单 IGBT

结果 : 19
包装
卷带(TR)托盘管件
产品状态
停产在售
电压 - 集射极击穿(最大值)
400 V600 V650 V1000 V1200 V1350 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
10 A15 A20 A30 A40 A50 A59 A60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
20 A60 A80 A100 A120 A150 A200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.8V @ 15V,30A2V @ 15V,15A2V @ 15V,20A2V @ 15V,30A2V @ 15V,50A2.2V @ 15V,50A2.3V @ 4V,200A2.4V @ 15V,40A2.45V @ 15V,30A2.45V @ 15V,50A2.6V @ 15V,60A2.7V @ 15V,10A2.7V @ 15V,40A2.8V @ 15V,40A
功率 - 最大值
600 mW1 W30 W45 W60 W156 W170 W200 W230 W240 W312 W348 W375 W
开关能量
300µJ(开),300µJ(关)500µJ(开),400µJ(关)800µJ(开),600µJ(关)1mJ(开),800µJ(关)1.3mJ(开),1.34mJ(关)1.4mJ(开),220µJ(关)--,1.3mJ(关)-,290µJ(关)-,540µJ(关)-,700µJ(关)
栅极电荷
70 nC185 nC270 nC
25°C 时 Td(开/关)值
60ns/170ns60ns/240ns75ns/400ns80ns/280ns90ns/300ns330ns/700ns400ns/400ns1.7µs/2µs3.1µs/2µs-
测试条件
280V,40A,10 欧姆,20V300V,10A,100 欧姆,15V300V,15A,33 欧姆,15V300V,20A,33 欧姆,15V300V,30A,24 欧姆,15V300V,40A,39 欧姆,15V300V,50A,13 欧姆,15V300V,60A,39 欧姆,15V400V,15A,56 欧姆,15V-
反向恢复时间 (trr)
50 ns80 ns90 ns200 ns600 ns800 ns2.5 µs
工作温度
150°C(TJ)175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)TO-220-3 整包TO-247-3TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-3P-3,SC-65-3TO-3PL
供应商器件封装
8-SOP(5.5x6.0)8-TSSOP-TO-220SISTO-247TO-3P(LH)TO-3P(N)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
19结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿(最大值)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td(开/关)值
测试条件
反向恢复时间 (trr)
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
157
现货
1 : ¥26.58000
管件
-
管件
在售-600 V30 A60 A2.45V @ 15V,30A170 W1mJ(开),800µJ(关)标准-90ns/300ns300V,30A,24 欧姆,15V--通孔TO-3P-3,SC-65-3TO-3P(N)
97
现货
1 : ¥38.05000
托盘
-
托盘
在售-1000 V50 A120 A2.8V @ 15V,60A156 W-标准---800 ns150°C(TJ)通孔TO-3P-3,SC-65-3TO-3P(N)
DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S
GT20J341,S4X(S
DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S
Toshiba Semiconductor and Storage
28
现货
1 : ¥16.42000
管件
-
管件
在售-600 V20 A80 A2V @ 15V,20A45 W500µJ(开),400µJ(关)标准-60ns/240ns300V,20A,33 欧姆,15V90 ns150°C(TJ)通孔TO-220-3 整包TO-220SIS
GT50JR22(STA1,E,S)
GT30J65MRB,S1E
650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO-
Toshiba Semiconductor and Storage
79
现货
1 : ¥20.57000
管件
-
管件
在售-650 V60 A-1.8V @ 15V,30A200 W1.4mJ(开),220µJ(关)标准70 nC75ns/400ns400V,15A,56 欧姆,15V200 ns175°C(TJ)通孔TO-3P-3,SC-65-3TO-3P(N)
GT50JR22(STA1,E,S)
GT50J341,Q
PB-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN IC
Toshiba Semiconductor and Storage
94
现货
1 : ¥28.62000
托盘
-
托盘
在售-600 V50 A100 A2.2V @ 15V,50A200 W-标准----175°C(TJ)通孔TO-3P-3,SC-65-3TO-3P(N)
76
现货
1 : ¥28.86000
管件
-
管件
在售-1200 V40 A80 A2.7V @ 15V,40A230 W-,290µJ(关)标准--280V,40A,10 欧姆,20V600 ns175°C(TJ)通孔TO-3P-3,SC-65-3TO-3P(N)
39
现货
1 : ¥38.21000
管件
-
管件
在售-600 V50 A100 A2V @ 15V,50A230 W-标准----175°C(TJ)通孔TO-3P-3,SC-65-3TO-3P(N)
42
现货
1 : ¥87.88000
托盘
-
托盘
在售-1350 V40 A80 A5.9V @ 15V,40A375 W-标准----175°C(TJ)通孔TO-3P-3,SC-65-3TO-3P(N)
6
现货
1 : ¥26.10000
管件
-
管件
在售-1350 V40 A80 A2.4V @ 15V,40A312 W-,700µJ(关)标准185 nC-300V,40A,39 欧姆,15V-175°C(TJ)通孔TO-247-3TO-247
1
现货
1 : ¥30.00000
管件
-
管件
在售-1350 V60 A120 A2.6V @ 15V,60A348 W-,1.3mJ(关)标准270 nC-300V,60A,39 欧姆,15V-175°C(TJ)通孔TO-247-3TO-247
18
现货
1 : ¥14.47000
管件
-
管件
在售-600 V15 A60 A2V @ 15V,15A30 W300µJ(开),300µJ(关)标准-60ns/170ns300V,15A,33 欧姆,15V80 ns150°C(TJ)通孔TO-220-3 整包TO-220SIS
6
现货
1 : ¥27.07000
托盘
-
托盘
在售-600 V59 A120 A2V @ 15V,30A230 W800µJ(开),600µJ(关)标准-80ns/280ns300V,30A,24 欧姆,15V50 ns175°C(TJ)通孔TO-3P-3,SC-65-3TO-3P(N)
21
现货
1 : ¥29.10000
管件
-
管件
在售-1200 V40 A200 A2.8V @ 15V,40A230 W-,540µJ(关)标准--280V,40A,10 欧姆,20V600 ns175°C(TJ)通孔TO-3P-3,SC-65-3TO-3P(N)
0
现货
查看交期
1 : ¥38.21000
管件
-
管件
在售-600 V50 A100 A2.2V @ 15V,50A230 W-标准----175°C(TJ)通孔TO-3P-3,SC-65-3TO-3P(N)
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产-400 V-200 A2.3V @ 4V,200A1 W-标准-3.1µs/2µs--150°C(TJ)表面贴装型8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)8-SOP(5.5x6.0)
0
现货
停产
-
管件
停产-600 V10 A20 A2.7V @ 15V,10A60 W-标准-400ns/400ns300V,10A,100 欧姆,15V200 ns150°C(TJ)通孔TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA-
0
现货
停产
-
管件
停产-1000 V60 A120 A2.8V @ 15V,60A170 W-标准-330ns/700ns-2.5 µs150°C(TJ)通孔TO-3PLTO-3P(LH)
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产-400 V-150 A2.9V @ 4V,150A600 mW-标准-1.7µs/2µs--150°C(TJ)表面贴装型8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)8-TSSOP
0
现货
停产
-
管件
停产-600 V50 A100 A2.45V @ 15V,50A240 W1.3mJ(开),1.34mJ(关)标准-90ns/300ns300V,50A,13 欧姆,15V-150°C(TJ)通孔TO-3PLTO-3P(LH)
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单 IGBT


单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。