IGBT 模块

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	IGBT 类型	配置	电压 - 集射极击穿（最大值）	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	功率 - 最大值	不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）	电流 - 集电极截止（最大值）	不同 Vce 时输入电容 (Cies)	输入	NTC 热敏电阻	工作温度	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

NXH80T120L3Q0P3G PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80 onsemi	0 现货查看交期	1 : ¥549.66000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三级反相器	1200 V	75 A	188 W	2.4V @ 15V，80A	300 µA	18150 pF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	模块	20-PIM/Q0PACK（55x32.5）
NXH450N65L4Q2F2PG 650V 450A 3-LEVEL NPC INVERTER M onsemi	36 现货	1 : ¥994.54000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三级反相器	650 V	167 A	365 W	2.2V @ 15V，225A	300 µA	14630 pF @ 20 V	标准	无	150°C（TJ）	底座安装	模块	36-PIM/Q2PACK（93x47）
NXH450N65L4Q2F2S1G 120KW 1100V Q2PACK onsemi	32 现货	1 : ¥1,069.42000 托盘	-	托盘	在售	场截止	三级反相器	650 V	167 A	365 W	2.2V @ 15V，225A	300 µA	14630 pF @ 20 V	标准	无	175°C（TJ）	底座安装	模块	40-PIM/Q2PACK（107.2x47）
NXH600N65L4Q2F2SG 150KW 1100V Q2PACK SOLDER PIN onsemi	31 现货	1 : ¥1,196.98000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三级反相器	650 V	483 A	931 W	2.2V @ 15V，600A	100 µA	37.1 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	模块	41-PIM/Q2PACK（93x47）
NXH160T120L2Q2F2S1G PIM POWER MODULE onsemi	36 现货	1 : ¥1,212.40000 托盘	-	托盘	在售	-	三级反相器	1200 V	181 A	500 W	2.7V @ 15V，160A	500 µA	38.8 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	56-PIM/Q2PACK（93x47）
NXH240B120H3Q1PG PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST onsemi	42 现货	1 : ¥1,230.94000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三，双 - 共源	1200 V	68 A	158 W	2V @ 15V，80A	400 µA	18.151 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	32-PIM（71x37.4）
NXH300B100H4Q2F2S1G PIM 1500V 250KW Q2BOOST onsemi	0 现货查看交期	1 : ¥1,501.50000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	双，共源	1118 V	73 A	194 W	2.25V @ 15V，100A	800 µA	6.323 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	模块	53-PIM/Q2PACK（93x47）
NXH300B100H4Q2F2SG MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV onsemi	36 现货 288 工厂	1 : ¥1,586.05000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	双，共源	1118 V	73 A	194 W	2.25V @ 15V，100A	800 µA	6.323 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	模块	53-PIM/Q2PACK（93x47）
NXH200T120H3Q2F2SG 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE onsemi	36 现货	1 : ¥1,656.46000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	半桥	1200 V	330 A	679 W	2.3V @ 15V，200A	500 µA	35.615 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	模块	56-PIM/Q2PACK（93x47）
NXH350N100H4Q2F2P1G IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42 onsemi	36 现货	1 : ¥1,732.71000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三级反相器	1000 V	303 A	276 W	2.3V @ 15V，375A	1 mA	24.146 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	42-PIM/Q2PACK（93x47）
NXH450B100H4Q2F2PG 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED onsemi	35 现货	1 : ¥1,743.36000 托盘	-	托盘	在售	-	2 个独立式	1000 V	101 A	234 W	2.25V @ 15V，150A	600 µA	9.342 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	56-PIM（93x47）
NXH350N100H4Q2F2S1G IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42 onsemi	36 现货	1 : ¥1,988.56000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三级反相器	1000 V	303 A	276 W	2.3V @ 15V，375A	1 mA	24.146 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	42-PIM/Q2PACK（93x47）
NXH300B100H4Q2F2SG-R MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV onsemi	36 现货	1 : ¥2,054.09000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	半桥逆变器	1000 V	73 A	194 W	2.25V @ 15V，100A	800 µA	6.323 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	模块	53-PIM/Q2PACK（93x47）
NXH600B100H4Q2F2SG MASS MARKET GEN3 Q2BOOST onsemi	31 现货	1 : ¥2,115.14000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三级反相器	1000 V	192 A	511 W	2.3V @ 15V，200A	10 µA	13.256 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	模块	44-PIM（93x47）
NXH450B100H4Q2F2PG-R 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WI onsemi	36 现货	1 : ¥2,204.16000 托盘	-	托盘	在售	-	半桥逆变器	1000 V	101 A	234 W	2.25V @ 15V，150A	600 µA	9.342 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	56-PIM（93x47）
NXH350N100H4Q2F2P1G-R GEN1.5 1500V MASS MARKET onsemi	72 现货 1,692 工厂	1 : ¥2,300.34000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三级反相器	1000 V	303 A	592 W	2.3V @ 15V，375A	1 mA	24.146 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	模块	42-PIM/Q2PACK（93x47）
NXH350N100H4Q2F2S1G-R GEN1.5 1500V MASS MARKET onsemi	72 现货	1 : ¥2,368.22000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三级反相器	1000 V	303 A	592 W	2.3V @ 15V，375A	1 mA	24.146 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	模块	42-PIM/Q2PACK（93x47）
NXH400N100H4Q2F2SG MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK onsemi	36 现货	1 : ¥2,500.01000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三级反相器	1000 V	409 A	959 W	2.3V @ 15V，400A	500 µA	26.093 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	模块	42-PIM/Q2PACK（93x47）
NXH400N100H4Q2F2PG MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK onsemi	32 现货	1 : ¥2,556.92000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三级反相器	1000 V	409 A	959 W	2.3V @ 15V，400A	500 µA	26.093 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	模块	42-PIM/Q2PACK（93x47）
NXH400N100H4Q2F2SG-R MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK onsemi	36 现货	1 : ¥2,876.91000 托盘	-	托盘	在售	沟槽型场截止	三级反相器	1000 V	409 A	959 W	2.3V @ 15V，400A	500 µA	26.093 nF @ 20 V	标准	是	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	模块	42-PIM/Q2PACK（93x47）
SNXH80T120L2Q0P2G IC MODULE PIM 1200V 80A onsemi	0 现货	停产	-	托盘	停产	沟槽型场截止	三级反相器	1200 V	67 A	158 W	2.85V @ 15V，80A	300 µA	19.4 nF @ 20 V	标准	是	175°C（TJ）	底座安装	模块	20-PIM/Q0PACK（55x32.5）
NXH80B120H2Q0SG PIM 1200V, 40A DUAL BOOST onsemi	19 现货	1 : ¥635.83000 托盘	*	托盘托盘	停产	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
NXH35C120L2C2ESG IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG onsemi	0 现货	6 : ¥645.21167 管件	-	管件	最后售卖	-	三相反相器，带制动器	1200 V	35 A	20 mW	2.4V @ 15V，35A	250 µA	8.333 nF @ 20 V	三相桥式整流器	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	通孔	26-PowerDIP 模块（1，199"，47，20mm）	26-DIP
FPF2C8P2NL07A IGBT MODULE 650V 30A 135W F2 onsemi	0 现货	停产	-	管件	停产	场截止	Three Phase	650 V	30 A	135 W	2.2V @ 15V，30A	250 µA	-	标准	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	F2 模块	F2
NXH35C120L2C2SG IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG onsemi	0 现货	6 : ¥825.73500 管件	-	管件	最后售卖	-	三相反相器，带制动器	1200 V	35 A	20 mW	2.4V @ 15V，35A	250 µA	8.33 nF @ 20 V	三相桥式整流器	是	-40°C ~ 150°C（TJ）	通孔	26-PowerDIP 模块（1，199"，47，20mm）	26-DIP

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绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥；升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

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