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MASTERGAN1 高功率密度半桥
STMicroelectronics 的高功率密度半桥高压驱动器包括两个 650 V 增强模式 GaN HEMT
STMicroelectronics MASTERGAN1 是世界上第一款采用 GaN HEMT 系统级封装 (SiP) 的 600 V 半桥驱动器，也是 MASTERGAN 平台的第一款元件。MASTERGAN1 紧凑，可以实现高功率密度电源，甚至比基于 MOSFET 开关的电源小四倍，这要归功于 GaN 的更高开关频率以及同一驱动器和两个氮化镓开关的高度集成包。它还提供了鲁棒性。离线驱动器针对氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 进行了优化，可实现快速、有效和安全的驱动并简化布局。分立的氮化镓开关可能难于管理，但是由嵌入式驱动器管理的氮化镓开关则简化了电源设计。
特性
- 集成半桥驱动器和 GaN 晶体管的功率 SiP
- 降低物料清单成本
- 高能效
- 坚固耐用
- 简化的电路板布局
- 3.3 V 至 20 V 兼容输入
- 输入引脚张力与宽电压范围兼容且不受器件 VCC 的影响
- 联锁功能
- 自动处理联锁状况
应用
- 开关模式电源
- 适配器和充电器
- 高压 PFC
- DC-AC 和 DC-DC 转换器
- UPS 系统
- 太阳能
MASTERGAN1 High Power Density Half-Bridge
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | MASTERGAN1 | HIGH-DENSITY POWER DRIVER - HIGH | 1009 - 立即发货 | $118.28 | 查看详情 |
| | MASTERGAN2 | HIGH PWR DENS GAN 600V HALF BRI | 179 - 立即发货 | $140.66 | 查看详情 |
| | MASTERGAN3TR | IC HALF BRIDGE DRV 6.5A/4A 31QFN | 481 - 立即发货 | $62.60 | 查看详情 |
| | MASTERGAN4 | IC HALF BRIDGE DRIVER 6.5A 31QFN | 258 - 立即发货 | $115.83 | 查看详情 |
| | MASTERGAN5 | IC HALF BRIDGE DRIVER 4A 31QFN | 274 - 立即发货 | $42.33 | 查看详情 |
Eval Boards
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  | EVLMG1-250WLLC | EVAL BOARD FOR MASTERGAN1 | 2 - 立即发货 | $3,262.14 | 查看详情 |
|  | EVALMASTERGAN1 | DEMONSTRATION BOARD FOR MASTERGA | 0 - 立即发货 | $1,034.20 | 查看详情 |
|  | EVALMASTERGAN2 | DEMONSTRATION BOARD FOR MASTERGA | 2 - 立即发货 | $1,071.15 | 查看详情 |
|  | EVALMASTERGAN3 | DEMONSTRATION BOARD FOR MASTERGA | 3 - 立即发货 | $1,219.63 | 查看详情 |
|  | EVALMASTERGAN4 | EVALMASTEGAN4 | 2 - 立即发货 | $1,071.15 | 查看详情 |
|  | EVALMASTERGAN5 | DEMONSTRATION BOARD FOR MASTERGA | 5 - 立即发货 | $1,178.28 | 查看详情 |
发布日期： 2020-09-30
