FET、MOSFET 阵列

结果 : 101
系列
-U-MOSIIIU-MOSVI-HU-MOSVIIU-MOSVII-HU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
不适用于新设计停产在售
配置
2 N 沟道(双)共漏2 N-通道(双)2 个 N 沟道2 个 N 通道(半桥)2 个 P 沟道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平栅极,1.2V 驱动逻辑电平栅极,1.5V 驱动逻辑电平栅极,1.8V 驱动逻辑电平栅极,2.5V 驱动逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平栅极,4V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
12V20V20V,12V30V30V,20V40V50V60V100V-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA100mA(Ta)100mA,5.5A170mA180mA180mA,100mA200mA250mA250mA(Ta)300mA300mA(Ta)330mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.35 毫欧 @ 10A,4.5V5.1 毫欧 @ 8A,4.5V17 毫欧 @ 4.5A,10V20 毫欧 @ 4.8A,4V21 毫欧 @ 3A,10V25 毫欧 @ 3A,10V26 毫欧 @ 3A,10V30.1 毫欧 @ 4A,4.5V32 毫欧 @ 3.1A,10V33 毫欧 @ 2.6A,10V33 毫欧 @ 4A,4.5V36 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 100µA1V @ 1mA1V @ 1mA,1.2V @ 1mA1.1V @ 100µA1.2V @ 1mA1.2V @ 200µA1.4V @ 1.57mA1.5V @ 100µA1.5V @ 1µA1.7V @ 100µA1.8V @ 100µA2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.34nC @ 4.5V0.35nC @ 4.5V0.6nC @ 4.5V1nC @ 10V1nC @ 4.5V1.2nC @ 4V1.23nC @ 4V1.23nC @ 4V,1.2nC @ 4V1.5nC @ 5V1.76nC @ 4.5V1.8nC @ 4.5V2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
7pF @ 3V8.5pF @ 3V9.1pF @ 3V9.3pF @ 3V9.5pF @ 3V12pF @ 10V12.2pF @ 3V13.5pF @ 3V15.1pF @ 3V17pF @ 10V17pF @ 25V20pF @ 5V
功率 - 最大值
140mW150mW150mW(Ta)200mW200mW(Ta)250mW285mW285mW(Ta)300mW330mW360mW450mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TA)150°C(TJ)175°C-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
封装/外壳
4-XFLGA5-TSSOP,SC-70-5,SOT-3536-SMD,扁平引线6-SMD,无引线6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-WDFN 裸露焊盘8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)10-XFLGA,CSP14-SMD,无引线SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
4 片式 LGA(1.59x1.59)6-TCSPA(2.14x1.67)6-TSOP-F6-UDFNB(2x2)6-UDFN(2x2)6-µDFN(2x2)8-SOP8-SOP(5.5x6.0)CST6DES6PS-8PS-8(2.9x2.4)TCSPAG-341501TCSPED-302701
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
101结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
3,628
现货
1 : ¥1.95000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.32661
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V300mA1.5 欧姆 @ 100mA,10V2.1V @ 250µA0.6nC @ 4.5V40pF @ 10V285mW150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363US6
384,138
现货
1 : ¥3.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54017
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平栅极,1.5V 驱动20V250mA(Ta)2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V1V @ 1mA-12pF @ 10V300mW150°C--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363US6
92,917
现货
1 : ¥3.33000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.60373
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V100mA4 欧姆 @ 10mA,4V1.5V @ 100µA-8.5pF @ 3V150mW150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666ES6
101,066
现货
1 : ¥3.50000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.63552
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平门20V500mA,330mA630 毫欧 @ 200mA,5V1V @ 1mA1.23nC @ 4V46pF @ 10V150mW150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666ES6
147,755
现货
1 : ¥3.66000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.97659
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平栅极,1.8V 驱动30V4A84毫欧 @ 2A,4.5V1V @ 1mA1.8nC @ 4.5V129pF @ 15V1W150°C(TJ)--表面贴装型6-WDFN 裸露焊盘6-UDFN(2x2)
35,043
现货
1 : ¥3.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83774
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平门30V400mA,200mA700毫欧 @ 200MA,10V1.8V @ 100µA-20pF @ 5V300mW150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363US6
39,416
现货
1 : ¥2.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.36292
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V170mA3.9 欧姆 @ 100mA,10V2.1V @ 250µA0.35nC @ 4.5V17pF @ 10V285mW150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363US6
28,246
现货
1 : ¥2.60000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.43549
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V200mA2.1 欧姆 @ 500mA,10V3.1V @ 250µA-17pF @ 25V150mW150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666ES6
32,016
现货
1 : ¥3.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54017
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)-30V100mA12 欧姆 @ 10mA,4V1.7V @ 100µA-9.1pF @ 3V200mW(Ta)150°C--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363US6
3,990
现货
1 : ¥3.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80953
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平栅极,1.5V 驱动20V500mA(Ta),330mA(Ta)630 毫欧 @ 200mA,5V,1.31 欧姆 @ 100mA,4.5V1V @ 1mA1.23nC @ 4V,1.2nC @ 4V46pF @ 10V,43pF @ 10V500mW(Ta)150°C--表面贴装型6-SMD,扁平引线UF6
83,709
现货
1 : ¥3.09000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.55607
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平栅极,1.2V 驱动20V250mA(Ta)1.1 欧姆 @ 150mA,4.5V1V @ 100µA0.34nC @ 4.5V36pF @ 10V250mW150°C--表面贴装型SOT-563,SOT-666ES6
8,944
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10208
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平栅极,1.2V 驱动20V800mA(Ta)85 毫欧 @ 800mA,4.5V1V @ 1mA2nC @ 4.5V177pF @ 10V500mW(Ta)150°C--表面贴装型6-SMD,扁平引线UF6
7,712
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.58784
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平栅极,1.2V 驱动20V250mA(Ta)1.4 欧姆 @ 150mA,4.5V1V @ 100µA-42pF @ 10V150mW(Ta)150°C--表面贴装型SOT-563,SOT-666ES6
3,896
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.08997
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V650mA(Ta)1.8 欧姆 @ 150mA,5V2V @ 1mA1.5nC @ 5V60pF @ 12V1.5W(Ta)150°C--表面贴装型6-SMD,扁平引线6-TSOP-F
14,814
现货
1 : ¥3.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.13842
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平栅极,1.8V 驱动20V4A(Ta)45 毫欧 @ 3.5A,10V1.2V @ 1mA6.74nC @ 4.5V480pF @ 10V1W(Ta)150°C--表面贴装型6-WDFN 裸露焊盘6-µDFN(2x2)
6,629
现货
1 : ¥3.50000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.17476
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道-20V4A--------表面贴装型6-WDFN 裸露焊盘6-UDFN(2x2)
25,407
现货
1 : ¥3.66000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.80835
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平栅极,1.5V 驱动20V800mA(Ta),720mA(Ta)240 毫欧 @ 500mA,4.5V,300 毫欧 @ 400mA,4.5V1V @ 1mA2nC @ 4.5V,1.76nC @ 4.5V90pF @ 10V,110pF @ 10V150mW(Ta)150°C--表面贴装型SOT-563,SOT-666ES6
17,599
现货
1 : ¥3.66000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.97659
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平门20V720mA300 毫欧 @ 400mA,4.5V1V @ 1mA1.76nC @ 4.5V110pF @ 10V150mW150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666ES6
78,607
现货
1 : ¥3.74000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.66728
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平栅极,1.5V 驱动20V800mA235 毫欧 @ 800mA,4.5V1V @ 1mA1nC @ 4.5V55pF @ 10V150mW150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666ES6
10,456
现货
1 : ¥3.74000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.01512
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平栅极,4V 驱动30V1.6A(Ta)122 毫欧 @ 1A,10V2.6V @ 1mA5.1nC @ 10V180pF @ 15V500mW(Ta)150°C--表面贴装型6-SMD,扁平引线UF6
8,644
现货
1 : ¥3.74000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.01512
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平栅极,4V 驱动30V1.4A(Ta)226 毫欧 @ 1A,10V2V @ 1mA2.9nC @ 10V120pF @ 15V500mW(Ta)150°C--表面贴装型6-SMD,扁平引线UF6
118,863
现货
1 : ¥3.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.04084
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-30V4A46 毫欧 @ 2A,4.5V1V @ 1mA4nC @ 4.5V310pF @ 10V1W150°C(TJ)--表面贴装型6-WDFN 裸露焊盘6-µDFN(2x2)
113,815
现货
1 : ¥3.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.02799
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平栅极,4V 驱动30V1.6A(Ta),1.4A(Ta)122 毫欧 @ 1A,10V,226 毫欧 @ 1A,10V2.6V @ 1mA,2V @ 1mA5.1nC @ 10V,2.9nC @ 10V180pF @ 15V,120pF @ 15V500mW(Ta)150°C--表面贴装型6-SMD,扁平引线UF6
15,449
现货
1 : ¥3.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.02799
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平栅极,1.8V 驱动20V800mA143毫欧 @ 600MA,4V1V @ 1mA-268pF @ 10V500mW150°C(TJ)--表面贴装型6-SMD,扁平引线UF6
10,386
现货
1 : ¥3.82000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.04084
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平栅极,1.8V 驱动30V4A(Ta)39.1 毫欧 @ 2A,4.5V1V @ 1mA3.2nC @ 4.5V310pF @ 15V2W(Ta)150°C--表面贴装型6-WDFN 裸露焊盘6-µDFN(2x2)
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。