单 FET，MOSFET

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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
ZVN4306A
ZVN4206A
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
Diodes Incorporated
4,102
现货
4,000
工厂
1 : ¥8.35000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
600mA（Ta）
5V，10V
1 欧姆 @ 1.5A，10V
3V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 25 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
ZVN4306A
ZVP4424A
MOSFET P-CH 240V 200MA TO92-3
Diodes Incorporated
2,235
现货
8,000
工厂
1 : ¥11.25000
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
240 V
200mA（Ta）
3.5V，10V
9 欧姆 @ 200mA，10V
2V @ 1mA
-
±40V
200 pF @ 25 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
4-DIP
IRLD110PBF
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Vishay Siliconix
2,453
现货
1 : ¥20.26000
管件
-
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1A（Ta）
4V，5V
540 毫欧 @ 600mA，5V
2V @ 250µA
6.1 nC @ 5 V
±10V
250 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
4-HVMDIP
4-DIP（0.300"，7.62mm）
4-DIP
IRFD220PBF
MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP
Vishay Siliconix
0
现货
2,500 : ¥4.77350
散装
-
散装
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
800mA（Ta）
10V
800 毫欧 @ 480mA，10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
4-HVMDIP
4-DIP（0.300"，7.62mm）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。