二极管通电。电流流经嵌入式 SBD，因为其导通状态电压低于 PN 二极管，从而抑制了导通电阻的变化和 MOSFET 可靠性的降低。
带有嵌入式 SBD 的 MOSFET 已在实际使用中，但仅在 3.3 kV 左右的高压下可用。通常，嵌入式 SBD 会导致导通电阻上升到只有高压产品才能承受的水平。Toshiba 调整了各种器件参数，发现 MOSFET 中 SBD 面积比是抑制导通电阻增加的关键。通过优化 SBD 比率，Toshiba 推出了高度可靠的 1.2 kV 级 SiC MOSFET。
特性
- 宽 VGSS 额定值：-10 V 至 +25 V
- 高 VTH：+4.2 V 至 +5.8 V
- 低 VF SiC SBD：-1.35 V
- RDS(ON)：70 mΩ（典型值），90 mΩ（最大值）
- 尺寸：15.5 mm x 20.0 mm x 4.5 mm TO-3P (N) (SC-65) 封装
TW070J120B SiC MOSFET
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TW070J120B,S1Q | SICFET N-CH 1200V 36A TO3P | 90 毫欧 @ 18A，20V | 5.8V @ 20mA | 53 - 立即发货 | $248.41 | 查看详情 |
发布日期： 2020-10-13
