FET、MOSFET 阵列

结果 : 65
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
配置
2 N 沟道(双)共源2 N 沟道(双)共漏2 N 沟道(双)非对称型2 N-通道(双)2 P 沟道(双)共源2 个 N 通道(半桥)2 个 P 沟道(双)-
FET 功能
-逻辑电平栅极,5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
12V15V20V25V30V40V60V-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.17A1.2A1.5A1.6A3A3.9A4.5A5A10A(Ta)15A20A20A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.95 毫欧 @ 30A,10V2.1 毫欧 @ 30A,10V4.5 毫欧 @ 20A,5V,0.8 毫欧 @ 20A,5V5 毫欧 @ 25A,5V,1.1 毫欧 @ 25A,5V5.9 毫欧 @ 20A,8V6 毫欧 @ 12A,8V6 毫欧 @ 20A,8V7.6 毫欧 @ 20A,8V7.7 毫欧 @ 25A,8V9.1 毫欧 @ 20A,5V,3.4 毫欧 @ 20A,5V9.45 毫欧 @ 15A,5V,3.6 毫欧 @ 15A,5V9.6 毫欧 @ 14A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
850mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.15V @ 250µA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA1.85V @ 250µA,1.5V @ 250µA1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.1nC @ 10V2.1nC @ 4.5V2.2nC @ 4.5V2.5nC @ 4.5V3.2nC @ 4.5V3.7nC @ 4.5V3.8nC @ 45V,7.4nC @ 45V3.9nC @ 4.5V4nC @ 4.5V4.1nC @ 4.5V4.6nC @ 4.5V5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
98pF @ 14V195pF @ 10V265pF @ 10V353pF @ 15V410pF @ 10V469pF @ 10V494pF @ 12.5V,970pF @ 12.5V518pF @ 15V564pF @ 15V585pF @ 12.5V595pF @ 10V600pF @ 10V
功率 - 最大值
700mW750mW800mW840mW1.5W1.7W2.1W2.3W2.5W2.7W2.8W2.86W
工作温度
-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)125°C(TJ)
封装/外壳
4-XFLGA5-LGA5-XFLGA6-UFBGA,DSBGA6-WDFN 裸露焊盘6-XFBGA8-PowerLDFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)9-UFBGA,DSBGA10-XFLGA12-UFBGA,DSBGA
供应商器件封装
4-Picostar(1.31x1.31)5-PTAB(3x2.5)5-PTAB(5x3.5)6 PicoStar6-DSBGA(1x1.5)6-WSON(2x2)8-LSON(3.3x3.3)8-LSON(5x6)8-SOIC8-VSON-CLIP(5x6)8-VSON(3.3x3.3)8-WSON(3.3x3.3)9-DSBGA10-Picostar(3.37x1.47)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
65结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 65
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC
CSD88537ND
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Texas Instruments
3,017
现货
1 : ¥10.81000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.07957
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V15A15 毫欧 @ 8A,10V3.6V @ 250µA18nC @ 10V1400pF @ 30V2.1W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
8-SON (5x6)
CSD86350Q5D
MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON
Texas Instruments
8,145
现货
1 : ¥21.54000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.72220
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 通道(半桥)逻辑电平门25V40A6 毫欧 @ 20A,8V2.1V @ 250µA10.7nC @ 4.5V1870pF @ 12.5V13W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-PowerLDFN8-LSON(5x6)
22-VSON-CLIP
CSD88599Q5DC
MOSFET 2N-CH 60V 22VSON-CLIP
Texas Instruments
2,926
现货
1 : ¥32.60000
剪切带(CT)
2,500 : ¥15.88775
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 通道(半桥)-60V-2.1 毫欧 @ 30A,10V2.5V @ 250µA27nC @ 4.5V4840pF @ 30V12W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型22-PowerTFDFN22-VSON-CLIP(5x6)
YZC-6-BGA Pkg
CSD75208W1015
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6DSBGA
Texas Instruments
15,488
现货
1 : ¥4.39000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.46541
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 P 沟道(双)共源逻辑电平门20V1.6A68 毫欧 @ 1A,4.5V1.1V @ 250µA2.5nC @ 4.5V410pF @ 10V750mW-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型6-UFBGA,DSBGA6-DSBGA(1x1.5)
NexFET Series
CSD83325L
MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
Texas Instruments
2,090
现货
1 : ¥4.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.78173
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N 沟道(双)共漏-12V--1.25V @ 250µA10.9nC @ 4.5V-2.3W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型6-XFBGA6 PicoStar
6-WDFN Exposed Pad
CSD87502Q2
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON
Texas Instruments
68,341
现货
1 : ¥4.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.80809
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-30V5A32.4 毫欧 @ 4A,10V2V @ 250µA6nC @ 10V353pF @ 15V2.3W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型6-WDFN 裸露焊盘6-WSON(2x2)
4-Picostar
CSD85302L
MOSFET 2N-CH 20V 5A 4PICOSTAR
Texas Instruments
9,010
现货
1 : ¥4.80000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.60857
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N 沟道(双)共漏-----7.8nC @ 4.5V-1.7W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型4-XFLGA4-Picostar(1.31x1.31)
YZF-9-BGA Pkg
CSD75207W15
MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
Texas Instruments
7,078
现货
1 : ¥5.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.98683
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 P 沟道(双)共源逻辑电平门-3.9A162 毫欧 @ 1A,1.8V1.1V @ 250µA3.7nC @ 4.5V595pF @ 10V700mW-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型9-UFBGA,DSBGA9-DSBGA
6-WDFN Exposed Pad
CSD85301Q2
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Texas Instruments
17,155
现货
1 : ¥5.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.76818
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平栅极,5V 驱动20V5A27 毫欧 @ 5A,4.5V1.2V @ 250µA5.4nC @ 4.5V469pF @ 10V2.3W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型6-WDFN 裸露焊盘6-WSON(2x2)
8-SOIC
CSD88539ND
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Texas Instruments
5,560
现货
1 : ¥7.40000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.81977
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V15A28 毫欧 @ 5A,10V3.6V @ 250µA9.4nC @ 10V741pF @ 30V2.1W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
CSD87381PT
CSD87381P
MOSFET 2N-CH 30V 15A 5PTAB
Texas Instruments
15,551
现货
1 : ¥7.56000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.19561
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 通道(半桥)逻辑电平门30V15A16.3 毫欧 @ 8A,8V1.9V @ 250µA5nC @ 4.5V564pF @ 15V4W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型5-LGA5-PTAB(3x2.5)
10 Picostar
CSD87501L
MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR
Texas Instruments
4,827
现货
1 : ¥7.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.39103
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N 沟道(双)共漏逻辑电平门---2.3V @ 250µA40nC @ 10V-2.5W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型10-XFLGA10-Picostar(3.37x1.47)
6-WDFN Exposed Pad
CSD85301Q2T
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Texas Instruments
1,197
现货
1 : ¥9.51000
剪切带(CT)
250 : ¥5.97740
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平栅极,5V 驱动20V5A27 毫欧 @ 5A,4.5V1.2V @ 250µA5.4nC @ 4.5V469pF @ 10V2.3W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型6-WDFN 裸露焊盘6-WSON(2x2)
6-WSON
CSD87502Q2T
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSON
Texas Instruments
13,099
现货
1 : ¥9.67000
剪切带(CT)
250 : ¥6.28436
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平栅极,5V 驱动30V5A32.4 毫欧 @ 4A,10V2V @ 250µA6nC @ 10V353pF @ 15V2.3W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型6-WDFN 裸露焊盘6-WSON(2x2)
8-SON
CSD85312Q3E
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Texas Instruments
8,267
现货
1 : ¥10.00000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.14682
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N 沟道(双)共源逻辑电平栅极,5V 驱动20V39A12.4 毫欧 @ 10A,8V1.4V @ 250µA15.2nC @ 4.5V2390pF @ 10V2.5W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-PowerVDFN8-VSON(3.3x3.3)
8SON
CSD87331Q3D
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON
Texas Instruments
5,471
现货
1 : ¥10.32000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.37961
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 通道(半桥)-30V15A-2.1V,1.2V @ 250µA3.2nC @ 4.5V518pF @ 15V6W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-PowerLDFN8-LSON(5x6)
5-LGA 3X2.5
CSD87588N
MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
Texas Instruments
12,371
现货
1 : ¥11.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.71136
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 通道(半桥)逻辑电平门30V25A9.6 毫欧 @ 15A,10V1.9V @ 250µA4.1nC @ 4.5V736pF @ 15V6W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型5-XFLGA5-PTAB(3x2.5)
8SON
CSD87330Q3D
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON
Texas Instruments
28,734
现货
1 : ¥12.44000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.70851
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 通道(半桥)逻辑电平门30V20A-2.1V @ 250µA5.8nC @ 4.5V900pF @ 15V6W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-PowerLDFN8-LSON(3.3x3.3)
8SON
CSD87350Q5D
MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
Texas Instruments
13,796
现货
1 : ¥15.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.20657
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V40A5.9 毫欧 @ 20A,8V2.1V @ 250µA10.9nC @ 4.5V1770pF @ 15V12W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-PowerLDFN8-LSON(5x6)
8SON
CSD86360Q5D
MOSFET 2N-CH 25V 50A 8LSON
Texas Instruments
13,180
现货
1 : ¥22.36000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.23718
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 通道(半桥)逻辑电平门25V50A-2.1V @ 250µA12.6nC @ 4.5V2060pF @ 12.513W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-PowerLDFN8-LSON(5x6)
8SON
CSD87353Q5D
MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
Texas Instruments
19,977
现货
1 : ¥23.01000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.51914
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 通道(半桥)逻辑电平门30V40A-2.1V @ 250µA19nC @ 4.5V3190pF @ 15V12W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-PowerLDFN8-LSON(5x6)
22-VSON-CLIP
CSD88584Q5DC
MOSFET 2N-CH 40V 22VSON-CLIP
Texas Instruments
1,791
现货
1 : ¥29.51000
剪切带(CT)
2,500 : ¥14.35214
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 N 通道(半桥)-40V-0.95 毫欧 @ 30A,10V2.3V @ 250µA88nC @ 4.5V12400pF @ 20V12W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型22-PowerTFDFN22-VSON-CLIP(5x6)
8-SOIC
CSD88539NDT
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Texas Instruments
12,209
现货
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
250 : ¥4.93552
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)-60V15A28 毫欧 @ 5A,10V3.6V @ 250µA9.4nC @ 10V741pF @ 30V2.1W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
YZC-6-BGA Pkg
CSD75208W1015T
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6DSBGA
Texas Instruments
4,972
现货
1 : ¥9.02000
剪切带(CT)
250 : ¥5.68700
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 P 沟道(双)共源逻辑电平门20V1.6A68 毫欧 @ 1A,4.5V1.1V @ 250µA2.5nC @ 4.5V410pF @ 10V750mW-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型6-UFBGA,DSBGA6-DSBGA(1x1.5)
4-Picostar
CSD85302LT
MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR
Texas Instruments
3,995
现货
1 : ¥9.19000
剪切带(CT)
250 : ¥5.77252
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N 沟道(双)共漏-----7.8nC @ 4.5V-1.7W-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型4-XFLGA4-Picostar(1.31x1.31)
显示
/ 65

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。