Micro Commercial Co

超低 RDS(ON) 功率 MOSFET

Micro Commercial Co 的 MOSFET 采用紧凑型 DFN5060 封装，提供 40 V 和 60 V N 沟道选项

Micro Commercial Co 的超低 RDS(on) 功率 MOSFET 图片 Micro Commercial Co N 沟道功率 MOSFET 提供高达 2.5 mΩ 的导通电阻，可增强电源管理，并以最小的损耗和 AEC-Q101 认证提高效率。这些功能强大的组件针对高电流输出进行了优化，具有低至 0.8 mΩ 的 RDS(ON) 采用紧凑、工程师友好的 DFN5060 封装。这些 40 V 和 60 V MOSFET 具有高功率密度，可轻松应对恶劣条件和高达 +175°C 的工作结温，使其成为从电池管理系统和电动助力转向到照明控制、水泵和太阳能发电系统等各种汽车和工业应用的理想选择。

特性
  • 符合 AEC-Q101 可靠性要求
  • 先进的分裂栅极沟槽 (SGT) 技术
  • 优异的热性能和效率
  • 低 RDS(ON) 最大限度减少功率损耗
  • 高功率密度封装
  • 结温可高达 +175°C
  • 紧凑的 DFN5060 封装节省了空间和材料成本

优点

  • RDS(ON) 低至 0.8 mΩ，从而最大程度提高能效并降低功耗
  • 凭借 AEC-Q101 认证和坚固的设计，确保在苛刻的条件下以及高达 +175°C 的结温下可靠运行
  • 紧凑型 DFN5060 封装具有高功率密度，可在最小占用空间内实现高电流输出，从而实现节省空间的系统集成，同时降低总体成本
  • 这些 MOSFET 提供的功能和性能使其非常适合具有不同电源管理需求的各种汽车、工业和可再生能源应用
应用
  • 汽车
    • 电池管理系统
    • 电力控制
    • 座椅控制
    • 照明控制
  • 可再生能源
    • 太阳能发电系统
  • 工业应用
    • 电动水泵
    • 电机驱动
    • 直流/直流转换器
    • 不间断电源 (UPS)

Ultra-Low RDS(ON) Power MOSFETs

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
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发布日期： 2024-04-26