单 FET,MOSFET

结果 : 2,504
制造商
IXYSIXYS Integrated Circuits DivisionIXYS-RFLittelfuse Inc.
系列
-*CoolMOS™CoolMOS™, HiPerDyn™DepletionFRFET®, SupreMOS®GigaMOS™GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™GigaMOS™, TrenchT2™HiPerFET™HiPerFET™, F ClassHiPerFET™, Polar
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
20 V36 V40 V50 V55 V60 V65 V70 V75 V80 V85 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5mA(Ta)100mA100mA(Tc)140mA(Ta)200mA(Tc)250mA(Tc)250mA(Tj)300mA(Ta)300mA(Tc)360mA(Ta)400mA(Tc)500mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V0.35V10V10V,15V15V15V,20V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.85 毫欧 @ 100A,10V1 毫欧 @ 100A,10V1.05 毫欧 @ 100A,10V1.25 毫欧 @ 100A,10V1.3 毫欧 @ 100A,10V1.35 毫欧 @ 932A,10V1.5 毫欧 @ 100A,10V1.6 毫欧 @ 100A,10V1.7 毫欧 @ 100A,10V1.7 毫欧 @ 1600A,10V1.8 毫欧 @ 100A,10V1.8 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 10mA2.8V @ 10mA3.1V @ 1µA3.4V @ 4mA3.5V @ 1.1mA3.5V @ 250mA3.5V @ 250µA3.5V @ 340µA3.5V @ 3mA3.5V @ 440µA3.5V @ 790µA3.5V @ 900µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.4 nC @ 10 V3.9 nC @ 10 V4.3 nC @ 10 V4.7 nC @ 10 V5.2 nC @ 10 V5.8 nC @ 5 V6.1 nC @ 10 V6.9 nC @ 10 V7 nC @ 10 V7.4 nC @ 10 V7.5 nC @ 10 V7.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+15V,-4V15V±15V+20V,-5V±20V+22V,-6V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20 pF @ 25 V54 pF @ 25 V60 pF @ 25 V100 pF @ 25 V104 pF @ 25 V105 pF @ 25 V115 pF @ 25 V116 pF @ 25 V120 pF @ 25 V133 pF @ 25 V140 pF @ 25 V170 pF @ 800 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
400mW(Ta)860mW(Ta)1.1W(Ta)1.1W(Ta),25W(Tc)1.4W(Ta)1.6W(Ta)1.8W(Ta)1.8W(Tc)2.25W(Ta)2.5W(Ta)25W(Tc)30W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 110°C(TA)-55°C ~ 125°C(TA)-55°C ~ 125°C(TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 110°C(TA)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 85°C(TA)125°C(TJ)150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
16-SMPD24-SMPD-DE475ECO-PAC2ISO TO-247-3ISO247ISO264™ISOPLUS i4-PAC™ISOPLUS-SMPD™.BISOPLUS220™ISOPLUS247™
封装/外壳
3-SIP6-SMD,扁平引线9-SMD 模块16-BESOP(0.790",20.11mm 宽)15 引线,裸露焊盘24-PowerSMD,21 引线24-PowerSMD,22 引线-ECO-PAC2ISOPLUS220™ISOPLUSi5-PAK™PLUS-220SMDSOT-227-4,miniBLOC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2,504结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 2,504
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
10,974
现货
1 : ¥6.99000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.06105
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)600 V-0V44 欧姆 @ 100mA,0V--±15V100 pF @ 25 V耗尽模式1.8W(Ta)-55°C ~ 125°C(TJ)--表面贴装型SOT-223TO-261-4,TO-261AA
142,585
现货
1 : ¥7.48000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.20299
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)350 V5mA(Ta)0.35V14 欧姆 @ 50mA,350mV--±20V300 pF @ 0 V耗尽模式2.5W(Ta)-40°C ~ 85°C(TA)--表面贴装型SOT-223TO-261-4,TO-261AA
CPC3703CTR
CPC3703CTR
MOSFET N-CH 250V 360MA SOT89-3
IXYS Integrated Circuits Division
18,543
现货
1 : ¥7.64000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.24503
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)250 V360mA(Ta)0V4 欧姆 @ 200mA,0V--±15V350 pF @ 25 V耗尽模式1.1W(Ta)-55°C ~ 125°C(TA)--表面贴装型SOT-89-3TO-243AA
TO-220-3
IXTP44N10T
MOSFET N-CH 100V 44A TO220AB
IXYS
2,300
现货
1 : ¥15.53000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V44A(Tc)10V30 毫欧 @ 22A,10V4.5V @ 25µA33 nC @ 10 V±30V1262 pF @ 25 V-130W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--通孔TO-220-3TO-220-3
TO-252-3
IXTY02N120P
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
IXYS
18,213
现货
350
工厂
1 : ¥19.11000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)1200 V200mA(Tc)10V75 欧姆 @ 500mA,10V4V @ 100µA4.7 nC @ 10 V±20V104 pF @ 25 V-33W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IXTA24P085T
MOSFET P-CH 85V 24A TO263
IXYS
2,574
现货
750
工厂
1 : ¥22.03000
管件
管件
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)85 V24A(Tc)10V65 毫欧 @ 12A,10V4.5V @ 250µA41 nC @ 10 V±15V2090 pF @ 25 V-83W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-252-3
IXTY01N100
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
IXYS
22,857
现货
1 : ¥22.36000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)1000 V100mA(Tc)10V80 欧姆 @ 100mA,10V4.5V @ 25µA6.9 nC @ 10 V±20V54 pF @ 25 V-25W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IXTA08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
IXYS
2,940
现货
1 : ¥23.33000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)1000 V800mA(Tc)-21 欧姆 @ 400mA,0V-14.6 nC @ 5 V±20V325 pF @ 25 V耗尽模式60W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-252-3
IXTY08N50D2-TRL
MOSFET N-CH 500V 800MA TO252AA
IXYS
2,500
现货
1 : ¥23.33000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.53640
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V800mA(Tj)0V4.6 欧姆 @ 400mA,0V4.5V @ 25µA12.7 nC @ 5 V±20V312 pF @ 25 V耗尽模式60W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252-3
IXTY08N50D2
MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
IXYS
2,265
现货
1 : ¥23.33000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)500 V800mA(Tc)-4.6 欧姆 @ 400mA,0V-12.7 nC @ 5 V±20V312 pF @ 25 V耗尽模式60W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IXTA80N10T
MOSFET N-CH 100V 80A TO263
IXYS
4,030
现货
1 : ¥30.16000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V80A(Tc)10V14 毫欧 @ 25A,10V5V @ 100µA60 nC @ 10 V±20V3040 pF @ 25 V-230W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-263AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-252-3
IXTY01N100D
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
IXYS
5,727
现货
1 : ¥31.14000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)1000 V400mA(Tc)0V80 欧姆 @ 50mA,0V4.5V @ 25µA5.8 nC @ 5 V±20V100 pF @ 25 V耗尽模式1.1W(Ta),25W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-252AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IXTA06N120P
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
IXYS
389
现货
1 : ¥36.26000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)1200 V600mA(Tc)10V32 欧姆 @ 300mA,10V4.5V @ 50µA13.3 nC @ 10 V±20V270 pF @ 25 V-42W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
IXTP36N30P
MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
IXYS
771
现货
1 : ¥38.86000
管件
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)300 V36A(Tc)10V110 毫欧 @ 18A,10V5.5V @ 250µA70 nC @ 10 V±30V2250 pF @ 25 V-300W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220-3TO-220-3
TO-263AB
IXTA180N10T-TRL
MOSFET N-CH 100V 180A TO263
IXYS
800
现货
1 : ¥47.97000
剪切带(CT)
800 : ¥28.95046
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V180A(Tc)10V6.4 毫欧 @ 25A,10V4.5V @ 250µA151 nC @ 10 V±20V6900 pF @ 25 V-480W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
IXTP96P085T
MOSFET P-CH 85V 96A TO220AB
IXYS
7,825
现货
1 : ¥49.43000
管件
管件
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)85 V96A(Tc)10V13 毫欧 @ 48A,10V4V @ 250µA180 nC @ 10 V±15V13100 pF @ 25 V-298W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220-3TO-220-3
TO-220-3
IXTP76P10T
MOSFET P-CH 100V 76A TO220AB
IXYS
7,818
现货
1 : ¥49.43000
管件
管件
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V76A(Tc)10V25 毫欧 @ 38A,10V4V @ 250µA197 nC @ 10 V±15V13700 pF @ 25 V-298W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--通孔TO-220-3TO-220-3
TO-263AB
IXTA44P15T-TRL
MOSFET P-CH 150V 44A TO263
IXYS
23,103
现货
1 : ¥50.89000
剪切带(CT)
800 : ¥32.09366
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)150 V44A(Tc)10V65 毫欧 @ 22A,10V4V @ 250µA175 nC @ 10 V±15V13400 pF @ 25 V-298W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA96P085T-TRL
MOSFET P-CH 85V 96A TO263
IXYS
5,345
现货
1 : ¥50.89000
剪切带(CT)
800 : ¥32.09366
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)85 V96A(Tc)10V13 毫欧 @ 48A,10V4V @ 250µA180 nC @ 10 V±15V13100 pF @ 25 V-298W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA76P10T
MOSFET P-CH 100V 76A TO263
IXYS
3,480
现货
1 : ¥50.89000
管件
管件
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V76A(Tc)10V25 毫欧 @ 38A,10V4V @ 250µA197 nC @ 10 V±15V13700 pF @ 25 V-298W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA76P10T-TRL
MOSFET P-CH 100V 76A TO263
IXYS
2,928
现货
1 : ¥50.89000
剪切带(CT)
800 : ¥32.09366
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V76A(Tc)10V25 毫欧 @ 38A,10V4V @ 250µA197 nC @ 10 V±15V13700 pF @ 25 V-298W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263(D2PAK)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA44P15T
MOSFET P-CH 150V 44A TO263
IXYS
2,637
现货
1 : ¥50.89000
管件
管件
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)150 V44A(Tc)10V65 毫欧 @ 22A,10V4V @ 250µA175 nC @ 10 V±15V13400 pF @ 25 V-298W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA96P085T
MOSFET P-CH 85V 96A TO263
IXYS
111
现货
1 : ¥50.89000
管件
管件
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)85 V96A(Tc)10V13 毫欧 @ 48A,10V4V @ 250µA180 nC @ 10 V±15V13100 pF @ 25 V-298W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA36P15P
MOSFET P-CH 150V 36A TO263
IXYS
2,030
现货
1 : ¥53.82000
管件
管件
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)150 V36A(Tc)10V110 毫欧 @ 18A,10V4.5V @ 250µA55 nC @ 10 V±20V3100 pF @ 25 V-300W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO263
IXYS
1,821
现货
1 : ¥53.82000
管件
管件
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)100 V52A(Tc)10V50毫欧 @ 52A,10V4.5V @ 250µA60 nC @ 10 V±20V2845 pF @ 25 V-300W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型TO-263AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
/ 2,504

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。