硅电容器

结果 : 4
电容
5600 pF10000 pF0.022 µF
容差
±15%-
电压 - 击穿
11 V30 V
ESL(等效串联电感)
100pH-
应用
高稳定性高稳定性,引线键合和嵌入式
特性
高可靠性高可靠性,小尺寸
高度
0.004"(0.10mm)0.005"(0.12mm)
大小 / 尺寸
0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)0.031" 长 x 0.024" 宽(0.80mm x 0.60mm)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
电容
容差
电压 - 击穿
ESR(等效串联电阻)
ESL(等效串联电感)
应用
特性
工作温度
封装/外壳
高度
大小 / 尺寸
935152722410-T3S
939118722456-T3S
CAP SILICON 5600PF 15% 30V 0201
Murata Electronics
0
现货
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1,000 : ¥73.78978
卷带(TR)
卷带(TR)
在售5600 pF±15%30 V300 mOhms100pH高稳定性高可靠性,小尺寸-55°C ~ 150°C0201(0603 公制)0.005"(0.12mm)0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
935152722410-T3S
939118492510-T3S
CAP SILICON 10000PF 15% 11V 0201
Murata Electronics
0
现货
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1,000 : ¥73.78978
卷带(TR)
卷带(TR)
在售10000 pF±15%11 V300 mOhms100pH高稳定性高可靠性,小尺寸-55°C ~ 150°C0201(0603 公制)0.005"(0.12mm)0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
0
现货
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1,000 : ¥78.49972
卷带(TR)
卷带(TR)
在售0.022 µF-30 V--高稳定性,引线键合和嵌入式高可靠性-55°C ~ 150°C0201(0603 公制)0.004"(0.10mm)0.031" 长 x 0.024" 宽(0.80mm x 0.60mm)
0
现货
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1,000 : ¥78.70906
卷带(TR)
卷带(TR)
在售10000 pF-30 V--高稳定性高可靠性-55°C ~ 150°C0201(0603 公制)0.004"(0.10mm)0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
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硅电容器


硅电容器和薄膜电容器是使用半导体器件制造中更常用的工具、方法和材料制造的特殊器件。因此,所提供的极高精度和控制能力可生产出具有卓越参数稳定性且近乎理想的电容器,但参数值范围相对有限,并且与最直接的竞争对手陶瓷器件相比,成本要高得多。