FET、MOSFET 阵列

结果 : 5,731
制造商
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedBruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCFairchild SemiconductorFlip Electronics
系列
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
技术
-GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)碳化硅(SiC)
配置
2 N 和 2 P 沟道(全桥)2 N 和 2 P 沟道(双)配对2 N 沟道,共模(半桥)2 N 沟道,共漏2 N 沟道,共漏,共源2 N 沟道(双),P 沟道2 N 沟道(双)共源2 N 沟道(双)共漏2 N 沟道(双)配对2 N 沟道(双)非对称型2 N 沟道(双路降压斩波器)2 N 沟道(相角)
FET 功能
-碳化硅(SiC)耗尽模式逻辑电平栅极,0.9V 驱动逻辑电平栅极,1.2V 驱动逻辑电平栅极,1.5V 驱动逻辑电平栅极,1.8V 驱动逻辑电平栅极,10V 驱动逻辑电平栅极,2.5V 驱动逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平栅极,4V 驱动逻辑电平栅极,5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
5.5V8V10V10.6V12V12V,20V14V15V16V20V20V,12V20V,8V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12mA,3mA40mA40mA,16mA50mA(Ta)80mA100mA100mA,200mA100mA,5.5A100mA(Ta)115mA115mA,130mA115mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.46 毫欧 @ 160A,12V0.762 毫欧 @ 160A,12V0.765 毫欧 @ 160A,12V,0.580 毫欧 @ 160A,12V0.765 毫欧 @ 160A,12V,0.710 毫欧 @ 160A,12V0.8 毫欧 @ 1200A,10V0.88 毫欧 @ 160A,14V,0.71 毫欧 @ 160A,14V0.88 毫欧 @ 50A,10V0.95 毫欧 @ 30A,10V0.95 毫欧 @ 8A,4.5V0.99 毫欧 @ 80A,10V,1.35 毫欧 @ 80A,10V1.039 毫欧 @ 160A,12V,762 微欧 @ 160A,12V1.15 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
10mV @ 10µA10mV @ 1µA10mV @ 20µA20mV @ 10µA20mV @ 1µA20mV @ 20µA180mV @ 1µA200mV @ 2.8A,200mV @ 1.9A220mV @ 1µA360mV @ 1µA380mV @ 1µA400mV @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.4pC @ 4.5V,7.3nC @ 4.5V0.45pC @ 4.5V50pC @ 4.5V0.16nC @ 5V,0.044nC @ 5V0.22nC @ 5V,0.044nC @ 5V0.26nC @ 2.5V0.28nC @ 4.5V0.28nC @ 4.5V,0.3nC @ 4.5V0.3nC @ 4.5V0.3nC @ 4.5V,0.28nC @ 4.5V0.304nC @ 4.5V0.31nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2.5pF @ 5V3pF @ 5V5pF @ 3V6pF @ 3V6.2pF @ 10V6.6pF @ 10V7pF @ 10V7pF @ 3V7.1pF @ 10V7.4pF @ 10V7.5pF @ 10V8.5pF @ 3V
功率 - 最大值
490µW500µW(Ta)10mW20mW120mW125mW125mW(Ta)140mW150mW150mW(Ta)180mW200mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 125°C
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
安装类型
-底座安装表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
封装/外壳
4-SMD,无引线4-UFBGA,WLBGA4-UFBGA,WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN 裸露焊盘4-XBGA,4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA,DSBGA4-XFBGA,FCBGA4-XFBGA,WLBGA
供应商器件封装
4 片式 LGA(1.59x1.59)4-AlphaDFN(0.97x0.97)4-AlphaDFN(1.2x1.2)4-AlphaDFN(1.9x1.3)4-BGA(1x1)4-CSP(0.8x0.8)4-CSP(1.11x1.11)4-CSP(1.1x1.1)4-CSP(1.29x1.29)4-CSP(1.74x1.74)4-DFN(1.5x1.5)4-DFN(1.7x1.7)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5,731结果

显示
/ 5,731
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
295,496
现货
1 : ¥1.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.33377
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
300mA
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
40pF @ 10V
285mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
US6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
99,025
现货
1 : ¥1.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.45956
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
230mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
310mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
PMBT2222AYS-QX
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
215,732
现货
1 : ¥2.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.56430
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
300mA(Ta)
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
50pF @ 10V
295mW
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
6-XFDFN
PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
83,605
现货
1 : ¥2.60000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.51190
卷带(TR)
1 : ¥2.20000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
600mA
620 毫欧 @ 600mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
21.3pF @ 10V
265mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
39,631
现货
1,521,000
工厂
1 : ¥2.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.58093
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
1.07A,845mA
450 毫欧 @ 600mA,4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 10V
330mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
96,863
现货
2,880,000
工厂
1 : ¥2.36000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.63257
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极,4.5V 驱动
30V
3.4A,2.8A
60 毫欧 @ 3.1A,10V
2.3V @ 250µA
13nC @ 10V
400pF @ 15V
840mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
24,254
现货
3,078,000
工厂
1 : ¥2.36000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.64035
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
3.8A,2.5A
55 毫欧 @ 3.4A,10V
1.5V @ 250µA
12.3nC @ 10V
422pF @ 15V
850mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
PMBT2222AYS-QX
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
18,974
现货
1 : ¥2.44000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51087
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
320mA
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.4V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
50pF @ 10V
420mW
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
50,144
现货
1 : ¥2.52000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.51340
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极,1.5V 驱动
20V
800mA(Ta)
235 毫欧 @ 800mA,4.5V,390 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1nC @ 10V
55pF @ 10V,100pF @ 10V
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
ES6
172,473
现货
1 : ¥2.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54937
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,1.5V 驱动
20V
250mA(Ta)
2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 1mA
-
12pF @ 10V
300mW
150°C
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
US6
PMBT2222AYS-QX
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
68,280
现货
1 : ¥2.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70794
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
860mA
350 毫欧 @ 200mA,4.5V
1.5V @ 250µA
0.72nC @ 4.5V
34pF @ 20V
410mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT-563
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
437,910
现货
1 : ¥2.69000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.70709
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
20V
540mA
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
1V @ 250µA
2.5nC @ 4.5V
150pF @ 16V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
SOT 363
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
87,231
现货
1 : ¥2.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.73901
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
115mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
200mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
SOT-363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
26,356
现货
1 : ¥2.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.73725
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
630mA
375 毫欧 @ 630mA,4.5V
1.5V @ 250µA
3nC @ 4.5V
46pF @ 20V
270mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
PG-SOT363-PO
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
35,991
现货
1 : ¥2.77000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59130
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
300mA
3 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6nC @ 10V
20pF @ 25V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
PG-SOT363-PO
139,571
现货
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.57459
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
100mA
4 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
-
8.5pF @ 3V
150mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
ES6
PEMD4-QX
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Nexperia USA Inc.
75,074
现货
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.75573
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
800mA
380 毫欧 @ 500mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.68nC @ 4.5V
83pF @ 10V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-666
SOT-563
NTZD3152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
onsemi
58,852
现货
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.74722
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
20V
430mA
900 毫欧 @ 430mA,4.5V
1V @ 250µA
2.5nC @ 4.5V
175pF @ 16V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥3.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81404
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
250mA
1.5 欧姆 @ 10mA,4V
1.5V @ 100µA
1.3nC @ 5V
33pF @ 5V
272mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
TSOT-26
DMC3071LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26
Diodes Incorporated
18,485
现货
1 : ¥3.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83645
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
-
30V
4.6A(Ta),3.3A(Ta)
50 毫欧 @ 3.5A,10V,95 毫欧 @ 3.8A,10V
2.5V @ 250µA
4.5nC @ 10V,6.5nC @ 10V
190pF @ 15V,254pF @ 15V
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
409,899
现货
2,256,000
工厂
1 : ¥3.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.71513
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
60V
500mA,360mA
1.7 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.3nC @ 4.5V
30pF @ 25V,25pF @ 25V
450mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
SOT-563
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
60,093
现货
1 : ¥3.17000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.84653
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
540mA,430mA
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
1V @ 250µA
2.5nC @ 4.5V
150pF @ 16V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
735,098
现货
1 : ¥3.26000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.56625
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,1.2V 驱动
50V
200mA
2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
1V @ 1mA
-
25pF @ 10V
120mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
UMT6
6-XFDFN
PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Nexperia USA Inc.
23,286
现货
1 : ¥3.26000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.83942
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
590mA
670 毫欧 @ 590mA,4.5V
950mV @ 250µA
1.05nC @ 4.5V
30.3pF @ 15V
285mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
166,227
现货
1 : ¥3.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72034
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,0.9V 驱动
50V
200mA
2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
800mV @ 1mA
-
26pF @ 10V
120mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
UMT6
显示
/ 5,731

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。