FET、MOSFET 阵列

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系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
eGaN Series
EPC2106
MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
59,391
现货
1 : ¥22.00000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.54636
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
2 个 N 通道(半桥)
-
100V
1.7A
70 毫欧 @ 2A,5V
2.5V @ 600µA
0.73nC @ 5V
75pF @ 50V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2110
MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
EPC
12,202
现货
1 : ¥26.46000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.26940
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
2 N 沟道(双)共源
-
120V
3.4A
60 毫欧 @ 4A,5V
2.5V @ 700µA
0.8nC @ 5V
80pF @ 60V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
模具
模具
MOSFET Array
EPC2111
MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
EPC
19,096
现货
1 : ¥35.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥12.50747
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
2 个 N 通道(半桥)
-
30V
16A(Ta)
19 毫欧 @ 15A,5V,8 毫欧 @ 15A,5V
2.5V @ 5mA
2.2nC @ 5V,5.7nC @ 5V
230pF @ 15V,590pF @ 15V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2102
MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
EPC
3,505
现货
1 : ¥85.59000
剪切带(CT)
500 : ¥39.79650
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
2 个 N 通道(半桥)
-
60V
23A
4.4 毫欧 @ 20A,5V
2.5V @ 7mA
6.8nC @ 5V
830pF @ 30V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2105
MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
EPC
1,364
现货
1 : ¥85.59000
剪切带(CT)
500 : ¥39.79650
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
GaNFET(氮化镓)
2 个 N 通道(半桥)
-
80V
9.5A,38A
14.5 毫欧 @ 20A,5V,3.4 毫欧 @ 20A,5V
2.5V @ 2.5mA,2.5V @ 10mA
2.5nC @ 5V,10nC @ 5V
300pF @ 40V,1100pF @ 40V
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
模具
模具
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。