Renesas Electronics Corporation 单 FET,MOSFET

结果 : 501
系列
-*
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
5.5 V12 V16 V20 V30 V40 V43 V55 V60 V75 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA(Ta)200mA(Ta)300mA(Ta)400mA(Ta)400mA(Tj)800mA(Ta)900mA(Ta)1A(Ta)2A(Ta)2.4A(Ta)2.5A(Ta)3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V2.5V,4V2.5V,8V3V,4V3.5V,4.5V4V,10V4.5V,10V5V,10V5.5V,10V6V,10V7V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.85 毫欧 @ 125A,10V1.05 毫欧 @ 90A,10V1.25 毫欧 @ 80A,10V1.25 毫欧 @ 90A,10V1.4 毫欧 @ 55A,10V1.4 毫欧 @ 90A,10V1.5 毫欧 @ 55A,10V1.5 毫欧 @ 90A,10V1.75 毫欧 @ 55A,10V1.75 毫欧 @ 90A,10V1.8 毫欧 @ 25A,10V1.8 毫欧 @ 55A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
750mV @ 1mA800mV @ 1mA800mV @ 250µA900mV @ 1mA1.2V @ 1mA1.4V @ 1mA1.5V @ 1mA2V @ 1mA2.2V @ 1mA2.3V @ 1mA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2 nC @ 4.5 V2.3 nC @ 4 V3 nC @ 4.5 V3.3 nC @ 4 V3.5 nC @ 4 V3.7 nC @ 10 V3.7 nC @ 4 V3.7 nC @ 4.5 V4 nC @ 10 V4.3 nC @ 10 V4.8 nC @ 10 V5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+3V,-16V±5V±5.5V+8V,-12V±8V+10V,-20V±10V+12V,-5V±12V±15V+16V,-12V+20V,-25V±20V+30V,-20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
10 pF @ 0 V22 pF @ 0 V25 pF @ 25 V37.5 pF @ 25 V66 pF @ 25 V76 pF @ 0 V80 pF @ 25 V98 pF @ 10 V102 pF @ 0 V140 pF @ 25 V165 pF @ 25 V170 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)750mW(Ta)800mW(Ta)900mW(Ta)1W(Ta)1W(Ta),102W(Tc)1W(Ta),120W(Tc)1W(Ta),138W(Tc)1W(Ta),23W(Tc)1W(Ta),25W(Tc)1W(Ta),30W(Tc)1W(Ta),36W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-表面贴装型通孔
供应商器件封装
2-HWSON(5x4)3-MPAK5-LFPAK6-CMFPAK6-HUSON(2x2)6-WLCSP(1.47x1.47)8-HSON8-HSON(5x5.4)8-HVSON(3.3x3.3)8-HVSON(5x5.4)8-HWSON(3.3x3.3)8-SOP
封装/外壳
2-DFN 裸露焊盘6-SMD,扁平引线6-SMD,无引线6-WFDFN 裸露焊盘8-PowerLDFN8-PowerSOIC(0.173",4.40mm 宽)8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SMD,扁平引线裸焊盘8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
501结果
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/ 501
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
21,295
现货
1 : ¥14.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.48696
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V25A(Ta)4.5V,10V14 毫欧 @ 12.5A,10V-15 nC @ 4.5 V±20V2030 pF @ 10 V-45W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型LFPAKSC-100,SOT-669
17,935
现货
1 : ¥18.13000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.17969
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V50A(Tc)-16.5 毫欧 @ 25A,10V2.5V @ 250µA100 nC @ 10 V-5000 pF @ 10 V-1.2W(Ta),84W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型TO-252(MP-3ZK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
647
现货
1 : ¥42.11000
剪切带(CT)
800 : ¥25.43481
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V100A(Tc)4.5V,10V6 毫欧 @ 50A,10V2.5V @ 1mA300 nC @ 10 V±20V15000 pF @ 10 V-1.8W(Ta),200W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型TO-263TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
17,269
现货
1 : ¥75.44000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)1500 V4A(Ta)15V7 欧姆 @ 2A,15V--±20V1700 pF @ 10 V-125W(Tc)150°C(TJ)--通孔TO-3PTO-3P-3,SC-65-3
7,983
现货
1 : ¥7.80000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.22797
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V12A(Tc)4V,10V130 毫欧 @ 6A,10V2.5V @ 1mA15 nC @ 10 V±20V720 pF @ 10 V-1W(Ta),23W(Tc)150°C--表面贴装型TO-252(MP-3ZK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
2,500
现货
2,500 : ¥9.30454
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V45A(Ta)4.5V,10V3.5 毫欧 @ 22.5A,10V-26 nC @ 4.5 V±20V4030 pF @ 10 V-55W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型LFPAKSC-100,SOT-669
0
现货
查看交期
2,500 : ¥10.48398
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V40A(Ta)10V5.6 毫欧 @ 20A,10V-40 nC @ 10 V±20V3000 pF @ 10 V-65W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型LFPAKSC-100,SOT-669
0
现货
查看交期
2,500 : ¥10.48398
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V25A(Ta)10V14 毫欧 @ 12.5A,10V-41 nC @ 10 V±20V3000 pF @ 10 V-65W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型LFPAKSC-100,SOT-669
17,217
现货
1 : ¥12.19000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.50410
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V20A(Tc)4.5V,10V48 毫欧 @ 10A,10V2.5V @ 250µA34 nC @ 10 V±20V1650 pF @ 10 V-1.2W(Ta),38W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型TO-252(MP-3ZK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
12,688
现货
1 : ¥12.19000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.50410
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V20A(Tc)4.5V,10V25 毫欧 @ 10A,10V2.5V @ 250µA34 nC @ 10 V±20V1650 pF @ 10 V-1.2W(Ta),38W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型TO-252(MP-3ZK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
15,656
现货
1 : ¥12.36000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.11094
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V15A(Ta)4.5V,10V40 毫欧 @ 7.5A,10V2.5V @ 250µA23 nC @ 10 V±20V1100 pF @ 10 V-1.2W(Ta),30W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型TO-252(MP-3ZK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
12,462
现货
1 : ¥12.36000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.11094
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V15A(Ta)4.5V,10V70 毫欧 @ 7.5A,10V2.5V @ 250µA23 nC @ 10 V±20V1100 pF @ 10 V-1.2W(Ta),30W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型TO-252(MP-3ZK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8,138
现货
1 : ¥13.66000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.17026
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V36A(Tc)4.5V,10V30 毫欧 @ 18A,10V-52 nC @ 10 V±20V3200 pF @ 10 V-1.2W(Ta),56W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型TO-252(MP-3ZK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
11,303
现货
1 : ¥13.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.29038
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V36A(Tc)4.5V,10V17 毫欧 @ 18A,10V2.5V @ 250µA55 nC @ 10 V±20V2800 pF @ 10 V-1.2W(Ta),56W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型TO-252(MP-3ZK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
5,504
现货
1 : ¥14.23000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.42144
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)60 V36A(Tc)4V,10V31 毫欧 @ 18A,10V2.5V @ 1mA63 nC @ 10 V±20V3300 pF @ 10 V-1W(Ta),65W(Tc)150°C--表面贴装型TO-252(MP-3ZK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
2,742
现货
1 : ¥17.64000
剪切带(CT)
800 : ¥9.84971
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V36A(Tc)4.5V,10V29.5 毫欧 @ 18A,10V2.5V @ 1mA54 nC @ 10 V±20V3100 pF @ 10 V-1.8W(Ta),56W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型TO-263TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
8,894
现货
1 : ¥18.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.32167
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V50A(Tc)4.5V,10V9.6 毫欧 @ 25A,10V2.5V @ 250µA100 nC @ 10 V±20V5000 pF @ 10 V-1.2W(Ta),84W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型TO-252(MP-3ZK)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
2,391
现货
1 : ¥18.45000
剪切带(CT)
800 : ¥10.32389
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V36A(Tc)4.5V,10V17 毫欧 @ 18A,10V2.5V @ 1mA55 nC @ 10 V±20V2800 pF @ 10 V-1.8W(Ta),56W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型TO-263TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
6,239
现货
1 : ¥19.27000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.70390
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)30 V75A(Tc)5V,10V6.2 毫欧 @ 37.5A,10V2.5V @ 250µA141 nC @ 10 V±20V4800 pF @ 25 V-1W(Ta),138W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型8-HSON8-SMD,扁平引线裸焊盘
15,279
现货
1 : ¥19.51000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.78032
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V75A(Tc)5V,10V9.7 毫欧 @ 37.5A,10V2.5V @ 250µA140 nC @ 10 V±20V4800 pF @ 25 V-1W(Ta),138W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型8-HSON8-SMD,扁平引线裸焊盘
4,073
现货
1 : ¥20.65000
剪切带(CT)
2,500 : ¥9.30454
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)100 V20A(Ta)4.5V,10V20 毫欧 @ 10A,10V-29 nC @ 4.5 V±20V4160 pF @ 10 V-55W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型LFPAKSC-100,SOT-669
4,967
现货
1 : ¥22.76000
剪切带(CT)
800 : ¥12.74901
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)60 V50A(Tc)4.5V,10V17 毫欧 @ 25A,10V2.5V @ 1mA95 nC @ 10 V±20V5000 pF @ 10 V-1.8W(Ta),90W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型TO-263TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
4,041
现货
1 : ¥23.25000
剪切带(CT)
2,500 : ¥11.31264
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V60A(Ta)4.5V,10V2.1 毫欧 @ 30A,10V2.5V @ 1mA42 nC @ 4.5 V±20V6380 pF @ 10 V-65W(Tc)150°C(TJ)--表面贴装型LFPAKSC-100,SOT-669
800
现货
1 : ¥41.79000
剪切带(CT)
800 : ¥25.22466
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售P 通道MOSFET(金属氧化物)40 V100A(Tc)4.5V,10V3.7 毫欧 @ 50A,10V2.5V @ 1mA320 nC @ 10 V±20V15100 pF @ 10 V-1.8W(Ta),200W(Tc)175°C(TJ)--表面贴装型TO-263TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
577
现货
1 : ¥52.19000
管件
-
管件
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)1500 V2A(Ta)15V12 欧姆 @ 1A,15V4V @ 1mA-±20V990 pF @ 10 V-50W(Tc)150°C--通孔TO-3PFMTO-220-3 整包
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/ 501

Renesas Electronics Corporation 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。