单 IGBT

结果 : 7
产品状态
停产在售
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
30 A50 A80 A100 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
60 A100 A120 A160 A180 A200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，15A2.3V @ 15V，40A2.4V @ 15V，25A2.4V @ 15V，40A2.4V @ 15V，50A2.4V @ 15V，60A
功率 - 最大值
48 W230 W341 W348 W357 W375 W428 W
开关能量
270µJ（开），86µJ（关）500µJ（开），400µJ（关）770µJ（开），550µJ（关）920µJ（开），530µJ（关）1.15mJ（开），350µJ（关）1.44mJ（开），550µJ（关）1.96mJ（开），540µJ（关）
栅极电荷
60 nC61 nC95 nC204 nC219 nC287 nC341 nC
25°C 时 Td（开/关）值
6ns/55ns19ns/128ns42ns/142ns58ns/245ns58ns/328ns65ns/308ns73ns/269ns
测试条件
400V，15A，10 欧姆，15V400V，40A，10 欧姆，15V400V，40A，7.9 欧姆，15V400V，50A，7.9 欧姆，15V400V，60A，7 欧姆，15V600V，25A，23 欧姆，15V600V，40A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
60 ns80 ns100 ns145 ns150 ns205 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
封装/外壳
TO-220-3 全封装，隔离接片TO-247-3
供应商器件封装
ITO-220ABTO-247
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td（开/关）值
测试条件
反向恢复时间 (trr)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-247-3
DGTD120T25S1PT
IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
Diodes Incorporated
447
现货
182,700
工厂
1 : ¥63.41000
管件
-
管件
在售场截止1200 V50 A100 A2.4V @ 15V，25A348 W1.44mJ（开），550µJ（关）标准204 nC73ns/269ns600V，25A，23 欧姆，15V100 ns-40°C ~ 175°C（TJ）通孔TO-247-3TO-247
DGTD65T15H2TF
DGTD65T15H2TF
IGBT FIELD STP 650V 30A ITO220AB
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
1 : ¥15.69000
管件
-
管件
在售场截止650 V30 A60 A2V @ 15V，15A48 W270µJ（开），86µJ（关）标准61 nC19ns/128ns400V，15A，10 欧姆，15V150 ns-40°C ~ 175°C（TJ）通孔TO-220-3 全封装，隔离接片ITO-220AB
TO-247-3
DGTD120T40S1PT
IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
管件
停产场截止1200 V80 A160 A2.4V @ 15V，40A357 W1.96mJ（开），540µJ（关）标准341 nC65ns/308ns600V，40A，10 欧姆，15V100 ns-55°C ~ 150°C（TJ）通孔TO-247-3TO-247
TO-247-3
DGTD65T40S1PT
IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
Diodes Incorporated
0
现货
在售
-
管件
在售场截止650 V80 A160 A2.4V @ 15V，40A341 W1.15mJ（开），350µJ（关）标准219 nC58ns/245ns400V，40A，7.9 欧姆，15V145 ns-40°C ~ 175°C（TJ）通孔TO-247-3TO-247
TO-247-3
DGTD65T40S2PT
IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
管件
停产场截止650 V80 A120 A2.3V @ 15V，40A230 W500µJ（开），400µJ（关）标准60 nC6ns/55ns400V，40A，10 欧姆，15V60 ns-40°C ~ 175°C（TJ）通孔TO-247-3TO-247
TO-247-3
DGTD65T50S1PT
IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
管件
停产场截止650 V100 A200 A2.4V @ 15V，50A375 W770µJ（开），550µJ（关）标准287 nC58ns/328ns400V，50A，7.9 欧姆，15V80 ns-40°C ~ 175°C（TJ）通孔TO-247-3TO-247
TO-247-3
DGTD65T60S2PT
IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
Diodes Incorporated
0
现货
停产
-
管件
停产场截止650 V100 A180 A2.4V @ 15V，60A428 W920µJ（开），530µJ（关）标准95 nC42ns/142ns400V，60A，7 欧姆，15V205 ns-40°C ~ 175°C（TJ）通孔TO-247-3TO-247
显示
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单 IGBT

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。