FET、MOSFET 阵列

结果 : 5,721
制造商
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCFairchild Semiconductor
系列
-*448AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™DeepGATE™, STripFET™ H6DeepGATE™, STripFET™ VI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
技术
-GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)碳化硅(SiC)
配置
2 N 和 2 P 沟道(全桥)2 N 和 2 P 沟道(双)配对2 N 沟道,共模(半桥)2 N 沟道,共漏2 N 沟道,共漏,共源2 N 沟道(双),P 沟道2 N 沟道(双)共源2 N 沟道(双)共漏2 N 沟道(双)配对2 N 沟道(双)非对称型2 N 沟道(双路降压斩波器)2 N 沟道(相角)
FET 功能
-碳化硅(SiC)耗尽模式逻辑电平栅极,0.9V 驱动逻辑电平栅极,1.2V 驱动逻辑电平栅极,1.5V 驱动逻辑电平栅极,1.8V 驱动逻辑电平栅极,10V 驱动逻辑电平栅极,2.5V 驱动逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平栅极,4V 驱动逻辑电平栅极,5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
5.5V8V10V10.6V12V12V,20V14V15V16V20V20V,12V20V,8V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12mA,3mA40mA40mA,16mA50mA(Ta)80mA100mA100mA,200mA100mA,5.5A100mA(Ta)115mA115mA,130mA115mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.46 毫欧 @ 160A,12V0.762 毫欧 @ 160A,12V0.765 毫欧 @ 160A,12V,0.580 毫欧 @ 160A,12V0.765 毫欧 @ 160A,12V,0.710 毫欧 @ 160A,12V0.8 毫欧 @ 1200A,10V0.88 毫欧 @ 160A,14V,0.71 毫欧 @ 160A,14V0.88 毫欧 @ 50A,10V0.95 毫欧 @ 30A,10V0.95 毫欧 @ 8A,4.5V0.99 毫欧 @ 80A,10V,1.35 毫欧 @ 80A,10V1.039 毫欧 @ 160A,12V,762 微欧 @ 160A,12V1.15 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
10mV @ 10µA10mV @ 1µA10mV @ 20µA20mV @ 10µA20mV @ 1µA20mV @ 20µA180mV @ 1µA200mV @ 2.8A,200mV @ 1.9A220mV @ 1µA360mV @ 1µA380mV @ 1µA400mV @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.4pC @ 4.5V,7.3nC @ 4.5V0.45pC @ 4.5V50pC @ 4.5V0.16nC @ 5V,0.044nC @ 5V0.22nC @ 5V,0.044nC @ 5V0.26nC @ 2.5V0.28nC @ 4.5V0.28nC @ 4.5V,0.3nC @ 4.5V0.3nC @ 4.5V0.3nC @ 4.5V,0.28nC @ 4.5V0.304nC @ 4.5V0.31nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2.5pF @ 5V3pF @ 5V5pF @ 3V6pF @ 3V6.2pF @ 10V6.6pF @ 10V7pF @ 10V7pF @ 3V7.1pF @ 10V7.4pF @ 10V7.5pF @ 10V8.5pF @ 3V
功率 - 最大值
490µW500µW(Ta)10mW20mW120mW125mW125mW(Ta)140mW150mW150mW(Ta)180mW200mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 125°C
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
安装类型
-底座安装表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
封装/外壳
4-SMD,无引线4-UFBGA,WLBGA4-UFBGA,WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN 裸露焊盘4-XBGA,4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA,DSBGA4-XFBGA,FCBGA4-XFBGA,WLBGA
供应商器件封装
4 片式 LGA(1.59x1.59)4-AlphaDFN(0.97x0.97)4-AlphaDFN(1.2x1.2)4-AlphaDFN(1.9x1.3)4-BGA(1x1)4-CSP(0.8x0.8)4-CSP(1.11x1.11)4-CSP(1.1x1.1)4-CSP(1.29x1.29)4-CSP(1.74x1.74)4-DFN(1.5x1.5)4-DFN(1.7x1.7)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5,721结果

显示
/ 5,721
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
344,956
现货
1 : ¥1.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.29284
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
300mA
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
40pF @ 10V
285mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
US6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
114,078
现货
1 : ¥1.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.45953
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
230mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
310mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
70,669
现货
1 : ¥1.79000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.45869
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极,1.5V 驱动
20V
800mA(Ta)
235 毫欧 @ 800mA,4.5V,390 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1nC @ 10V
55pF @ 10V,100pF @ 10V
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
ES6
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
1,978
现货
1 : ¥1.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.45169
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
320mA
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.4V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
50pF @ 10V
420mW
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
190,573
现货
1 : ¥1.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48895
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,1.5V 驱动
20V
250mA(Ta)
2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 1mA
-
12pF @ 10V
300mW
150°C
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
US6
6DFN
PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
37,345
现货
1 : ¥1.87000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.45901
卷带(TR)
1 : ¥2.20000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
600mA
620 毫欧 @ 600mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
21.3pF @ 10V
265mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
PG-SOT363-PO
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
4,848
现货
1 : ¥1.95000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52688
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
300mA
3 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6nC @ 10V
20pF @ 25V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
PG-SOT363-PO
140,641
现货
1 : ¥2.03000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.51485
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
100mA
4 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
-
8.5pF @ 3V
150mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
ES6
PMBT2222AYS-QX
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
318,362
现货
1 : ¥2.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.55672
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
320mA
1.6 欧姆 @ 300mA,10V
1.5V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
50pF @ 10V
420mW
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
48,979
现货
1,602,000
工厂
1 : ¥2.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.58090
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
1.07A,845mA
450 毫欧 @ 600mA,4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 10V
330mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
743,474
现货
1 : ¥2.36000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50693
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,1.2V 驱动
50V
200mA
2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
1V @ 1mA
-
25pF @ 10V
120mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
335,882
现货
1 : ¥2.36000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.64520
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,0.9V 驱动
50V
200mA
2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
800mV @ 1mA
-
26pF @ 10V
120mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
UMT6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
164,295
现货
1 : ¥2.36000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.56943
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,0.9V 驱动
50V
200mA
2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
800mV @ 1mA
-
26pF @ 10V
120mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
EMT6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
99,345
现货
3,012,000
工厂
1 : ¥2.36000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.63253
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极,4.5V 驱动
30V
3.4A,2.8A
60 毫欧 @ 3.1A,10V
2.3V @ 250µA
13nC @ 10V
400pF @ 15V
840mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
6,168
现货
2,514,000
工厂
1 : ¥2.36000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.64031
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
3.8A,2.5A
55 毫欧 @ 3.4A,10V
1.5V @ 250µA
12.3nC @ 10V
422pF @ 15V
850mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
PG-SOT363-PO
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
130,063
现货
1 : ¥2.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.69981
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
880mA
400 毫欧 @ 880mA,2.5V
750mV @ 1.6µA
0.26nC @ 2.5V
78pF @ 10V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
68,880
现货
1 : ¥2.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70790
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
860mA
350 毫欧 @ 200mA,4.5V
1.5V @ 250µA
0.72nC @ 4.5V
34pF @ 20V
410mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
PEMD4-QX
2N7002BKV,115
MOSFET 2N-CH 60V 340MA SOT666
Nexperia USA Inc.
35,658
现货
1 : ¥2.60000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.68629
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
340mA
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
50pF @ 10V
350mW
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-666
SOT-563-6_463A
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
onsemi
455,532
现货
1 : ¥2.69000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.70705
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
20V
540mA
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
1V @ 250µA
2.5nC @ 4.5V
150pF @ 16V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
SOT 363
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
94,203
现货
1 : ¥2.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.73897
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
115mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
200mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
SOT-363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
28,803
现货
1 : ¥2.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.73720
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
630mA
375 毫欧 @ 630mA,4.5V
1.5V @ 250µA
3nC @ 4.5V
46pF @ 20V
270mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
12,395
现货
1 : ¥2.69000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.69850
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极,1.5V 驱动
20V
800mA(Ta),720mA(Ta)
240 毫欧 @ 500mA,4.5V,300 毫欧 @ 400mA,4.5V
1V @ 1mA
2nC @ 4.5V,1.76nC @ 4.5V
90pF @ 10V,110pF @ 10V
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
ES6
37,586
现货
1 : ¥2.77000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.74654
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
400mA,200mA
700毫欧 @ 200MA,10V
1.8V @ 100µA
-
20pF @ 5V
300mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
US6
PG-SOT363-PO
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
35,474
现货
1 : ¥2.77000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.75625
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
950mA
350 毫欧 @ 950mA,4.5V
1.2V @ 1.6µA
0.32nC @ 4.5V
63pF @ 10V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT666
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Nexperia USA Inc.
76,474
现货
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.75568
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
800mA
380 毫欧 @ 500mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.68nC @ 4.5V
83pF @ 10V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-666
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。