栅极驱动器

结果 : 12
电压 - 供电
9V ~ 35V12.5V ~ 35V
输入类型
反相非反相
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
TO-220-5TO-263-6,D2PAK(5 引线 + 凸片),TO-263BA
供应商器件封装
TO-220-5TO-263-5
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媒体
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12结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
驱动配置
通道类型
驱动器数
栅极类型
电压 - 供电
逻辑电压 - VIL,VIH
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
输入类型
上升/下降时间(典型值)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
IXDD630YI
IXDD630YI
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5
IXYS Integrated Circuits Division
11,223
现货
1 : ¥77.80000
管件
-
管件
在售未验证低端单路1IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET12.5V ~ 35V0.8V,3.5V30A,30A非反相11ns,11ns-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-263-6,D2PAK(5 引线 + 凸片),TO-263BATO-263-5
IXDD630MYI
IXDD630MYI
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5
IXYS Integrated Circuits Division
6,926
现货
1 : ¥77.80000
管件
-
管件
在售未验证低端单路1IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET9V ~ 35V0.8V,3.5V30A,30A非反相11ns,11ns-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-263-6,D2PAK(5 引线 + 凸片),TO-263BATO-263-5
IXDN630YI
IXDN630YI
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5
IXYS Integrated Circuits Division
1,266
现货
1 : ¥77.80000
管件
-
管件
在售未验证低端单路1IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET12.5V ~ 35V0.8V,3.5V30A,30A非反相11ns,11ns-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-263-6,D2PAK(5 引线 + 凸片),TO-263BATO-263-5
IXDN630CI
IXDN630CI
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
IXYS Integrated Circuits Division
3,316
现货
300
工厂
1 : ¥77.80000
管件
-
管件
在售未验证低端单路1IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET12.5V ~ 35V0.8V,3.5V30A,30A非反相11ns,11ns-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220-5TO-220-5
TO-263-5L
IXDN630MYI
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5
IXYS Integrated Circuits Division
245
现货
1 : ¥77.80000
管件
-
管件
在售未验证低端单路1IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET9V ~ 35V0.8V,3.5V30A,30A非反相11ns,11ns-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-263-6,D2PAK(5 引线 + 凸片),TO-263BATO-263-5
IXDD609CI
IXDD630CI
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
IXYS Integrated Circuits Division
1,416
现货
1 : ¥77.80000
管件
-
管件
在售未验证低端单路1IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET12.5V ~ 35V0.8V,3.5V30A,30A非反相11ns,11ns-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220-5TO-220-5
TO-263-5L
IXDI630YI
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5
IXYS Integrated Circuits Division
1,009
现货
1 : ¥77.80000
管件
-
管件
在售未验证低端单路1IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET12.5V ~ 35V0.8V,3.5V30A,30A反相11ns,11ns-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-263-6,D2PAK(5 引线 + 凸片),TO-263BATO-263-5
IXDD609CI
IXDD630MCI
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
IXYS Integrated Circuits Division
442
现货
1 : ¥77.80000
管件
-
管件
在售未验证低端单路1IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET9V ~ 35V0.8V,3.5V30A,30A非反相11ns,11ns-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220-5TO-220-5
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
IXDI630CI
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
IXYS Integrated Circuits Division
252
现货
250
工厂
1 : ¥77.80000
管件
-
管件
在售未验证低端单路1IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET12.5V ~ 35V0.8V,3.5V30A,30A反相11ns,11ns-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220-5TO-220-5
TO-220-5
IXDN630MCI
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
IXYS Integrated Circuits Division
366
现货
300
工厂
1 : ¥77.80000
管件
-
管件
在售未验证低端单路1IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET9V ~ 35V0.8V,3.5V30A,30A非反相11ns,11ns-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220-5TO-220-5
IXDI630MCI
IXDI630MCI
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
IXYS Integrated Circuits Division
233
现货
350
工厂
1 : ¥77.80000
管件
-
管件
在售未验证低端单路1IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET9V ~ 35V0.8V,3.5V30A,30A反相11ns,11ns-55°C ~ 150°C(TJ)通孔TO-220-5TO-220-5
TO-263-5L
IXDI630MYI
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263-5
IXYS Integrated Circuits Division
0
现货
1,150
工厂
查看交期
250 : ¥55.56360
管件
-
管件
在售未验证低端单路1IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET9V ~ 35V0.8V,3.5V30A,30A反相11ns,11ns-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型TO-263-6,D2PAK(5 引线 + 凸片),TO-263BATO-263-5
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栅极驱动器


栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。