FET、MOSFET 阵列

结果 : 732
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionVishay Siliconix
系列
-HEXFET®LITTLE FOOT®PowerPAIR®, TrenchFET®SkyFET®, TrenchFET®TrenchFET®TrenchFET® Gen IIITrenchFET® Gen IVTrenchFET® Gen V
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
技术
-MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N 沟道(双)共漏2 N 沟道(双)非对称型2 N 沟道(双),P 沟道2 N-通道(双)2 P 沟道(双)共漏2 个 N 沟道2 个 N 通道和 2 个 P 通道2 个 N 通道(半桥)2 个 N 通道(双),肖特基2 个 P 沟道(双)4 N 沟道(全桥)4 个 N 通道4 个 P 通道-
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
8V12V12V,20V20V20V,12V20V,8V24V25V28V30V30V,8V40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
145mA180mA180mA,145mA190mA290mA,410mA305mA305mA,190mA340mA(Ta),370mA(Tc)370mA400mA410mA485mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.37 毫欧 @ 15A, 10V2.1 毫欧 @ 15A,10V,680µ欧姆 @ 20A,10V2.3 毫欧 @ 5A,10V2.43 毫欧 @ 10A, 10V2.45 毫欧 @ 10A,10V,750µ欧姆 @ 15A,10V3.07 毫欧 @ 10A,10V,1.05 毫欧 @ 10A,10V3.2 毫欧 @ 10A,10V3.25 毫欧 @ 10A,10V3.3 毫欧 @ 5A,10V3.4 毫欧 @ 20A,10V3.4 毫欧 @ 20A,4.5V3.4 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
400mV @ 250µA(最小)450mV @ 100µA450mV @ 100µA(最小)450mV @ 1mA(最小)450mV @ 250µA(最小)450mV @ 5mA(最小)500mV @ 250µA(最小)600mV @ 250µA(最小)700mV @ 250µA800mV @ 250µA800mV @ 250µA(最小)900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6nC @ 4.5V0.75nC @ 4.5V1nC @ 4.5V1.1nC @ 4.5V,1.2nC @ 4.5V1.15nC @ 4.5V1.2nC @ 4.5V1.25nC @ 4.5V1.25nC @ 4.5V,1.33nC @ 4.5V1.4nC @ 10V1.4nC @ 4.5V1.4nC @ 4.5V,1.6nC @ 4.5V1.5nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
16pF @ 15V18.5pF @ 30V23pF @ 25V27pF @ 10V28pF @ 15V28pF @ 15V,21pF @ 15V28pF @ 15V,34pF @ 15V30pF @ 25V30pF @ 25V,23pF @ 25V36pF @ 15V38pF @ 10V38pF @ 10V,43pF @ 10V
功率 - 最大值
220mW250mW270mW270mW(Ta)290mW(Ta),340mW(Tc)300mW(Ta),420mW(Tc)300mW(Ta),510mW(Tc)300mW,270mW340mW357mW420mW430mW
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-底座安装表面贴装型表面贴装,可润湿侧翼通孔
封装/外壳
6-MICRO FOOT®CSP6-PowerPair™6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UFBGA8-PowerDFN8-PowerWDFN8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)10-UFBGA,CSPBGA12-PowerPair™14-DIP
供应商器件封装
6-Micro Foot™(1.5x1)6-Micro Foot™(2.36x1.56)6-PowerPair™6-TSOP8-Power33(3x3)8-PowerPair®8-PowerPair®(3.3x3.3)8-PowerPair®(6x5)8-SO8-SOIC8-TSSOP10-Micro Foot™ CSP(2x5)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
732结果
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/ 732
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
71,894
现货
1 : ¥2.85000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77099
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V610mA(Ta)396 毫欧 @ 500mA,4.5V1V @ 250µA2nC @ 8V43pF @ 10V220mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666SC-89(SOT-563F)
SC-70-6
SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Vishay Siliconix
29,781
现货
1 : ¥3.25000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.08997
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V370mA1.4 欧姆 @ 340mA,10V2.5V @ 250µA1.4nC @ 10V18.5pF @ 30V510mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363SC-70-6
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
2,907
现货
1 : ¥3.33000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.89949
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平门30V700mA,500mA388 毫欧 @ 600mA,10V2.5V @ 250µA1.5nC @ 10V28pF @ 15V340mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363SC-70-6
Pkg 5880
SI1026X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
Vishay Siliconix
316,295
现货
1 : ¥3.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.33220
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V305mA1.4 欧姆 @ 500mA,10V2.5V @ 250µA0.6nC @ 4.5V30pF @ 25V250mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666SC-89(SOT-563F)
Pkg 5540
SI3993CDV-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6TSOP
Vishay Siliconix
52,758
现货
1 : ¥3.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.33220
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)-30V2.9A111 毫欧 @ 2.5A,10V2.2V @ 250µA8nC @ 10V210pF @ 15V1.4W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-6 细型,TSOT-23-66-TSOP
Pkg 5880
SI1025X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Vishay Siliconix
30,072
现货
1 : ¥3.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.33220
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平门60V190mA4 欧姆 @ 500mA,10V3V @ 250µA1.7nC @ 15V23pF @ 25V250mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666SC-89(SOT-563F)
SC-70-6
SI1902DL-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Vishay Siliconix
28,158
现货
1 : ¥4.06000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.38062
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V660mA385 毫欧 @ 660mA,4.5V1.5V @ 250µA1.2nC @ 4.5V-270mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363SC-70-6
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA931DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
Vishay Siliconix
70,183
现货
1 : ¥4.15000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.39273
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平门30V4.5A65 毫欧 @ 3A,10V2.2V @ 250µA13nC @ 10V445pF @ 15V7.8W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® SC-70-6 双PowerPAK® SC-70-6 双
Pkg 5880
SI1024X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89
Vishay Siliconix
108,729
现货
1 : ¥4.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.45330
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V485mA700 毫欧 @ 600mA,4.5V900mV @ 250µA0.75nC @ 4.5V-250mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-563,SOT-666SC-89(SOT-563F)
Pkg 5540
SI3932DV-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP
Vishay Siliconix
19,674
现货
1 : ¥4.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.75503
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V3.7A58 毫欧 @ 3.4A,10V2.2V @ 250µA6nC @ 10V235pF @ 15V1.4W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-6 细型,TSOT-23-66-TSOP
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA910EDJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
Vishay Siliconix
8,096
现货
1 : ¥4.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.75503
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门12V4.5A28 毫欧 @ 5.2A,4.5V1V @ 250µA16nC @ 8V455pF @ 6V7.8W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® SC-70-6 双PowerPAK® SC-70-6 双
TSOT-23-6, TSOT-6
SQ3989EV-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Vishay Siliconix
6,172
现货
1 : ¥4.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.57199
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)-30V2.5A(Tc)155 毫欧 @ 400mA,10V1.5V @ 250µA11.1nC @ 10V-1.67W-55°C ~ 175°C(TJ)汽车级AEC-Q101表面贴装型SOT-23-6 细型,TSOT-23-66-TSOP
SC-70-6
SI1900DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
Vishay Siliconix
28,730
现货
1 : ¥4.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.57440
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V590mA480 毫欧 @ 590mA,10V3V @ 250µA1.4nC @ 10V-270mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型6-TSSOP,SC-88,SOT-363SC-70-6
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA519EDJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
Vishay Siliconix
278,450
现货
1 : ¥4.88000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.63496
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平门20V4.5A40 毫欧 @ 4.2A,4.5V1.4V @ 250µA12nC @ 10V350pF @ 10V7.8W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® SC-70-6 双PowerPAK® SC-70-6 双
PowerPAK SC-70-6 Dual
SIA975DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
Vishay Siliconix
87,866
现货
1 : ¥4.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.89546
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平门12V4.5A41 毫欧 @ 4.3A,4.5V1V @ 250µA26nC @ 8V1500pF @ 6V7.8W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® SC-70-6 双PowerPAK® SC-70-6 双
8-SOIC
SI9933CDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Vishay Siliconix
23,367
现货
1 : ¥4.96000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.87204
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)逻辑电平门20V4A58 毫欧 @ 4.8A,4.5V1.4V @ 250µA26nC @ 10V665pF @ 10V3.1W-50°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
Pkg 5540
SI3900DV-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Vishay Siliconix
47,641
现货
1 : ¥5.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.26984
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V2A125 毫欧 @ 2.4A,4.5V1.5V @ 250µA4nC @ 4.5V-830mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-6 细型,TSOT-23-66-TSOP
Pkg 5540
SI3590DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Vishay Siliconix
15,689
现货
1 : ¥5.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.26984
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)N 和 P 沟道逻辑电平门30V2.5A,1.7A77 毫欧 @ 3A,4.5V1.5V @ 250µA4.5nC @ 4.5V-830mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型SOT-23-6 细型,TSOT-23-66-TSOP
8-TSSOP 8-MSOP
SI6968BEDQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Vishay Siliconix
1,847
现货
1 : ¥6.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.31431
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N 沟道(双)共漏逻辑电平门20V5.2A22 毫欧 @ 6.5A,4.5V1.6V @ 250µA18nC @ 4.5V-1W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)8-TSSOP
8-SOIC
SI9945BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Vishay Siliconix
47,512
现货
1 : ¥6.91000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.85795
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门60V5.3A58 毫欧 @ 4.3A,10V3V @ 250µA20nC @ 10V665pF @ 15V3.1W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
8-TSSOP 8-MSOP
SI6954ADQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Vishay Siliconix
5,043
现货
1 : ¥6.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.84784
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V3.1A53 毫欧 @ 3.4A,10V1V @ 250µA(最小)16nC @ 10V-830mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)8-TSSOP
PowerPAK® 1212-8 Dual
SI7223DN-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK 1212
Vishay Siliconix
8,193
现货
1 : ¥7.32000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.02607
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)-30V6A(Tc)26.4 毫欧 @ 8A,10V2.5V @ 250µA40nC @ 10V1425pF @ 15V2.6W(Ta),23W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型PowerPAK® 1212-8 双PowerPAK® 1212-8 双
8-SOIC
SI4936BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Vishay Siliconix
14,156
现货
1 : ¥7.48000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.08098
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门30V6.9A35 毫欧 @ 5.9A,10V3V @ 250µA15nC @ 10V530pF @ 15V2.8W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
8-TSSOP 8-MSOP
SI6926ADQ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Vishay Siliconix
4,810
现货
1 : ¥7.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.13254
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 N-通道(双)逻辑电平门20V4.1A30 毫欧 @ 4.5A,4.5V1V @ 250µA10.5nC @ 4.5V-830mW-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)8-TSSOP
8-SOIC
SI4925DDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Vishay Siliconix
15,583
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.19418
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET(金属氧化物)2 个 P 沟道(双)-30V8A29 毫欧 @ 7.3A,10V3V @ 250µA50nC @ 10V1350pF @ 15V5W-55°C ~ 150°C(TJ)--表面贴装型8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。