FET、MOSFET 阵列

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	技术	配置	FET 功能	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	功率 - 最大值	工作温度	等级	资质	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

SSM6N37FU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	360,100 现货	1 : ¥3.01000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.54020 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	2 N-通道（双）	逻辑电平栅极，1.5V 驱动	20V	250mA（Ta）	2.2 欧姆 @ 100mA，4.5V	1V @ 1mA	-	12pF @ 10V	300mW	150°C	-	-	表面贴装型	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	US6
SSM6N44FE,LM MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	68,917 现货	1 : ¥3.33000 剪切带（CT） 4,000 : ¥0.60376 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	2 N-通道（双）	逻辑电平门	30V	100mA	4 欧姆 @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	-	8.5pF @ 3V	150mW	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-563，SOT-666	ES6
SSM6L36FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	97,066 现货	1 : ¥3.50000 剪切带（CT） 4,000 : ¥0.63555 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	N 和 P 沟道	逻辑电平门	20V	500mA，330mA	630 毫欧 @ 200mA，5V	1V @ 1mA	1.23nC @ 4V	46pF @ 10V	150mW	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-563，SOT-666	ES6
SSM6N58NU,LF MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN Toshiba Semiconductor and Storage	147,445 现货	1 : ¥3.66000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.97664 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	2 N-通道（双）	逻辑电平栅极，1.8V 驱动	30V	4A	84毫欧 @ 2A，4.5V	1V @ 1mA	1.8nC @ 4.5V	129pF @ 15V	1W	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	6-WDFN 裸露焊盘	6-UDFN（2x2）
SSM6L09FUTE85LF MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	28,756 现货	1 : ¥3.82000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.83778 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	不适用于新设计	MOSFET（金属氧化物）	N 和 P 沟道	逻辑电平门	30V	400mA，200mA	700毫欧 @ 200MA，10V	1.8V @ 100µA	-	20pF @ 5V	300mW	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	US6
SSM6N7002CFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	39,416 现货	1 : ¥2.20000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.36294 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	2 N-通道（双）	-	60V	170mA	3.9 欧姆 @ 100mA，10V	2.1V @ 250µA	0.35nC @ 4.5V	17pF @ 10V	285mW	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	US6
SSM6N7002BFE,LM MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	26,146 现货	1 : ¥2.60000 剪切带（CT） 4,000 : ¥0.43552 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	2 N-通道（双）	逻辑电平门	60V	200mA	2.1 欧姆 @ 500mA，10V	3.1V @ 250µA	-	17pF @ 25V	150mW	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-563，SOT-666	ES6
SSM6N15AFU,LF MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	17,997 现货	1 : ¥2.76000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.49253 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	2 N-通道（双）	逻辑电平门	30V	100mA	3.6 欧姆 @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA	-	13.5pF @ 3V	300mW	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	US6
SSM6P15FU,LF MOSFET 2P-CH 30V 0.1A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	32,005 现货	1 : ¥3.01000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.54020 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	2 个 P 沟道（双）	-	30V	100mA	12 欧姆 @ 10mA，4V	1.7V @ 100µA	-	9.1pF @ 3V	200mW（Ta）	150°C	-	-	表面贴装型	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	US6
SSM6L36TU,LF MOSFET N/P-CH 20V 0.5A UF6 Toshiba Semiconductor and Storage	3,990 现货	1 : ¥3.01000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.80957 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	N 和 P 沟道	逻辑电平栅极，1.5V 驱动	20V	500mA（Ta），330mA（Ta）	630 毫欧 @ 200mA，5V，1.31 欧姆 @ 100mA，4.5V	1V @ 1mA	1.23nC @ 4V，1.2nC @ 4V	46pF @ 10V，43pF @ 10V	500mW（Ta）	150°C	-	-	表面贴装型	6-SMD，扁平引线	UF6
SSM6N35AFE,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	83,709 现货	1 : ¥3.09000 剪切带（CT） 4,000 : ¥0.55610 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	2 N-通道（双）	逻辑电平栅极，1.2V 驱动	20V	250mA（Ta）	1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V	1V @ 100µA	0.34nC @ 4.5V	36pF @ 10V	250mW	150°C	-	-	表面贴装型	SOT-563，SOT-666	ES6
SSM6N62TU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.8A UF6 Toshiba Semiconductor and Storage	8,904 现货	1 : ¥3.25000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.10214 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	2 N-通道（双）	逻辑电平栅极，1.2V 驱动	20V	800mA（Ta）	85 毫欧 @ 800mA，4.5V	1V @ 1mA	2nC @ 4.5V	177pF @ 10V	500mW（Ta）	150°C	-	-	表面贴装型	6-SMD，扁平引线	UF6
SSM6N357R,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.65A 6TSOPF Toshiba Semiconductor and Storage	3,896 现货	1 : ¥3.25000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.09002 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	2 N-通道（双）	-	60V	650mA（Ta）	1.8 欧姆 @ 150mA，5V	2V @ 1mA	1.5nC @ 5V	60pF @ 12V	1.5W（Ta）	150°C	-	-	表面贴装型	6-SMD，扁平引线	6-TSOP-F
SSM6P69NU,LF MOSFET 2P-CH 20V 4A 6DFN Toshiba Semiconductor and Storage	12,413 现货	1 : ¥3.41000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.13848 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	2 个 P 沟道（双）	逻辑电平栅极，1.8V 驱动	20V	4A（Ta）	45 毫欧 @ 3.5A，10V	1.2V @ 1mA	6.74nC @ 4.5V	480pF @ 10V	1W（Ta）	150°C	-	-	表面贴装型	6-WDFN 裸露焊盘	6-µDFN（2x2）
SSM6L61NU,LF MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN Toshiba Semiconductor and Storage	6,614 现货	1 : ¥3.50000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.17482 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	N 和 P 沟道	-	20V	4A	-	-	-	-	-	-	-	-	表面贴装型	6-WDFN 裸露焊盘	6-UDFN（2x2）
SSM6L14FE(TE85L,F) MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	33,275 现货	1 : ¥3.66000 剪切带（CT） 4,000 : ¥0.80839 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	N 和 P 沟道	逻辑电平栅极，1.5V 驱动	20V	800mA（Ta），720mA（Ta）	240 毫欧 @ 500mA，4.5V，300 毫欧 @ 400mA，4.5V	1V @ 1mA	2nC @ 4.5V，1.76nC @ 4.5V	90pF @ 10V，110pF @ 10V	150mW（Ta）	150°C	-	-	表面贴装型	SOT-563，SOT-666	ES6
SSM6N56FE,LM MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	78,607 现货	1 : ¥3.74000 剪切带（CT） 4,000 : ¥0.66732 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	2 N-通道（双）	逻辑电平栅极，1.5V 驱动	20V	800mA	235 毫欧 @ 800mA，4.5V	1V @ 1mA	1nC @ 4.5V	55pF @ 10V	150mW	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	SOT-563，SOT-666	ES6
SSM6N40TU,LF MOSFET 2N-CH 30V 1.6A UF6 Toshiba Semiconductor and Storage	13,456 现货	1 : ¥3.74000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.01517 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	2 N-通道（双）	逻辑电平栅极，4V 驱动	30V	1.6A（Ta）	122 毫欧 @ 1A，10V	2.6V @ 1mA	5.1nC @ 10V	180pF @ 15V	500mW（Ta）	150°C	-	-	表面贴装型	6-SMD，扁平引线	UF6
SSM6P40TU,LF MOSFET 2P-CH 30V 1.4A UF6 Toshiba Semiconductor and Storage	11,024 现货	1 : ¥3.74000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.01517 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	2 个 P 沟道（双）	逻辑电平栅极，4V 驱动	30V	1.4A（Ta）	226 毫欧 @ 1A，10V	2V @ 1mA	2.9nC @ 10V	120pF @ 15V	500mW（Ta）	150°C	-	-	表面贴装型	6-SMD，扁平引线	UF6
SSM6L40TU,LF MOSFET N/P-CH 30V 1.6A UF6 Toshiba Semiconductor and Storage	113,715 现货	1 : ¥3.82000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.02805 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	N 和 P 沟道	逻辑电平栅极，4V 驱动	30V	1.6A（Ta），1.4A（Ta）	122 毫欧 @ 1A，10V，226 毫欧 @ 1A，10V	2.6V @ 1mA，2V @ 1mA	5.1nC @ 10V，2.9nC @ 10V	180pF @ 15V，120pF @ 15V	500mW（Ta）	150°C	-	-	表面贴装型	6-SMD，扁平引线	UF6
SSM6N57NU,LF MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN Toshiba Semiconductor and Storage	109,860 现货	1 : ¥3.82000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.04089 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	2 N-通道（双）	-	30V	4A	46 毫欧 @ 2A，4.5V	1V @ 1mA	4nC @ 4.5V	310pF @ 10V	1W	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	6-WDFN 裸露焊盘	6-µDFN（2x2）
SSM6L39TU,LF MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6 Toshiba Semiconductor and Storage	27,439 现货	1 : ¥3.82000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.02805 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	N 和 P 沟道	逻辑电平栅极，1.8V 驱动	20V	800mA	143毫欧 @ 600MA，4V	1V @ 1mA	-	268pF @ 10V	500mW	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	6-SMD，扁平引线	UF6
SSM6N67NU,LF MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN Toshiba Semiconductor and Storage	5,386 现货	1 : ¥3.82000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.04089 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	2 N-通道（双）	逻辑电平栅极，1.8V 驱动	30V	4A（Ta）	39.1 毫欧 @ 2A，4.5V	1V @ 1mA	3.2nC @ 4.5V	310pF @ 15V	2W（Ta）	150°C	-	-	表面贴装型	6-WDFN 裸露焊盘	6-µDFN（2x2）
TPC8408,LQ(S MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP Toshiba Semiconductor and Storage	1,500 现货	1 : ¥5.20000 剪切带（CT） 2,500 : ¥1.74405 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	N 和 P 沟道	逻辑电平门	40V	6.1A，5.3A	32 毫欧 @ 3.1A，10V	2.3V @ 100µA	24nC @ 10V	850pF @ 10V	450mW	150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）	8-SOP
TPCP8407,LF MOSFET N/P-CH 40V 5A/4A PS-8 Toshiba Semiconductor and Storage	3,303 现货	1 : ¥5.77000 剪切带（CT） 3,000 : ¥2.19977 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	MOSFET（金属氧化物）	N 和 P 沟道	-	40V	5A（Ta），4A（Ta）	36.3 毫欧 @ 2.5A，10V，56.8 毫欧 @ 2A，10V	3V @ 1mA	11.8nC @ 10V，18nC @ 10V	505pF @ 10V，810pF @ 10V	690mW（Ta）	150°C	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	8-SMD，扁平引线	PS-8

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场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

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