FET、MOSFET 阵列

结果 : 307
系列
-CoolMOS™POWER MOS 7®POWER MOS 8™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
停产在售
技术
-MOSFET(金属氧化物)碳化硅(SiC)
配置
2 N 沟道(双路降压斩波器)2 N 沟道(双)共源2 N 沟道(双)非对称型2 N 沟道(相角)2 N-沟道(级联)2 N-通道(双)2 个 N 沟道2 个 N 通道和 2 个 P 通道2 个 N 通道(半桥)2 个 P 沟道(双)3 N 沟道(相角 + 升压斩波电路)4 N 沟道(全桥)
FET 功能
-耗尽模式逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
75V100V150V200V240V250V300V500V600V700V800V900V1000V(1kV)1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.1A2A(Ta)8A15A18A19A19A(Tc)20A22A25A26A26A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.1 毫欧 @ 360A,20V2.5 毫欧 @ 200A,10V2.6 毫欧 @ 480A,20V2.85 毫欧 @ 600A,20V3.1 毫欧 @ 400A,20V3.2 毫欧 @ 240A,20V3.4 毫欧 @ 500A,20V3.5 毫欧 @ 360A,20V3.75 毫欧 @ 360A, 20V3.8 毫欧 @ 200A,20V4.5 毫欧 @ 60A,10V4.8 毫欧 @ 160A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 10µA2V @ 1mA2V @ 1mA,2.4V @ 1mA2.2V @ 10mA(典型值)2.2V @ 1mA2.2V @ 2mA(典型值)2.2V @ 3mA(典型值)2.2V @ 4mA(典型值)2.2V @ 5mA(典型值)2.3V @ 2.5mA(典型值)2.3V @ 2mA(典型值)2.3V @ 5mA(典型值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.04nC @ 1.5V49nC @ 20V56nC @ 20V,99nC @ 20V62nC @ 20V64nC @ 20V,137nC @ 20V72nC @ 10V90nC @ 10V91nC @ 10V96nC @ 10V98nC @ 20V99nC @ 20V99nC @ 20V,215nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
10.8pF @ 25V12.08pF @ 1000V18.1pF @ 1000V50pF @ 25V52pF @ 25V,54pF @ 25V55pF @ 25V,70pF @ 25V56pF @ 25V,75pF @ 25V110pF @ 25V,125pF @ 25V110pF @ 25V,200pF @ 25V120pF @ 25V125pF @ 25V700pF @ 25V
功率 - 最大值
350mW90W(Tc),141W(Tc)116W(Tc),196W(Tc)125W138W141W(Tc),292W(Tc)156W176W(Tc)196W(Tc),315W(Tc)208W245W(Tc)250W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 125°C(Tc)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)-25°C ~ 125°C(TJ)-
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
封装/外壳
6-VFLGA8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-VDFN 裸露焊盘12-VFDFN 裸露焊盘56-VFQFN 裸露焊盘D-3 模块SC-74A,SOT-753SP1SP3SP4SP6模块
供应商器件封装
6-LFGA(3x3)8-DFN(4x4)8-DFN(5x5)8-SOIC8-VDFN(6x5)12-DFN(4x4)56-QFN(8x8)-D3LP8SOT-23-5SP1
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
307结果
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/ 307
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-VDFN-EP(bottom)
TC6320K6-G
MOSFET N/P-CH 200V 8DFN
Microchip Technology
5,248
现货
1 : ¥14.06000
剪切带(CT)
3,300 : ¥10.73088
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道-200V-7 欧姆 @ 1A,10V2V @ 1mA-110pF @ 25V,125pF @ 25V--55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-VDFN 裸露焊盘8-DFN(4x4)
8-SOIC
TC2320TG-G
MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Microchip Technology
2,514
现货
1 : ¥15.69000
剪切带(CT)
3,300 : ¥11.95032
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道-200V-7 欧姆 @ 1A,10V2V @ 1mA-110pF @ 25V,125pF @ 25V--55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
12-DFN
TC8220K6-G
MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN
Microchip Technology
4,907
现货
1 : ¥20.97000
剪切带(CT)
3,300 : ¥15.77115
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 通道和 2 个 P 通道-200V-6 欧姆 @ 1A,10V2.4V @ 1mA-56pF @ 25V,75pF @ 25V--55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型12-VFDFN 裸露焊盘12-DFN(4x4)
8-SOIC
TC6320TG-G
MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
Microchip Technology
11,109
现货
1 : ¥14.71000
剪切带(CT)
3,300 : ¥11.05604
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道-200V-7 欧姆 @ 1A,10V2V @ 1mA-110pF @ 25V,125pF @ 25V--55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
8-SOIC
TC6215TG-G
MOSFET N/P-CH 150V 8SOIC
Microchip Technology
2,786
现货
1 : ¥15.04000
剪切带(CT)
3,300 : ¥11.29992
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道-150V-4 欧姆 @ 2A,10V2V @ 1mA-120pF @ 25V--55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
12-DFN
TC7920K6-G
MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN
Microchip Technology
3,300
现货
1 : ¥20.00000
剪切带(CT)
3,300 : ¥15.28338
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 通道和 2 个 P 通道-200V-10 欧姆 @ 1A,10V2.4V @ 1mA-52pF @ 25V,54pF @ 25V--55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型12-VFDFN 裸露焊盘12-DFN(4x4)
8-SOIC
TC1550TG-G
MOSFET N/P-CH 500V 8SOIC
Microchip Technology
7,301
现货
1 : ¥61.95000
剪切带(CT)
3,300 : ¥46.98830
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道-500V-60 欧姆 @ 50mA,10V4V @ 1mA-55pF @ 25V,70pF @ 25V--55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
8-SOIC
TD9944TG-G
MOSFET 2N-CH 240V 8SOIC
Microchip Technology
16,236
现货
1 : ¥15.36000
剪切带(CT)
3,300 : ¥11.62515
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-240V-6 欧姆 @ 500mA,10V2V @ 1mA-125pF @ 25V--55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
8-VDFN-EP(bottom)
DN2625DK6-G
MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8DFN
Microchip Technology
670
现货
1 : ¥27.23000
托盘
-
托盘
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)耗尽模式250V1.1A3.5 欧姆 @ 1A,0V-7.04nC @ 1.5V1000pF @ 25V--55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-VDFN 裸露焊盘8-DFN(5x5)
56-VFQFN
TC8020K6-G
MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
Microchip Technology
500
现货
1 : ¥89.26000
托盘
-
托盘
在售MOSFET(金属氧化物)6 N 和 6 P 沟道-200V-8 欧姆 @ 1A,10V2.4V @ 1mA-50pF @ 25V--55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型56-VFQFN 裸露焊盘56-QFN(8x8)
20
现货
1 : ¥2,129.18000
散装
-
散装
在售碳化硅(SiC)2 N 沟道(相角)-1700V(1.7kV)124A(Tc)22.5 毫欧 @ 60A,20V3.2V @ 5mA356nC @ 20V6600pF @ 1000V602W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)底座安装模块-
7
现货
1 : ¥1,149.34000
散装
-
散装
在售碳化硅(SiC)4 个 N 通道(三级反相器)-700V58A(Tc)44 毫欧 @ 30A,20V2.7V @ 2mA99nC @ 20V2010pF @ 700V176W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)底座安装模块SP3F
SIC 2N-CH 700V 241A SP3F
MSCSM70DUM10T3AG
SIC 2N-CH 700V 241A SP3F
Microchip Technology
10
现货
1 : ¥1,677.26000
散装
-
散装
在售碳化硅(SiC)2 N 沟道(双)共源-700V241A(Tc)9.5 毫欧 @ 80A,20V2.4V @ 8mA430nC @ 20V9000pF @ 700V690W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)底座安装模块SP3F
MSCSM170DUM15T3AG
MSCSM170DUM15T3AG
SIC 2N-CH 1700V 181A SP3F
Microchip Technology
5
现货
1 : ¥2,100.56000
散装
-
散装
在售碳化硅(SiC)2 N 沟道(双)共源-1700V(1.7kV)181A(Tc)15 毫欧 @ 90A,20V3.2V @ 7.5mA534nC @ 20V9900pF @ 1000V862W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)底座安装模块SP3F
3
现货
1 : ¥2,197.95000
管件
-
管件
在售碳化硅(SiC)4 个 N 通道-1200V(1.2kV)89A(Tc)31 毫欧 @ 40A,20V2.8V @ 1mA232nC @ 20V3020pF @ 1000V395W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)底座安装模块SP3F
SIC 2N-CH 700V 353A SP3F
MSCSM70DUM07T3AG
SIC 2N-CH 700V 353A SP3F
Microchip Technology
4
现货
1 : ¥2,303.72000
散装
-
散装
在售碳化硅(SiC)2 N 沟道(双)共源-700V353A(Tc)6.4 毫欧 @ 120A,20V2.4V @ 12mA645nC @ 20V13500pF @ 700V988W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)底座安装模块SP3F
SIC 2N-CH 1200V 254A SP3F
MSCSM120DUM11T3AG
SIC 2N-CH 1200V 254A SP3F
Microchip Technology
3
现货
1 : ¥2,525.49000
散装
-
散装
在售碳化硅(SiC)2 N 沟道(双)共源-1200V(1.2kV)254A(Tc)10.4 毫欧 @ 120A,20V2.8V @ 3mA696nC @ 20V9060pF @ 1000V1067W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)底座安装模块SP3F
APTM20AM04FG
APTM20AM04FG
MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
Microchip Technology
13
现货
1 : ¥2,901.55000
散装
-
散装
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 通道(半桥)-200V372A5 毫欧 @ 186A,10V5V @ 10mA560nC @ 10V28900pF @ 25V1250W-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装SP6SP6
MSCSM70HM19CT3AG
MSCSM70AM07CT3AG
SIC 2N-CH 700V 353A SP3F
Microchip Technology
3
现货
1 : ¥2,946.75000
管件
-
管件
在售碳化硅(SiC)2 N 沟道(相角)-700V353A(Tc)6.4 毫欧 @ 120A,20V2.4V @ 12mA645nC @ 20V13500pF @ 700V988W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)底座安装模块SP3F
2
现货
1 : ¥4,662.39000
散装
-
散装
在售碳化硅(SiC)2 N 沟道(双)共源-1700V(1.7kV)353A(Tc)7.5 毫欧 @ 180A,20V3.3V @ 15mA1068nC @ 20V19800pF @ 1000V1642W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)底座安装模块-
5
现货
1 : ¥5,068.37000
散装
-
散装
在售碳化硅(SiC)2 N 沟道(双)共源-700V689A(Tc)3.2 毫欧 @ 240A,20V2.4V @ 24mA1290nC @ 20V27000pF @ 700V1882W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)底座安装模块-
3
现货
1 : ¥6,305.42000
散装
-
散装
在售碳化硅(SiC)2 N 沟道(双)共源-1700V(1.7kV)523A(Tc)5 毫欧 @ 270A,20V3.3V @ 22.5mA1602nC @ 20V29700pF @ 1000V2400W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)底座安装模块-
CAG Module
MSCSM70TLM05CAG
SIC 4N-CH 700V 464A SP6C
Microchip Technology
5
现货
1 : ¥7,657.91000
散装
-
散装
在售碳化硅(SiC)4 个 N 通道(三级反相器)-700V464A(Tc)4.8 毫欧 @ 160A,20V2.4V @ 16mA860nC @ 20V18000pF @ 700V1277W(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)底座安装模块SP6C
MSCSM120AM03CT6LIAG-VIEW-A
MSCSM120AM03CT6LIAG
SIC 2N-CH 1200V 805A SP6C LI
Microchip Technology
2
现货
1 : ¥10,805.55000
管件
-
管件
在售碳化硅(SiC)2 N 沟道(相角)-1200V(1.2kV)805A(Tc)3.1 毫欧 @ 400A,20V2.8V @ 10mA2320nC @ 20V30200pF @ 1kV3.215kW(Tc)-40°C ~ 175°C(TJ)底座安装模块SP6C LI
CoolMOS SERIES SP3
APTC60DSKM24T3G
MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3
Microchip Technology
7
现货
1 : ¥1,107.15000
托盘
托盘
在售MOSFET(金属氧化物)2 N 沟道(双路降压斩波器)-600V95A24 毫欧 @ 47.5A,10V3.9V @ 5mA300nC @ 10V14400pF @ 25V462W-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装SP3SP3
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。