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DGD05473 高频栅极驱动器
Diodes 的高频高压侧和低压侧栅极驱动器具有 -40°C 至 +125°C 的扩展温度范围
Diodes DGD05473 高频栅极驱动器支持驱动 N 沟道 MOSFET浮动高压侧驱动器的额定电压最高 50 V。器件逻辑输入与标准 TTL 和 CMOS 电平（低至 3.3 V）兼容，可轻松与 MCU 连接。高压侧和低压侧的 UVLO 可保护 MOSFET 免受电源损耗。为保护 MOSFET，交叉传导防止逻辑会防止 HO 和 LO 输出同时开启。快速且匹配良好的传播延迟允许更高的开关频率，从而使用更小的相关组件实现更小、更紧凑的电源开关设计。为最大限度减少空间占用，包含一个内部阴极负载二极管。DGD05473 的工作温度范围是 -40°C 至 +125°C，采用 U-DFN3030-10 封装。
特性
- 50 V 浮动高压侧驱动器
- 在半桥配置中驱动两个 N 沟道 MOSFET
- 1.5 A 拉电流/2.5 A 灌电流输出能力
- 包括内部阴极负载二极管
- 用于高压侧和低压侧驱动器的欠压锁定 (UVLO)
- 延迟匹配最大值为 5 ns
- 传播延迟典型值为 20 ns
- 逻辑输入（HIN、LIN 和 EN）3.3 V 能力
- 超低待机电流：小于 1 μA
- 扩展温度范围：-40°C 至 +125°C
- 无铅且符合 RoHS 规范
- 无卤素、无锑的“绿色”器件
- 符合 AEC-Q101
- 支持 PPAP
- 采用 U-DFN3030-10 封装
应用
- 电机控制
- 电池供电的手持工具
- DC/DC 转换器
- 电子烟装置
- D 类功率放大器
DGD05473 High-Frequency Gate Drivers
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 栅极类型 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | DGD05473FNQ-7 | IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 | N 沟道 MOSFET | 5790 - 立即发货 183000 - 厂方库存 | $7.39 | 查看详情 |
|  | DGD05473FN-7 | IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10 | N 沟道 MOSFET | 16142 - 立即发货 69000 - 厂方库存 | $6.65 | 查看详情 |
发布日期： 2022-12-28
