硅电容器

结果 : 2
电容
0.022 µF0.1 µF
封装/外壳
0402（1005 公制）0805（2012 公制）
大小 / 尺寸
0.047" 长 x 0.028" 宽（1.20mm x 0.70mm）0.087" 长 x 0.055" 宽（2.20mm x 1.40mm）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
应用的筛选条件 删除全部
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
电容
容差
电压 - 击穿
ESR（等效串联电阻）
ESL（等效串联电感）
应用
特性
工作温度
封装/外壳
高度
大小 / 尺寸
LPSC_HSSC_HTSC_XTSC
935131424522
CAP SILICON 0.022UF 15% 11V 0402
IPDiA
195
现货
1 : ¥14.06000
剪切带（CT）
剪切带（CT）
Digi-Key 停止提供0.022 µF±15%11 V400 mOhms100pH高稳定性高可靠性-55°C ~ 150°C0402（1005 公制）0.016"（0.41mm）0.047" 长 x 0.028" 宽（1.20mm x 0.70mm）
LPSC_HSSC_HTSC_XTSC
935131426610
CAP SILICON 0.1UF 15% 11V 0805
IPDiA
376
现货
1 : ¥18.21000
剪切带（CT）
剪切带（CT）
Digi-Key 停止提供0.1 µF±15%11 V400 mOhms100pH高稳定性高可靠性-55°C ~ 150°C0805（2012 公制）0.016"（0.41mm）0.087" 长 x 0.055" 宽（2.20mm x 1.40mm）
显示
/ 2

硅电容器

硅电容器和薄膜电容器是使用半导体器件制造中更常用的工具、方法和材料制造的特殊器件。因此，所提供的极高精度和控制能力可生产出具有卓越参数稳定性且近乎理想的电容器，但参数值范围相对有限，并且与最直接的竞争对手陶瓷器件相比，成本要高得多。