单 FET，MOSFET

结果 : 36,278
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedEPCGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorHoneywell AerospaceIDT, Integrated Device Technology Inc
系列
-*18N20AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, NexFET™Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）带带盒（TB）托盘散装盒管件袋
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）SiCFET（共源共栅 SiCJFET）SiCFET（碳化硅）SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V18 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150µA（Ta）5mA（Ta）10mA（Ta）13mA（Tj）21mA（Ta）30mA（Ta）30mA（Tc）30mA（Tj）34mA（Ta）35mA（Ta）40mA（Ta）45mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V0V，10V0.35V0.9V，2.5V0.9V，4.5V1.2V，10V1.2V，2.5V1.2V，3V1.2V，4.5V1.2V，4V1.2V，5V1.3V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.4 毫欧 @ 150A，10V0.4 毫欧 @ 30A，10V0.4 毫欧 @ 50A，10V0.42 毫欧 @ 50A，10V0.45 毫欧 @ 30A，10V0.45 毫欧 @ 50A，10V0.45 毫欧 @ 60A，4.5V0.47 毫欧 @ 20A，10V0.48 毫欧 @ 50A，10V0.52 毫欧 @ 20A，10V0.52 毫欧 @ 30A，10V0.52 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
400mV @ 1mA（最小）400mV @ 250µA（最小）450mV @ 100µA（最小）450mV @ 1mA（最小）450mV @ 250µA（最小）450mV @ 2mA（最小）0.5V @ 250µA500mV @ 250µA（最小）570mV @ 1mA（典型值）600mV @ 1.2mA（最小）600mV @ 1mA（典型值）600mV @ 1mA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
-20V-15V-12V-10V-8V-8V， 0V-6.5V-6V-5V+0.6V，-12V+2V，-15V+3V，-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1.678 pF @ 15 V1.925 pF @ 30 V2.242 pF @ 15 V2.28 pF @ 25 V2.76 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V
FET 功能
-标准温度检测二极管电流检测耗尽模式肖特基二极管（体）肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）
950µW（Ta）1.9mW（Ta）20mW100mW100mW（Ta）120mW（Ta）121mW（Ta）125mW（Ta）125mW（Ta），3W（Tc）150mW150mW（Ta）150mW（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-65°C ~ 175°C（TJ）-60°C ~ 175°C（TJ）-55°C ~ 110°C（TA）-55°C ~ 125°C-55°C ~ 125°C（TA）-55°C ~ 125°C（TJ）-55°C ~ 135°C（TJ）-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 155°C（TJ）
安装类型
-底座安装表面贴装型表面贴装，可润湿侧翼通孔
供应商器件封装
2-HWSON（5x4）2-PQFN（8x8）3-CP3-CPH3-DFN（0.6x1）3-DFN（1.0 x 0.60）3-DFN（1x0.6）3-LGA（0.73x0.64）3-LGA（4.1x8）3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
封装/外壳
2-DFN 裸露焊盘2-PowerTSFN3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD，引线3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD，SOT-23-3 变式3-SMD，扁平引线3-SMD，扁平引线3-SMD，无引线
库存选项
环境选项
媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
1,018,532
现货
1 : ¥10.18000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.32374
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）100 V1.7A（Ta）5V550 毫欧 @ 100mA，5V2.5V @ 80µA0.12 nC @ 5 V+6V，-4V14 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
27,684
现货
1 : ¥10.18000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.32374
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）100 V1.7A（Ta）5V65 毫欧 @ 1A，5V2.5V @ 600µA0.91 nC @ 5 V+6V，-4V90 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
266,198
现货
1 : ¥10.18000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.32374
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）100 V500mA（Ta）5V3.3 欧姆 @ 50mA，5V2.5V @ 20µA0.044 nC @ 5 V+6V，-4V8.4 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
176,712
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.74690
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）100 V8.2A（Ta）5V13.5 毫欧 @ 11A，5V2.5V @ 3mA4.5 nC @ 5 V+6V，-4V575 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
EPC
51,671
现货
1 : ¥14.07000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.07511
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）200 V3A（Ta）5V43 毫欧 @ 1A，5V2.5V @ 1mA4.3 nC @ 5 V+6V，-4V573 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
19,999
现货
1 : ¥17.01000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.77524
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）100 V4A（Ta）5V160 毫欧 @ 500mA，5V2.5V @ 250µA0.48 nC @ 5 V+6V，-4V55 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
44,407
现货
1 : ¥17.01000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.77524
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）100 V6A（Ta）5V30 毫欧 @ 6A，5V2.5V @ 1.2mA2.2 nC @ 5 V+6V，-4V220 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
21,153
现货
1 : ¥19.95000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.12745
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）100 V29A（Ta）5V6 毫欧 @ 16A，5V2.5V @ 4mA7.4 nC @ 5 V+6V，-4V851 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
32,241
现货
1 : ¥20.19000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.24014
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）40 V29A（Ta）5V3.6mOhm @ 15A，5V2.5V @ 7mA8.5 nC @ 5 V+6V，-4V1111 pF @ 20 V标准--40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
26,775
现货
1 : ¥21.94000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.02893
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）200 V5A（Ta）5V100 毫欧 @ 3A，5V2.5V @ 1mA1.3 nC @ 5 V+6V，-4V140 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
EPC2202
EPC2202
GANFET N-CH 80V 18A DIE
EPC
65,506
现货
1 : ¥23.13000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.59232
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）80 V18A（Ta）5V17 毫欧 @ 11A，5V2.5V @ 3mA4 nC @ 5 V+5.75V，-4V415 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
161,326
现货
1 : ¥23.61000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.81771
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）100 V18A（Ta）5V13.5 毫欧 @ 11A，5V2.5V @ 3mA4 nC @ 5 V+6V，-4V407 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
eGaN Series
EPC8002
GANFET N-CH 65V 2A DIE
EPC
53,802
现货
1 : ¥24.80000
剪切带（CT）
2,500 : ¥12.43369
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）65 V2A（Ta）5V530 毫欧 @ 500mA，5V2.5V @ 250µA-+6V，-4V21 pF @ 32.5 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
EPC2059
EPC2059
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
EPC
32,393
现货
1 : ¥27.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥13.76587
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售----------------
EPC2065
EPC2065
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
EPC
8,090
现货
1 : ¥26.55000
剪切带（CT）
1,000 : ¥14.02296
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）80 V60A（Ta）5V3.6 毫欧 @ 25A，5V2.5V @ 7mA12.2 nC @ 5 V+6V，-4V1449 pF @ 40 V标准--40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC
111,560
现货
1 : ¥29.17000
剪切带（CT）
1,000 : ¥15.42525
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）200 V8.5A（Ta）5V42 毫欧 @ 7A，5V2.5V @ 1.5mA2.9 nC @ 5 V+6V，-4V288 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
EPC
18,556
现货
1 : ¥36.73000
剪切带（CT）
2,500 : ¥18.42852
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）40 V53A（Ta）5V4 毫欧 @ 33A，5V2.5V @ 9mA8.7 nC @ 5 V+6V，-4V1180 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
EPC
117,002
现货
1 : ¥37.36000
剪切带（CT）
2,500 : ¥18.76154
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）100 V36A（Ta）5V7 毫欧 @ 25A，5V2.5V @ 5mA9 nC @ 5 V+6V，-4V900 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
EPC2053
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
EPC
73
现货
1 : ¥37.84000
剪切带（CT）
2,500 : ¥18.98359
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）100 V48A（Ta）5V3.8 毫欧 @ 25A，5V2.5V @ 9mA14.8 nC @ 5 V+6V，-4V1895 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
EPC
69,507
现货
1 : ¥38.95000
剪切带（CT）
1,000 : ¥20.56701
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）100 V60A（Ta）5V3.2 毫欧 @ 25A，5V2.5V @ 7mA16.3 nC @ 5 V+6V，-4V2703 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
EPC
25,430
现货
1 : ¥48.89000
剪切带（CT）
2,500 : ¥24.53432
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）200 V32A（Ta）5V8 毫欧 @ 20A，5V2.5V @ 6mA17.7 nC @ 5 V+6V，-4V1790 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
EPC
10,265
现货
1 : ¥54.85000
剪切带（CT）
2,500 : ¥27.53174
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）200 V22A（Ta）5V25 毫欧 @ 12A，5V2.5V @ 3mA5.3 nC @ 5 V+6V，-4V540 pF @ 100 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
EPC2066
EPC2066
TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
EPC
10,909
现货
1 : ¥49.68000
剪切带（CT）
1,000 : ¥28.17112
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）40 V90A（Ta）5V1.1 毫欧 @ 50A，5V2.5V @ 28mA33 nC @ 5 V+6V，-4V4523 pF @ 20 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
EPC
90,955
现货
1 : ¥48.65000
剪切带（CT）
500 : ¥30.48324
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）80 V90A（Ta）5V2.2 毫欧 @ 29A，5V2.5V @ 13mA19 nC @ 5 V+6V，-4V1940 pF @ 40 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
EPC2071
EPC2071
TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
EPC
4,487
现货
1 : ¥54.85000
剪切带（CT）
1,000 : ¥28.98078
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道GaNFET（氮化镓）100 V64A（Ta）5V2.2 毫欧 @ 30A，5V2.5V @ 13mA26 nC @ 5 V+6V，-4V3931 pF @ 50 V---40°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型模具模具
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。