MASTERGAN1 高功率密度半桥

STMicroelectronics 的高功率密度半桥高压驱动器包括两个 650 V 增强模式 GaN HEMT

STMicroelectronics MASTERGAN1 高功率密度半桥图像STMicroelectronics MASTERGAN1 是世界上第一款采用 GaN HEMT 系统级封装 (SiP) 的 600 V 半桥驱动器,也是 MASTERGAN 平台的第一款元件。MASTERGAN1 紧凑,可以实现高功率密度电源,甚至比基于 MOSFET 开关的电源小四倍,这要归功于 GaN 的更高开关频率以及同一驱动器和两个氮化镓开关的高度集成包。它还提供了鲁棒性。离线驱动器针对氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 进行了优化,可实现快速、有效和安全的驱动并简化布局。分立的氮化镓开关可能难于管理,但是由嵌入式驱动器管理的氮化镓开关则简化了电源设计。

特性
  • 集成半桥驱动器和 GaN 晶体管的功率 SiP
  • 降低物料清单成本
  • 高能效
  • 坚固耐用
  • 简化的电路板布局
  • 3.3 V 至 20 V 兼容输入
  • 输入引脚张力与宽电压范围兼容且不受器件 VCC 的影响
  • 联锁功能
  • 自动处理联锁状况
应用
  • 开关模式电源
  • 适配器和充电器
  • 高压 PFC
  • DC-AC 和 DC-DC 转换器
  • UPS 系统
  • 太阳能

MASTERGAN1 High Power Density Half-Bridge

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发布日期: 2020-09-30