单 FET，MOSFET

结果 : 11
产品状态
停产在售
漏源电压（Vdss）
1200 V1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A（Tc）6.2A（Tc）6.4A（Tc）22A（Tc）27A（Tc）39A（Tc）70A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V，20V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
32 毫欧 @ 50A，20V50 毫欧 @ 40A，20V100 毫欧 @ 20A，20V150 毫欧 @ 14A，20V200 毫欧 @ 10A，20V1 欧姆 @ 2A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 10mA4V @ 1mA4V @ 20mA4V @ 30mA4V @ 5mA4V @ 7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 20 V13 nC @ 20 V15 nC @ 20 V50 nC @ 20 V57 nC @ 20 V63 nC @ 20 V80 nC @ 20 V92 nC @ 20 V95 nC @ 20 V175 nC @ 20 V265 nC @ 20 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
170 pF @ 800 V200 pF @ 1000 V317 pF @ 800 V495 pF @ 800 V870 pF @ 800 V890 pF @ 800 V1125 pF @ 800 V1130 pF @ 800 V1825 pF @ 800 V
功率耗散（最大值）
54W（Tc）60W（Tc）65W（Tc）125W（Tc）139W（Tc）156W（Tc）179W（Tc）214W（Tc）357W（Tc）500W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-247-4LTO-247ADTO-263-7L
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LSIC1MO170E0750
LSIC1MO170E0750
SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3
Littelfuse Inc.
117
现货
4,500
工厂
1 : ¥45.45000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET（碳化硅）1700 V6.2A（Tc）20V1 欧姆 @ 2A，20V4V @ 1mA13 nC @ 20 V+22V，-6V200 pF @ 1000 V-60W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）通孔TO-247ADTO-247-3
TO-247-3 AD Long Lead EP
LSIC1MO120E0160
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
Littelfuse Inc.
1,432
现货
1 : ¥98.29000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET（碳化硅）1200 V22A（Tc）20V200 毫欧 @ 10A，20V4V @ 5mA57 nC @ 20 V+22V，-6V870 pF @ 800 V-125W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）通孔TO-247ADTO-247-3
TO-247-3 AD Long Lead EP
LSIC1MO120E0120
SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Littelfuse Inc.
854
现货
1 : ¥135.61000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET（碳化硅）1200 V27A（Tc）20V150 毫欧 @ 14A，20V4V @ 7mA80 nC @ 20 V+22V，-6V1125 pF @ 800 V-139W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）通孔TO-247ADTO-247-3
LSIC1MO170TO750_TO-263-7L_1
LSIC1MO170T0750
SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L
Littelfuse Inc.
1,131
现货
1 : ¥56.42000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET（碳化硅）1700 V6.4A（Tc）20V1 欧姆 @ 2A，20V4V @ 1mA11 nC @ 20 V+22V，-6V200 pF @ 1000 V-65W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型TO-263-7LTO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
TO-247-3 AD Long Lead EP
LSIC1MO120E0080
SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥171.54000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET（碳化硅）1200 V39A（Tc）20V100 毫欧 @ 20A，20V4V @ 10mA95 nC @ 20 V+22V，-6V1825 pF @ 800 V-179W（Tc）-55°C ~ 150°C通孔TO-247ADTO-247-3
LSIC1MO120G0160
LSIC1MO120G0040
MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥246.98000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET（碳化硅）1200 V70A（Tc）20V50 毫欧 @ 40A，20V4V @ 20mA175 nC @ 20 V+22V，-6V317 pF @ 800 V-357W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）通孔TO-247-4LTO-247-4
LSIC1MO120G0160
LSIC1MO120G0025
MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥356.25000
管件
-
管件
在售N 通道SiCFET（碳化硅）1200 V100A（Tc）20V32 毫欧 @ 50A，20V4V @ 30mA265 nC @ 20 V+22V，-6V495 pF @ 800 V-500W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）通孔TO-247-4LTO-247-4
TO-247-3 AD Long Lead EP
LSIC1MO170E1000
SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L
Littelfuse Inc.
0
现货
停产
-
管件
停产N 通道SiCFET（碳化硅）1700 V5A（Tc）15V，20V1 欧姆 @ 2A，20V4V @ 1mA15 nC @ 20 V+22V，-6V200 pF @ 1000 V-54W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）通孔TO-247ADTO-247-3
LSIC1MO120G0160
LSIC1MO120G0120
MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
现货
在售
-
管件
在售N 通道SiCFET（碳化硅）1200 V27A（Tc）20V150 毫欧 @ 14A，20V4V @ 7mA63 nC @ 20 V+22V，-6V1130 pF @ 800 V-156W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）通孔TO-247-4LTO-247-4
LSIC1MO120G0160
LSIC1MO120G0080
MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
现货
在售
-
管件
在售N 通道SiCFET（碳化硅）1200 V39A（Tc）20V100 毫欧 @ 20A，20V4V @ 10mA92 nC @ 20 V+22V，-6V170 pF @ 800 V-214W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）通孔TO-247-4LTO-247-4
LSIC1MO120G0160
LSIC1MO120G0160
MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
Littelfuse Inc.
0
现货
在售
-
管件
在售N 通道SiCFET（碳化硅）1200 V22A（Tc）20V200 毫欧 @ 10A，20V4V @ 5mA50 nC @ 20 V+22V，-6V890 pF @ 800 V-125W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）通孔TO-247-4LTO-247-4
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。