EPC2033 EPC2034 150 V 和 200 V eGaN FET - EPC

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            EPC2033/EPC2034 150 V 和 200 V eGaN FET
  
                    EPC 用 EPC2033 和 EPC2034 器件扩大了其“宽松间距”器件系列的阵容

EPC 的 EPC2033/EPC2034 150 V 和 200 V eGaN FET EPC2033 和 EPC2034 采用 1 mm 焊球间距，扩大了 EPC 的“宽松间距”器件系列的阵容。较大的间距允许在器件下方布置其它较大的通孔，从而在 2.6 mm x 4.6 mm 这样极小的基底面内也能实现高载流能力。这些器件的最高工作温度为 150°C，脉冲电流能力为 200 A (150 V EPC2034) 和 140 A (EPC2033)。

与具有相似导通电阻的先进硅功率 MOSFET 相比，这些产品不但体积更小，而且具有胜过前者许多倍的开关性能。这些产品是许多应用的理想器件，如高频 DC/DC 转换器、DC/DC 和 AC/DC 转换器中的同步整流、电机驱动器和 LED 照明和工业自动化。

为简化这些高性能 eGaN FET 的评估过程，我们提供 EPC9047 开发板，以便对 EPC2033 进行“在线”性能评估。该开发板包括了所有关键电气元件，这些元件能方便地与任何现有转换器连接。

EPC9047 采用半桥拓扑结构，尺寸为 2" x 1.5"。该开发板包含两个采用 Texas Instruments UCC27611 栅极驱动器的 EPC2033 eGaN FET，以及电源和旁路电容器。该开发板包含实现最佳开关性能所需的全部关键元件和布局，并具有多个探头点，以简化简单波形测量、提升计算效率。

特性		应用
EPC2033 - V_DS, 150 V EPC2033 - 最大 R_DS(ON), 7 MΩ EPC2034 - V_DS, 200 V EPC2034 - 最大 R_DS(ON), 10 MΩ I_D, 31 A 符合 RoHS 规范无卤素		高频 DC-DC 转换电机驱动器工业自动化 D 类音频

优势
更高的开关频率 – 更低的开关损耗和更低的驱动功率更高的效率 – 更低的导通和开关损耗、反向恢复零损耗更小的基底面 - 更高的功率密度

EPC2033/EPC2034 150 V and 200 V eGaN FETs

制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
EPC2033	GANFET N-CH 150V 48A DIE	5655 - 立即发货	$81.27	查看详情
EPC2034	GANFET N-CH 200V 48A DIE	0 - 立即发货	$63.95	查看详情
EPC2034C	GANFET N-CH 200V 48A DIE	24312 - 立即发货	$75.94	查看详情

Development Boards

制造商零件编号	描述	所含物品	可供货数量	价格	查看详情
EPC9047	BOARD DEV FOR EPC2033	板	18 - 立即发货	$1,700.04	查看详情
EPC9048	BOARD DEV FOR EPC2034	板	0 - 立即发货	$1,009.40	查看详情
EPC9048C	DEV BRD EPC2034C 200V EGAN FET	板	48 - 立即发货	$1,576.19	查看详情