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NTBG030N120M3S 碳化硅 (SiC) MOSFET

onsemi 的 M3S EliteSiC 在 10 V 栅极偏置下无缝运行，确保可靠的性能和平稳的开关周期

onsemi 的 NTBG030N120M3S 碳化硅 (SiC) MOSFET 图片onsemi M3S EliteSiC MOSFET 针对快速开关应用优化了性能，最大限度地提高了效率并最大限度地减少了能量损失。这些 1200 V SiC MOSFET 可以防止雷暴，即使在最苛刻的环境中也能提供坚定的稳定性和控制力。M3S EliteSiC 在 -10 V 栅极偏置下无缝运行，确保可靠的性能和平稳的开关周期。其优化的设计和低开关损耗转化为无与伦比的效率，节省能源并降低冷却要求。这些 MOSFET 通过 18 V 栅极驱动提供最佳性能，但也可以在 15 V 电压下完美工作，无缝适应现有系统。M3S EliteSiC 代表了 SiC 技术的前沿，确保用户的设计满足未来的需求。

特性
  • 具有开尔文源极配置的 D2PAK-7L 封装
  • 优秀的 FOM (= RDS(ON) * EOSS)
  • 超低栅极电荷 (QG(TOT) = 107 nC)
  • 低电容高速开关 (COSS = 106 pF)
  • 15 V 至 18 V 栅极驱动
  • M3S 技术：29 mΩ RDS(ON)，低 EON 和 EOFF 损耗
  • 100% 通过雪崩测试
  • 无卤素且符合 RoHS 规范
应用
  • 工业应用

NTBG030N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

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SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - ENTBG030N120M3SSILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E783 - 立即发货$144.65查看详情
发布日期： 2024-02-07