晶体管 - IGBT - 模块

结果 : 2160

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制造商零件编号	价格	库存	供应商	制造商	最小数量	DK 零件编号	系列	包装	零件状态	IGBT 类型	配置	电压 - 集射极击穿（最大值）	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	功率 - 最大值	不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）	电流 - 集电极截止（最大值）	不同 Vce 时输入电容 (Cies)	输入	NTC 热敏电阻	工作温度	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

IXDN55N120D1 IGBT MOD 1200V 100A 450W SOT227B	有源	1936 - Immediate	IXYS	IXYS	1	IXDN55N120D1-ND	-	管件	有源	NPT	单路	1200V	100A	450W	2.8V @ 15V，55A	3.8mA	3.3nF @ 25V	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	SOT-227-4，miniBLOC	SOT-227B
IXXN110N65C4H1 IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B	¥ 67.81000	345 - Immediate	IXYS	IXYS	1	IXXN110N65C4H1-ND	XPT™, GenX4™	管件	有源	PT	单路	650V	210A	750W	2.35V @ 15V，110A	50µA	3.69nF @ 25V	标准	无	-55°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	SOT-227-4，miniBLOC	SOT-227B
IXXN110N65B4H1 IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B	¥ 60.05000	332 - Immediate 20 - Factory	IXYS	IXYS	1	IXXN110N65B4H1-ND	XPT™, GenX4™	管件	有源	PT	单路	650V	215A	750W	2.1V @ 15V，110A	50µA	3.65nF @ 25V	标准	无	-55°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	SOT-227-4，miniBLOC	SOT-227B
IXGN320N60A3 IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B	有源	539 - Immediate	IXYS	IXYS	1	IXGN320N60A3-ND	GenX3™	管件	有源	PT	单路	600V	320A	735W	1.25V @ 15V，100A	150µA	18nF @ 25V	标准	无	-55°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	SOT-227-4，miniBLOC	SOT-227B
APT75GP120JDQ3 IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP	¥ 278.38000	469 - Immediate	Microchip Technology	Microchip Technology	1	APT75GP120JDQ3-ND	POWER MOS 7®	管件	有源	PT	单路	1200V	128A	543W	3.9V @ 15V，75A	1.25mA	7.04nF @ 25V	标准	无	-55°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	ISOTOP	ISOTOP®
VS-GT180DA120U IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227	¥ 12.82000	150 - Immediate	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	1	VS-GT180DA120U-ND	HEXFRED®	托盘	有源	沟槽型场截止	单路	1200V	281A	1087W	2.05V @ 15V，100A	100µA	9350pF @ 25V	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	SOT-227-4，miniBLOC	SOT-227
MG12150S-BN2MM IGBT MODULE 1200V 200A 625W S3	有源	28 - Immediate	Littelfuse Inc.	Littelfuse Inc.	1	F6498-ND	-	散装	有源	沟槽型场截止	半桥	1200V	200A	625W	1.7V @ 15V，150A（标准）	1mA	10.5nF @ 25V	标准	无	-40°C ~ 125°C（TJ）	底座安装	S-3 模块	S3
FZ400R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 400A 2400W	¥ 1256.84000	72 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	FZ400R12KE4HOSA1-ND	-	散装	有源	沟槽型场截止	单路	1200V	400A	2400W	2.1V @ 15V，400A	5mA	28nF @ 25V	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FF200R12KT4HOSA1 IGBT MOD 1200V 320A 1100W	¥ 758.74000	61 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	FF200R12KT4HOSA1-ND	C	散装	有源	沟槽型场截止	半桥	1200V	320A	1100W	2.15V @ 15V，200A	5mA	14nF @ 25V	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FP75R12KE3BOSA1 IGBT MOD 1200V 105A 355W	¥ 1082.97000	32 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	FP75R12KE3BOSA1-ND	-	散装	有源	NPT	单路	1200V	105A	355W	2.2V @ 15V，75A	5mA	5.3nF @ 25V	标准	无	-40°C ~ 125°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FZ900R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 900A 4300W	¥ 862.26000	90 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	FZ900R12KE4HOSA1-ND	C	散装	有源	沟槽型场截止	单路	1200V	900A	4300W	2.1V @ 15V，900A	5mA	56nF @ 25V	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FZ600R17KE4HOSA1 IGBT MOD 1700V 1200A 3350W	¥ 1242.15700	38 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	FZ600R17KE4HOSA1-ND	-	托盘	有源	沟槽型场截止	单路	1700V	1200A	3350W	2.3V @ 15V，600A	1mA	49nF @ 25V	标准	无	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
FZ800R12KE3HOSA1 IGBT MOD 1200V 800A 3550W	¥ 1374.80000	46 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	FZ800R12KE3HOSA1-ND	-	散装	有源	沟槽型场截止	单路	1200V	800A	3550W	2.15V @ 15V，800A	5mA	56nF @ 25V	标准	无	-40°C ~ 125°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FZ600R17KE3HOSA1 IGBT MOD 1700V 840A 3150W	¥ 804.21000	56 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	FZ600R17KE3HOSA1-ND	-	散装	有源	沟槽型场截止	单路	1700V	840A	3150W	2.45V @ 15V，600A	3mA	54nF @ 25V	标准	无	-40°C ~ 125°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FS150R12KT4BOSA1 IGBT MOD 1200V 150A 750W	¥ 993.39200	40 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	FS150R12KT4BOSA1-ND	-	散装	有源	沟槽型场截止	三相反相器	1200V	150A	750W	2.1V @ 15V，150A	1mA	-	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FF600R12KE4BOSA1 IGBT MODULE 1200V 600A	¥ 3199.21000	85 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	FF600R12KE4BOSA1-ND	C	托盘	有源	沟槽型场截止	半桥	1200V	600A	-	2.2V @ 15V，600A	5mA	38nF @ 25V	标准	无	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
FF600R12ME4BOSA1 IGBT MODULE 1200V 4050W	不適用於新設計	60 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	FF600R12ME4BOSA1-ND	-	散装	不適用於新設計	沟槽型场截止	2 个独立式	1200V	-	4050W	2.1V @ 15V，600A	3mA	37nF @ 25V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
APTGT600A60G IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6	有源	63 - Immediate	Microchip Technology	Microchip Technology	1	APTGT600A60G-ND	-	散装	有源	沟槽型场截止	半桥	600V	700A	2300W	1.8V @ 15V，600A	750µA	49nF @ 25V	标准	无	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	SP6	SP6
APTGT600U170D4G IGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4	¥ 1837.26000	54 - Immediate	Microchip Technology	Microchip Technology	1	APTGT600U170D4G-ND	-	散装	有源	沟槽型场截止	单路	1700V	1100A	2900W	2.4V @ 15V，600A	1mA	51nF @ 25V	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	D4	D4
APT60GA60JD60 IGBT MOD 600V 112A 356W ISOTOP	¥ 200.66750	470 - Immediate	Microchip Technology	Microchip Technology	1	APT60GA60JD60-ND	POWER MOS 8™	管件	有源	PT	单路	600V	112A	356W	2.5V @ 15V，62A	275µA	8.01nF @ 25V	标准	无	-55°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	SOT-227-4，miniBLOC	ISOTOP®
IXGN200N60B3 IGBT MOD 600V 300A 830W SOT227B	有源	190 - Immediate 790 - Factory	IXYS	IXYS	1	IXGN200N60B3-ND	GenX3™	管件	有源	PT	单路	600V	300A	830W	1.5V @ 15V，100A	50µA	26nF @ 25V	标准	无	-55°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	SOT-227-4，miniBLOC	SOT-227B
IXYN100N120C3H1 IGBT MOD 1200V 134A 690W SOT227B	¥ 255.96000	203 - Immediate	IXYS	IXYS	1	IXYN100N120C3H1-ND	XPT™, GenX3™	管件	有源	-	单路	1200V	134A	690W	3.5V @ 15V，100A	50µA	6nF @ 25V	标准	无	-55°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	SOT-227-4，miniBLOC	SOT-227B
VS-GT100DA120UF IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227	¥ 202.82000	129 - Immediate	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	1	VS-GT100DA120UF-ND	HEXFRED®	散装	有源	沟道	单路	1200V	187A	890W	2.55V @ 15V，100A	100µA	6.15nF @ 25V	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	SOT-227-4，miniBLOC	SOT-227
FF200R12KT3HOSA1 IGBT MODULE 1200V 1050W	¥ 891.98000	40 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	FF200R12KT3HOSA1-ND	-	散装	有源	沟槽型场截止	2 个独立式	1200V	-	1050W	2.15V @ 15V，200A	5mA	14nF @ 25V	标准	无	-40°C ~ 125°C	底座安装	模块	模块
FP75R12KT4B11BOSA1 IGBT MOD 1200V 75A 385W	¥ 3965.04000	66 - Immediate	Infineon Technologies	Infineon Technologies	1	FP75R12KT4B11BOSA1-ND	-	散装	有源	沟槽型场截止	三相反相器	1200V	75A	385W	2.15V @ 15V，75A	1mA	4.3nF @ 25V	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	模块

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