单 FET,MOSFET

结果 : 1,063
系列
-*DTMOSIIDTMOSIVDTMOSIV-HDTMOSVDTMOSVIU-MOSIIU-MOSIIIU-MOSIII-HU-MOSIVU-MOSIV-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V32 V34 V38 V40 V45 V50 V60 V75 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50mA(Ta)100mA(Ta)150mA(Ta)170mA(Ta)180mA(Ta)200mA(Ta)250mA(Ta)300mA(Ta)330mA(Ta)400mA(Ta)500mA(Ta)650mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.2V,4V1.5V,2.5V1.5V,4.5V1.5V,4V1.5V,5V1.8V,10V1.8V,4.5V1.8V,4V1.8V,8V2V,4.5V2.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.3mOhm @ 200A,10V0.6 毫欧 @ 50A,10V0.65 毫欧 @ 50A,10V0.66 毫欧 @ 100A,10V0.74 毫欧 @ 125A,10V0.74 毫欧 @ 50A,10V0.79 毫欧 @ 75A,10V0.8 毫欧 @ 50A,10V0.85 毫欧 @ 50A,10V0.9 毫欧 @ 100A,10V0.9 毫欧 @ 30A,10V0.9 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 100µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.1V @ 100µA1.1V @ 1mA1.2V @ 1mA1.2V @ 200µA1.2V @ 500µA1.3V @ 200µA1.4V @ 1.11mA1.5V @ 100µA1.5V @ 1µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.34 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V1 nC @ 4.5 V1.1 nC @ 4.2 V1.2 nC @ 4 V1.23 nC @ 4 V1.5 nC @ 4 V1.5 nC @ 5 V1.6 nC @ 4.5 V1.7 nC @ 4.5 V1.9 nC @ 4 V
Vgs(最大值)
+6V, -12V+6V,-8V±6V±7V±8V+10V,-20V10V±10V+12V,-6V+12V,-8V±12V+20V,-12V+20V,-16V+20V,-25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
5.5 pF @ 3 V7 pF @ 3 V7.8 pF @ 3 V8.5 pF @ 3 V9.1 pF @ 3 V9.3 pF @ 3 V9.5 pF @ 3 V11 pF @ 3 V12 pF @ 10 V12.2 pF @ 3 V13.5 pF @ 3 V15.1 pF @ 3 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
100mW(Ta)150mW(Ta)200mW(Ta)270mW(Ta)320mW(Ta)330mW(Ta)400mW(Ta)500mW(Ta)600mW(Ta)610mW(Ta),61W(Tc)630mW(Ta),104W(Tc)630mW(Ta),57W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TA)150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-DFN-EP(8x8)4-TFP(9.2x9.2)5-DFN(8x8)5-SSOP6-TSOP-F6-UDFNB(2x2)6-UDFN(2x2)6-WCSPC(1.5x1.0)6-µDFN(2x2)8-DSOP Advance8-SOP Advance(5x5.75)8-SOP Advance(5x5)
封装/外壳
3-SMD,扁平引线3-SMD,扁平引线3-SMD,无引线4-SMD,无引线4-VSFN 裸露焊盘5-PowerSFN5-SMD,扁平引线5-TSSOP,SC-70-5,SOT-3536-SMD(5引线),扁引线6-SMD,扁平引线6-UDFN 裸露焊盘6-UFBGA,WLCSP
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
1,063结果
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/ 1,063
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
61,595
现货
1 : ¥1.95000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.25126
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V400mA(Ta)4.5V,10V1.5 欧姆 @ 100mA,10V2.1V @ 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V40 pF @ 10 V-500mW(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型CST3SC-101,SOT-883
4,906,250
现货
1 : ¥2.03000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.36858
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V800mA(Ta)1.5V,4.5V235 毫欧 @ 800mA,4.5V1V @ 1mA1 nC @ 4.5 V±8V55 pF @ 10 V-150mW(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型SSMSC-75,SOT-416
1,696
现货
1 : ¥2.28000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.35349
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V100mA(Ta)2.5V,4V3.6 欧姆 @ 10mA,4V1.5V @ 100µA-±20V13.5 pF @ 3 V-150mW(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型VESMSOT-723
201,605
现货
1 : ¥2.52000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.32119
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)20 V250mA(Ta)1.2V,4.5V1.1 欧姆 @ 150mA,4.5V1V @ 100µA0.34 nC @ 4.5 V±10V36 pF @ 10 V-500mW(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型CST3CSC-101,SOT-883
370,430
现货
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77103
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)12 V6A(Ta)1.8V,8V17.6 毫欧 @ 6A,8V1V @ 1mA19.5 nC @ 4.5 V±10V1400 pF @ 6 V-1W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23FSOT-23-3 扁平引线
763,508
现货
1 : ¥3.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70551
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V6A(Ta)1.5V,4.5V29.8 毫欧 @ 3A,4.5V1V @ 1mA12.8 nC @ 4.5 V±8V840 pF @ 10 V-1W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23FSOT-23-3 扁平引线
344,114
现货
1 : ¥3.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70551
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V2A(Ta)4V,10V300 毫欧 @ 1A,10V2V @ 1mA8.3 nC @ 10 V+10V,-20V330 pF @ 10 V-1W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23FSOT-23-3 扁平引线
120,204
现货
1 : ¥3.33000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.89954
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V3.5A(Ta)4V,10V134 毫欧 @ 1A,10V2V @ 1mA15.1 nC @ 10 V+10V,-20V660 pF @ 10 V-2W(Ta)150°C--表面贴装型SOT-23FSOT-23-3 扁平引线
8,621
现货
1 : ¥3.33000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.89954
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V2.5A(Ta)4.5V,10V107 毫欧 @ 2A,10V2.8V @ 1mA7 nC @ 10 V±20V235 pF @ 30 V-1W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23FSOT-23-3 扁平引线
191,052
现货
1 : ¥3.41000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.61966
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V6A(Ta)1.8V,10V42 毫欧 @ 5A,10V1.2V @ 1mA8.2 nC @ 4.5 V+12V,-6V560 pF @ 15 V-1W(Ta)150°C--表面贴装型SOT-23FSOT-23-3 扁平引线
151,063
现货
1 : ¥3.50000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.63554
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V4A(Ta)4V,10V71 毫欧 @ 3A,10V2V @ 100µA5.9 nC @ 10 V±20V280 pF @ 15 V-1W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23FSOT-23-3 扁平引线
121,784
现货
1 : ¥3.50000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.63554
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V6A(Ta)1.8V,10V42 毫欧 @ 5A,10V1.2V @ 1mA8.2 nC @ 4.5 V±12V560 pF @ 15 V-1W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23FSOT-23-3 扁平引线
52,692
现货
1 : ¥3.50000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.17482
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V6A(Ta)4V,10V36 毫欧 @ 5A,10V2.5V @ 100µA9.3 nC @ 10 V±20V550 pF @ 10 V-1.2W(Ta)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型SOT-23FSOT-23-3 扁平引线
37,432
现货
1 : ¥3.50000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.17482
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V3.5A(Ta)4.5V,10V69 毫欧 @ 2A,10V2.5V @ 100µA3.2 nC @ 4.5 V±20V430 pF @ 15 V-1.25W(Ta)150°C--表面贴装型6-UDFNB(2x2)6-WDFN 裸露焊盘
123,717
现货
1 : ¥3.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.21113
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V4.4A(Ta)1.5V,4.5V25.8 毫欧 @ 4A,4.5V1V @ 1mA24.8 nC @ 4.5 V±8V1800 pF @ 10 V-500mW(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型UFM3-SMD,扁平引线
87,653
现货
1 : ¥3.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.21113
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V2A(Ta)3.3V,10V300 毫欧 @ 1A,10V2V @ 1mA-±20V150 pF @ 10 V-1W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23FSOT-23-3 扁平引线
86,325
现货
1 : ¥3.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.96379
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V5.5A(Ta)1.5V,4.5V29.8 毫欧 @ 3A,4.5V1V @ 1mA12.8 nC @ 4.5 V±8V840 pF @ 10 V-500mW(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型UFM3-SMD,扁平引线
24,126
现货
1 : ¥3.66000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80838
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)20 V6A(Ta)1.8V,8V22.1 毫欧 @ 6A,8V1V @ 1mA38.5 nC @ 8 V±10V1331 pF @ 10 V-1W(Ta)150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23FSOT-23-3 扁平引线
94,175
现货
1 : ¥3.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.33226
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V3.5A(Ta)4.5V,10V69 毫欧 @ 2A,10V2.5V @ 100µA3.2 nC @ 4.5 V±20V430 pF @ 15 V-1.2W(Ta)175°C--表面贴装型SOT-23FSOT-23-3 扁平引线
9,997
现货
1 : ¥4.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.89555
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V26A(Tc)4.5V,10V11.4mOhm @ 13A,10V2.5V @ 200µA17 nC @ 10 V±20V1625 pF @ 30 V-610mW(Ta),61W(Tc)175°C--表面贴装型8-TSON Advance(3.1x3.1)8-PowerVDFN
7,738
现货
1 : ¥5.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.02425
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)80 V34A(Tc)6V,10V19 毫欧 @ 17A,10V3.5V @ 200µA16 nC @ 10 V±20V1400 pF @ 40 V-630mW(Ta),57W(Tc)175°C--表面贴装型8-TSON Advance(3.1x3.1)8-PowerVDFN
33,924
现货
1 : ¥6.26000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.38698
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V17A(Tc)4.5V,10V11.4 毫欧 @ 8.5A,10V2.5V @ 200µA23 nC @ 10 V±20V2000 pF @ 30 V-1.6W(Ta),34W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型8-SOP Advance(5x5)8-PowerVDFN
44,220
现货
1 : ¥6.91000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.73267
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V80A(Tc)4.5V,10V1.6 毫欧 @ 40A,10V2.1V @ 300µA41 nC @ 10 V±20V3900 pF @ 15 V-104W(Tc)175°C--表面贴装型8-TSON Advance(3.1x3.1)8-PowerVDFN
9,005
现货
1 : ¥6.99000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.90294
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V19A(Ta)4.5V,10V6.2 毫欧 @ 9A,10V2.3V @ 200µA17 nC @ 10 V±20V1400 pF @ 15 V-1W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型8-SOP8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
122,495
现货
1 : ¥7.40000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.64932
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V92A(Tc)4.5V,10V3.7 毫欧 @ 46A,10V2.4V @ 200µA27 nC @ 10 V±20V2500 pF @ 20 V-960mW(Ta),81W(Tc)175°C--表面贴装型8-SOP Advance(5x5)8-PowerVDFN
显示
/ 1,063

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。