IGBT 模块

结果 : 149
系列
-*FRED Pt®HEXFRED®
包装
托盘散装管件
产品状态
停产在售
IGBT 类型
-NPTPTPT,沟道沟槽型场截止沟道
配置
-三相反相器三级反相器全桥全桥反相器半桥半桥逆变器单开关单斩波器单路双路降压斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值)
250 V600 V650 V1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
5.7 A7.2 A8.8 A11 A12 A13 A16 A20 A22 A24 A27 A30 A
功率 - 最大值
23 W36 W63 W76 W89 W144 W163 W187 W195 W208 W216 W230 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.16V @ 15V,100A1.21V @ 15V,200A1.28V @ 15V,100A1.3V @ 15V,100A1.32V @ 15V,100A1.32V @ 15V,150A1.32V @ 15V,200A1.34V @ 15V,100A1.4V @ 15V,400A1.45V @ 15V,300A1.47V @ 15V,300A1.5V @ 15V,15A
电流 - 集电极截止(最大值)
5 µA20 µA40 µA50 µA60 µA75 µA80 µA100 µA120 µA150 µA200 µA230 µA250 µA300 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
340 pF @ 30 V450 pF @ 30 V530 pF @ 30 V740 pF @ 30 V1.07 nF @ 30 V1.1 nF @ 30 V1430 pF @ 30 V1.6 nF @ 30 V1.95 nF @ 30 V2.1 nF @ 30 V2.2 nF @ 30 V3000 pF @ 25 V
输入
-单相桥式整流器标准
NTC 热敏电阻
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)-
安装类型
-底座安装通孔
封装/外壳
10-MTP12-MTP 模块16-MTP 模块19-SIP(13 引线),IMS-220-MTP 模块-ECONO2EMIPAK-1BEMIPAK-2BEMIPAK2INT-A-PAK(3 + 4)INT-A-PakSOT-227-4SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装
10-MTP12-MTP 压入12-MTP16-MTP20-MTP-ECONO2 4PACKECONO3 4PACKEMIPAK-1BEMIPAK-2BEMIPAK2IMS-2INT-A-PAK IGBTINT-A-PAK
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
149结果
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/ 149
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿(最大值)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
322
现货
1 : ¥368.61000
管件
管件
在售沟槽型场截止单路1200 V281 A1087 W2.05V @ 15V,100A100 µA9.35 nF @ 25 V标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227
139
现货
1 : ¥493.97000
管件
-
管件
在售沟槽型场截止半桥1200 V75 A305 W2.65V @ 15V,40A50 µA3.2 nF @ 25 V标准-40°C ~ 150°C(TJ)通孔12-MTP 模块12-MTP
260
现货
1 : ¥303.16000
管件
-
管件
在售沟槽型场截止单路1200 V169 A781 W2.6V @ 15V,75A100 µA-标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227
195
现货
1 : ¥330.88000
散装
散装
在售沟道单路1200 V187 A890 W2.55V @ 15V,100A100 µA6.15 nF @ 25 V标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227
154
现货
1 : ¥285.28000
管件
-
管件
在售沟槽型场截止单路1200 V169 A781 W2.6V @ 15V,75A100 µA-标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227
217
现货
1 : ¥290.40000
管件
-
管件
在售沟槽型场截止单斩波器1200 V68 A291 W2.8V @ 15V,50A50 µA-标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227
129
现货
1 : ¥290.40000
管件
-
管件
在售沟槽型场截止单斩波器1200 V68 A291 W2.8V @ 15V,50A50 µA-标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227
108
现货
1 : ¥893.96000
-
在售沟槽型场截止全桥1200 V64 A231 W2.8V @ 15V,50A50 µA-标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装模块-
105
现货
1 : ¥1,031.03000
-
在售沟槽型场截止全桥1200 V118 A431 W2.6V @ 15V,75A100 µA-标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装模块-
83
现货
1 : ¥1,076.39000
-
在售沟槽型场截止全桥1200 V118 A431 W2.6V @ 15V,75A100 µA-标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装模块-
110
现货
1 : ¥419.99000
*
在售--------------
38
现货
1 : ¥302.02000
散装
散装
在售沟道单路1200 V139 A658 W2.55V @ 15V,80A100 µA4.4 nF @ 25 V标准-40°C ~ 150°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227
9
现货
1 : ¥308.69000
*
在售--------------
9
现货
1 : ¥338.04000
*
在售--------------
10
现货
1 : ¥501.29000
*
在售--------------
5
现货
1 : ¥501.29000
*
在售--------------
8
现货
1 : ¥551.77000
*
在售--------------
12
现货
1 : ¥585.19000
-
在售沟槽型场截止半桥逆变器650 V96 A259 W2.3V @ 15V,100A50 µA-标准-40°C ~ 175°C(TJ)底座安装模块INT-A-PAK IGBT
15
现货
1 : ¥678.84000
在售沟道半桥逆变器650 V247 A517 W1.32V @ 15V,100A100 µA-标准-40°C ~ 175°C(TJ)底座安装模块INT-A-PAK IGBT
15
现货
1 : ¥796.24000
在售沟道半桥逆变器650 V372 A789 W1.32V @ 15V,150A150 µA-标准-40°C ~ 175°C(TJ)底座安装模块INT-A-PAK IGBT
13
现货
1 : ¥914.36000
在售沟道半桥逆变器650 V476 A1 kW1.32V @ 15V,200A200 µA-标准-40°C ~ 175°C(TJ)底座安装模块INT-A-PAK IGBT
10
现货
1 : ¥960.05000
*
在售--------------
8
现货
1 : ¥562.99000
停产NPT半桥逆变器650 V201 A600 W2.17V @ 15V,150A--标准175°C(TJ)-模块模块
1
现货
1 : ¥717.54000
在售沟道半桥逆变器650 V193 A517 W2.3V @ 15V,200A100 µA-标准-40°C ~ 175°C(TJ)底座安装模块INT-A-PAK IGBT
0
现货
查看交期
160 : ¥209.38406
散装
散装
在售沟槽型场截止单斩波器650 V59 A163 W2.1V @ 15V,50A40 µA-标准-40°C ~ 175°C(TJ)底座安装SOT-227-4,miniBLOCSOT-227
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IGBT 模块


绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。