STMicroelectronics

STGSH80HB65DAG 汽车级 ACEPACK IGBT

STMicroelectronics 的器件将两个 IGBT 和二极管组合成半桥拓扑结构

STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 汽车级 ACEPACK IGBT 图片STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 器件将两个 IGBT 和二极管结合在半桥拓扑中，安装在非常紧凑、坚固、易于表面贴装的封装上。该器件是 HB 系列 IGBT 的一部分，针对传导和开关损耗中的软换向进行了优化。每个开关都包括具有低压降正向电压的续流二极管。专门设计用于最大化任何谐振和软开关应用效率的产品。

特性
  • 通过 AQG 324 鉴定
  • 高速开关系列
  • 最高结温：TJ = +175 °C
  • IC = 80 A 时 VCE(sat) = 1.7 V（典型值）
  • 最小化尾电流
 
  • 紧密的参数分布
  • 采用 DBC 基板，热阻低
  • 正温度 VCE(sat) 系数
  • 软且恢复速度极快的反并联二极管
  • 隔离电压 3.4 kVRMS/分钟

STGSH80HB65DAG Automotive-Grade ACEPACK IGBT

图片制造商零件编号描述配置电压 - 集射极击穿（最大值）可供货数量价格查看详情
Linear IC'sSTGSH80HB65DAGLinear IC's半桥650 V58 - 立即发货$191.93查看详情
发布日期： 2024-04-18