RF FET，MOSFET

结果 : 7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计停产在售
配置
N 通道N 通道双门
频率
470MHz500MHz520MHz800MHz849MHz
增益
10.8dB13.3dB22dB22.5dB26dB-
电压 - 测试
6 V7.2 V
额定电流（安培）
30mA500mA1A2A
噪声系数
1.4dB2.5dB-
电流 - 测试
10 mA100 mA500 mA
功率 - 输出
1.2W4.3W23dBmW-
电压 - 额定
10 V12.5 V16 V20 V
封装/外壳
SC-61AASC-82A，SOT-343TO-243AA
供应商器件封装
PW-MINISMQUSQ
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
应用的筛选条件 删除全部
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
频率
增益
电压 - 测试
额定电流（安培）
噪声系数
电流 - 测试
功率 - 输出
电压 - 额定
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
1SS402 SC-82
3SK293(TE85L,F)
RF MOSFET 6V USQ
Toshiba Semiconductor and Storage
26,405
现货
1 : ¥3.74000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.26565
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET（金属氧化物）N 通道双门800MHz22dB6 V30mA2.5dB10 mA-12.5 V表面贴装型SC-82A，SOT-343USQ
1SS402 SC-82
3SK294(TE85L,F)
RF MOSFET 6V USQ
Toshiba Semiconductor and Storage
31,788
现货
1 : ¥3.66000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97664
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计MOSFET（金属氧化物）N 通道500MHz26dB6 V30mA1.4dB10 mA-12.5 V表面贴装型SC-82A，SOT-343USQ
1SS319 SC-61AA
3SK291(TE85L,F)
RF MOSFET 6V SMQ
Toshiba Semiconductor and Storage
0
现货
停产
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产MOSFET（金属氧化物）N 通道双门800MHz22.5dB6 V30mA2.5dB10 mA-12.5 V表面贴装型SC-61AASMQ
TO-243AA
RFM01U7P(TE12L,F)
RF MOSFET 7.2V PW-MINI
Toshiba Semiconductor and Storage
0
现货
1,000 : ¥9.59882
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计MOSFET（金属氧化物）N 通道520MHz10.8dB7.2 V1A-100 mA1.2W20 V表面贴装型TO-243AAPW-MINI
TO-243AA
RFM04U6P(TE12L,F)
RF MOSFET 6V PW-MINI
Toshiba Semiconductor and Storage
0
现货
1,000 : ¥11.74421
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计MOSFET（金属氧化物）N 通道470MHz13.3dB6 V2A-500 mA4.3W16 V表面贴装型TO-243AAPW-MINI
TO-243AA
2SK2854(TE12L,F)
RF MOSFET 10V PW-MINI
Toshiba Semiconductor and Storage
0
现货
在售
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售MOSFET（金属氧化物）N 通道849MHz--500mA--23dBmW10 V-TO-243AAPW-MINI
1SS319 SC-61AA
3SK292(TE85R,F)
RF MOSFET 6V SMQ
Toshiba Semiconductor and Storage
0
现货
停产
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产MOSFET（金属氧化物）N 通道双门500MHz26dB6 V30mA1.4dB10 mA-12.5 V表面贴装型SC-61AASMQ
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RF FET，MOSFET

射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。