LMG3410R050/LMG3411R050 600 V GaN - TI

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            LMG3410R050/LMG3411R050 600 V GaN FET 功率级
  
                    Texas Instruments 的 50 mΩ 功率级具有集成驱动器和集成保护

Texas Instruments LMG3410R050 600 V GaN 图片 Texas Instruments 的 LMG3410R050 和 LMG3411R050 GaN 功率级集成了驱动器和保护功能，使设计师们能够在功率电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。该器件具有优于硅 MOSFET 的固有优势，包括超低的输入和输出电容、将开关损耗降低多达 80% 的零反向恢复以及降低 EMI 的低开关节点瞬时振荡。这些优点使密集而高效的拓扑成为可能，例如图腾柱 PFC。

LMG3410R050 和 LMG3411R050 通过集成一系列独特的功能来简化设计、最大限度提高可靠性并优化任何电源的性能，从而为传统的共源共栅 GaN 和独立的 GaN FET 提供了智能替代方案。集成栅极驱动器可实现 100 V/ns，同时接近零 V_DS 瞬时振荡，小于 100 ns 的电流限制反馈可自我防止意外热击穿事件，过热关闭可防止热失控，系统接口信号提供自我监测功能。

特性

应用中的硬开关加速应力分布图证明了可靠性
强大的保护：
- 闩锁过流保护 (LMG3410R050) 和逐周期过流保护 (LMG3411R050)
支持高密度电源转换设计：
- 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有出色的系统性能
- 低电感 8 mm x 8 mm QFN 封装，易于设计和布局
- 驱动强度可针对开关性能和 EMI 控制进行调节
- 数字故障状态输出信号
- 需要 +12 V 非稳压电源
集成栅极驱动器：
- 零共源电感
- MHz 级工作传播延迟 20 ns
- 用户可调压摆率：25 V/ns 至 100 V/ns
- 修整过的栅极偏置电压可补偿阈值变化，确保可靠的开关
不需要外部保护组件
过流保护，响应时间小于 100 ns
压摆率抗扰度：>150 V/ns
瞬态过压抗扰
超温保护
所有电源轨具有欠压锁定 (UVLO) 保护

应用

高密度工业和消费电源
多级转换器
太阳能逆变器

工业电机驱动
不间断电源
高压电池充电器

LMG3410R050/LMG3411R050 600 V GaN FET Power Stages

制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
LMG3410R050RWHT	SMART 50MOHM GAN FET WITH DRIV	205 - 立即发货	$142.10	查看详情
LMG3410R050RWHR	SMART 50MOHM GAN FET WITH DRIV	1093 - 立即发货	$118.38	查看详情
LMG3411R050RWHR	SMART 50MOHM GAN FET WITH DRIV	1256 - 立即发货	$210.49	查看详情
LMG3411R050RWHT	SMART 50MOHM GAN FET WITH DRIV	420 - 立即发货	$244.80	查看详情

Evaluation Boards

制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
LMG34XX-BB-EVM	EVALUATION BOARD FOR LMG34XX	1 - 立即发货	$2,114.42	查看详情
LMG3410EVM-018	EVALUATION BOARD FOR LMG3410	1 - 立即发货	$1,960.39	查看详情
LMG3411EVM-029	DEVELOPMENT POWER MANAGEMENT	3 - 立即发货	$2,295.05	查看详情