FDMS86181 PowerTrench® MOSFET

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            FDMS86181 PowerTrench® MOSFET
  
                    onsemi 提供具有更高能效、更低开关噪声的 FDMS86181 MOSFET，提升了 EMI 和热性能

Fairchild 的 FDMS86181 PowerTrench® MOSFET 图片 onsemi 早在二十世纪 90 年代即已帮助先驱厂家开发出沟槽式 PowerTrench MOSFET，并且自那时起一直在完善 MOSFET 技术，现已开发并生产出数以千计的适合任何应用的产品组合。

onsemi 先进的 100 V、FDMS86181 屏蔽栅极 PowerTrench MOSFET 是这一产品大家族的最新成员，它具有目前同级别产品当中最小的 R_DS(ON)、Q_rr 以及最短的反向恢复时间，同时又能实现最高的能效。 FDMS86181 的电压过冲接近于零，因此降低了电压瞬时振荡并提升了 EMI 性能，适合需要额定 100 V MOSFET 的电源和电机驱动应用。其更高的功率密度带来了更宽的 MOSFET 降额，让设计人员免于过度设计。

FDMS86181 是该系列即将推出的首款器件，具有多个电压和封装选择。

特性
Q_rr 值降低了 50%，可最大限度地减少瞬时振荡并消除了缓冲器——低于其同类竞争产品 R_DS(ON) 降低了 40%，提高了能效——成为具有业内最低导通电阻的 100 V 级别产品（在此前已是业内最佳的前一 onsemi 版本基础上进一步降低）		Irrm 降低 45%，从而降低了 EMI 更佳的 FOM 实现了高效快速开关同级最佳 P 沟道和 N 沟道技术更高的工作温度