硅电容器

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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
电容
容差
ESL（等效串联电感）
应用
特性
工作温度
封装/外壳
高度
大小 / 尺寸
BTD1RVFLT27N471
BTD1RVFLT27N102
RASMIDSERIES, 3.6V, 1000PF, DSN0
Rohm Semiconductor
500
现货
1 : ¥61.37000
剪切带（CT）
27,000 : ¥25.42651
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
1000 pF
±15%
-
-
高可靠性，小尺寸
-55°C ~ 150°C
01005（0402 公制）
0.008"（0.20mm）
0.016" 长 x 0.008" 宽（0.40mm x 0.20mm）
BTD1RVFLT27N471
BTD1RVFLT27N471
RASMIDSERIES, 3.6V, 470PF, DSN04
Rohm Semiconductor
75
现货
1 : ¥61.37000
剪切带（CT）
27,000 : ¥25.42651
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
470 pF
±15%
-
-
高可靠性，小尺寸
-55°C ~ 150°C
01005（0402 公制）
0.008"（0.20mm）
0.016" 长 x 0.008" 宽（0.40mm x 0.20mm）
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硅电容器

硅电容器和薄膜电容器是使用半导体器件制造中更常用的工具、方法和材料制造的特殊器件。因此，所提供的极高精度和控制能力可生产出具有卓越参数稳定性且近乎理想的电容器，但参数值范围相对有限，并且与最直接的竞争对手陶瓷器件相比，成本要高得多。