FET、MOSFET 阵列

结果 : 87
系列
-*CoolMOS™GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™HiPerFET™HiPerFET™, Polar3™HiPerFET™, PolarHT™HiPerFET™, TrenchT2™MCB20P1200LBMCB30P1200LBMMPA60P1000TLAPolar™TrenchTrenchMV™
包装
卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
技术
-MOSFET(金属氧化物)碳化硅(SiC)
配置
2 N 沟道(双)非对称型2 N 沟道(相角)2 N-通道(双)4 N 沟道(全桥)6 N-沟道(3 相桥)-N 和 P 沟道N 和 P 沟道,共漏
漏源电压(Vdss)
40V55V70V75V85V100V150V200V250V300V500V600V900V1000V(1kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A13A26A,17A30A30A(Tc)33A36A,22A38A40A45A47A50A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.8 毫欧 @ 1200A,10V1.2 毫欧 @ 800A,10V1.3 毫欧 @ 100A,10V2.1 毫欧 @ 100A,10V2.2 毫欧 @ 100A,10V2.2 毫欧 @ 500A,10V2.5 毫欧 @ 100A,10V3 毫欧 @ 100A,10V3.1 毫欧 @ 100A,10V3.3 毫欧 @ 100A,10V3.3 毫欧 @ 250A,10V3.6 毫欧 @ 150A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 150µA3.5V @ 275µA3.8V @ 275µA3.9V @ 3mA4V @ 10mA4V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 250µA,4.5V @ 250µA4V @ 2mA4V @ 30mA4V @ 3mA4V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
50nC @ 10V58nC @ 10V70nC @ 10V78nC @ 10V88nC @ 10V90nC @ 10V94nC @ 10V96nC @ 10V97nC @ 10V100nC @ 10V104nC @ 10V105nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1370pF @ 25V,5080pF @ 25V2250pF @ 25V2630pF @ 25V2720pF @ 25V3600pF @ 25V3700pF @ 25V4000pF @ 25V4500pF @ 25V5080pF @ 25V5800pF @ 25V6250pF @ 25V6800pF @ 100V
功率 - 最大值
89W,132W125W130W132W150W170W180W190W300W320W370W380W390W1500W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)-
安装类型
-底座安装表面贴装型通孔
封装/外壳
9-PowerSMD9-SMD 模块9-SMD 电源模块17-SMD,扁平引线17-SMD,鸥翼24-SMD 模块(9 引线)24-SMD,鸥翼-ECO-PAC2ISOPLUS-DIL™ISOPLUSi5-PAK™SOT-227-4,miniBLOCTO-240AATO-264-3,TO-264AA
供应商器件封装
9-SMPD-B24-SMD24-SMPD-ECO-PAC2ISOPLUS i4-PAC™ISOPLUS-DIL™ISOPLUS-SMPD™.BISOPLUS264™ISOPLUSi5-Pak™SMPDSOT-227BTO-240AAV2-PAK
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
87结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 87
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC
FMM75-01F
MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC
IXYS
15
现货
175
工厂
1 : ¥176.00000
管件
管件
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-100V75A25 毫欧 @ 50A,10V4V @ 4mA180nC @ 10V---55°C ~ 150°C(TJ)通孔i4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
FMM150-0075X2F
FMM150-0075X2F
MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC
IXYS
10
现货
1 : ¥185.68000
管件
管件
在售MOSFET(金属氧化物)2 N 沟道(双)非对称型-75V120A5.8 毫欧 @ 100A,10V4V @ 250µA178nC @ 10V10500pF @ 25V170W-55°C ~ 175°C(TJ)通孔ISOPLUSi5-PAK™ISOPLUS i4-PAC™
SIC 2N-CH 1200V 58A SMPD
MCB40P1200LB-TUB
SIC 2N-CH 1200V 58A SMPD
IXYS
0
现货
查看交期
1 : ¥1,776.60000
管件
-
管件
在售碳化硅(SiC)2 N-通道(双)-1200V(1.2kV)58A------表面贴装型9-SMD 电源模块SMPD
MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK
IXTL2X180N10T
MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK
IXYS
0
现货
查看交期
300 : ¥124.08070
管件
管件
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-100V100A7.4 毫欧 @ 50A,10V4.5V @ 250µA151nC @ 10V6900pF @ 25V150W-55°C ~ 175°C(TJ)通孔ISOPLUSi5-PAK™ISOPLUSi5-Pak™
MOSFET 6N-CH 100V 120A ISOPLUS
MTI85W100GC-SMD
MOSFET 6N-CH 100V 120A ISOPLUS
IXYS
0
现货
查看交期
13 : ¥232.19538
管件
-
管件
在售MOSFET(金属氧化物)6 N-沟道(3 相桥)-100V120A(Tc)4 毫欧 @ 80A,10V3.5V @ 150µA88nC @ 10V---55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型17-SMD,鸥翼ISOPLUS-DIL™
MOSFET 6N-CH 75V 180A ISOPLUS
MTC120WX75GD-SMD
MOSFET 6N-CH 75V 180A ISOPLUS
IXYS
0
现货
查看交期
13 : ¥250.11692
管件
-
管件
在售MOSFET(金属氧化物)6 N-沟道(3 相桥)-75V180A(Tc)3.1 毫欧 @ 100A,10V4V @ 1mA178nC @ 10V10500pF @ 25V--55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型ISOPLUS-DIL™ISOPLUS-DIL™
MOSFET 2N-CH 500V 30A 24SMPD
MMIX2F60N50P3
MOSFET 2N-CH 500V 30A 24SMPD
IXYS
0
现货
查看交期
300 : ¥250.85687
管件
管件
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-500V30A(Tc)110 毫欧 @ 30A,10V5V @ 4mA96nC @ 10V6250pF @ 25V320W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型24-SMD 模块(9 引线)24-SMPD
MOSFET 6N-CH 75V 255A ISOPLUS
MTI200WX75GD-SMD
MOSFET 6N-CH 75V 255A ISOPLUS
IXYS
0
现货
819
工厂
查看交期
13 : ¥295.44231
管件
-
管件
在售MOSFET(金属氧化物)6 N-沟道(3 相桥)-75V255A(Tc)1.3 毫欧 @ 100A,10V3.8V @ 275µA155nC @ 10V14400pF @ 38V--55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型ISOPLUS-DIL™ISOPLUS-DIL™
MOSFET 2N-CH 600V 47A ISOPLUS264
LKK47-06C5
MOSFET 2N-CH 600V 47A ISOPLUS264
IXYS
0
现货
查看交期
25 : ¥308.06920
管件
管件
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-600V47A45 毫欧 @ 44A,10V3.9V @ 3mA190nC @ 10V6800pF @ 100V--55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-264-3,TO-264AAISOPLUS264™
MOSFET 6N-CH 100V 190A ISOPLUS
MTI145WX100GD-SMD
MOSFET 6N-CH 100V 190A ISOPLUS
IXYS
0
现货
查看交期
13 : ¥350.01538
管件
-
管件
在售MOSFET(金属氧化物)6 N-沟道(3 相桥)-100V190A(Tc)2.2 毫欧 @ 100A,10V3.5V @ 275µA155nC @ 10V11100pF @ 50V--55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型ISOPLUS-DIL™ISOPLUS-DIL™
TO-240;no-screwsl
VMK165-007T
MOSFET 2N-CH 70V 165A TO240AA
IXYS
0
现货
36 : ¥394.25889
-
不适用于新设计MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-70V165A7 毫欧 @ 82.5A,10V4V @ 8mA480nC @ 10V8800pF @ 25V390W-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装TO-240AATO-240AA
IXYK1x0xNxxxx
IXFN130N90SK
SIC 2N-CH 900V SOT227B
IXYS
0
现货
查看交期
10 : ¥1,098.63400
管件
-
管件
在售碳化硅(SiC)2 N-通道(双)-900V-------底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227B
MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
GWM120-0075P3
MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产MOSFET(金属氧化物)6 N-沟道(3 相桥)-75V118A5.5 毫欧 @ 60A,10V4V @ 1mA100nC @ 10V---55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型17-SMD,扁平引线ISOPLUS-DIL™
MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC
FMK75-01F
MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC
IXYS
0
现货
在售
管件
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-100V75A25 毫欧 @ 50A,10V4V @ 4mA180nC @ 10V---55°C ~ 150°C(TJ)通孔i4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
MOSFET 2N-CH 75V 150A I4-PAC
FMM150-0075P
MOSFET 2N-CH 75V 150A I4-PAC
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-75V150A4.2 毫欧 @ 120A,10V4V @ 1mA225nC @ 10V---55°C ~ 175°C(TJ)通孔i4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
MOSFET 2N-CH 55V 300A I4-PAC
FMM300-0055P
MOSFET 2N-CH 55V 300A I4-PAC
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-55V300A3.6 毫欧 @ 150A,10V4V @ 2mA172nC @ 10V---55°C ~ 175°C(TJ)通孔i4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC
FMM65-015P
MOSFET 2N-CH 150V 65A I4-PAC
IXYS
0
现货
在售
-
管件
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-150V65A22 毫欧 @ 50A,10V4V @ 1mA230nC @ 10V---55°C ~ 175°C(TJ)通孔i4-Pac™-5ISOPLUS i4-PAC™
MOSFET 6N-CH 55V 160A ISOPLUS
GWM160-0055P3
MOSFET 6N-CH 55V 160A ISOPLUS
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产MOSFET(金属氧化物)6 N-沟道(3 相桥)-55V160A3 毫欧 @ 100A,10V4V @ 1mA90nC @ 10V---40°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型17-SMD,扁平引线ISOPLUS-DIL™
MOSFET 6N-CH 100V 70A ISOPLUS
GWM70-01P2
MOSFET 6N-CH 100V 70A ISOPLUS
IXYS
0
现货
停产
-
管件
停产MOSFET(金属氧化物)6 N-沟道(3 相桥)-100V70A14 毫欧 @ 35A,10V4V @ 1mA110nC @ 10V---40°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型17-SMD,扁平引线ISOPLUS-DIL™
MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK
IXTL2X200N085T
MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK
IXYS
0
现货
停产
管件
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-85V112A6 毫欧 @ 50A,10V4V @ 250µA152nC @ 10V7600pF @ 25V150W-55°C ~ 175°C(TJ)通孔ISOPLUSi5-PAK™ISOPLUSi5-Pak™
MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK
IXTL2X220N075T
MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK
IXYS
0
现货
停产
管件
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-75V120A5.5 毫欧 @ 50A,10V4V @ 250µA165nC @ 10V7700pF @ 25V150W-55°C ~ 175°C(TJ)通孔ISOPLUSi5-PAK™ISOPLUSi5-Pak™
IXTL2X240N055T
IXTL2X240N055T
MOSFET 2N-CH 55V 140A I5-PAK
IXYS
0
现货
停产
管件
停产MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-55V140A4.4 毫欧 @ 50A,10V4V @ 250µA170nC @ 10V7600pF @ 25V150W-55°C ~ 175°C(TJ)通孔ISOPLUSi5-PAK™ISOPLUSi5-Pak™
MOSFET 4N-CH 500V 40A V2-PAK
VBH40-05B
MOSFET 4N-CH 500V 40A V2-PAK
IXYS
0
现货
停产
停产MOSFET(金属氧化物)4 N 沟道(全桥)-500V40A116 毫欧 @ 30A,10V4V @ 8mA270nC @ 10V---40°C ~ 150°C(TJ)底座安装V2-PAKV2-PAK
MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2
VHM40-06P1
MOSFET 2N-CH 600V 38A ECO-PAC2
IXYS
0
现货
在售
-
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-600V38A70 毫欧 @ 25A,10V5.5V @ 3mA220nC @ 10V---40°C ~ 150°C(TJ)底座安装ECO-PAC2ECO-PAC2
MOSFET 4N-CH 600V 38A ECO-PAC2
VKM40-06P1
MOSFET 4N-CH 600V 38A ECO-PAC2
IXYS
0
现货
停产
-
停产MOSFET(金属氧化物)4 N 沟道(全桥)-600V38A70 毫欧 @ 25A,10V5.5V @ 3mA220nC @ 10V---40°C ~ 150°C(TJ)底座安装ECO-PAC2ECO-PAC2
显示
/ 87

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。