Renesas Electronics Corporation 单双极晶体管

结果 : 16
系列
-*
包装
卷带(TR)散装管件
晶体管类型
NPNPNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100 mA150 mA500 mA7 A
电压 - 集射极击穿(最大值)
16 V50 V100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
300mV @ 10mA,100mA300mV @ 5mA,50mA400mV @ 20mA,500mA600mV @ 500mA,5A
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
40 @ 3A,5V90 @ 1mA,6V110 @ 100mA,1V1000 @ 1mA,5V
功率 - 最大值
150 mW200 mW1.5 W
频率 - 跃迁
50MHz180MHz250MHz-
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
SC-70,SOT-323TO-220-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装
SC-59SC-70TO-220AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
电压 - 集射极击穿(最大值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
IC TRANS TIP NPN 100V 3A TO-220
TIP31C
IC TRANS TIP NPN 100V 3A TO-220
Renesas Electronics Corporation
0
现货
停产
*
-
停产------------
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产NPN150 mA50 V300mV @ 5mA,50mA100nA(ICBO)1000 @ 1mA,5V200 mW250MHz150°C(TJ)表面贴装型TO-236-3,SC-59,SOT-23-3SC-59
0
现货
停产
-
散装
停产PNP500 mA16 V400mV @ 20mA,500mA100nA(ICBO)110 @ 100mA,1V150 mW50MHz150°C(TJ)表面贴装型SC-70,SOT-323SC-70
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产------------
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产------------
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产------------
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产------------
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产------------
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产------------
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产------------
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产------------
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产------------
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产------------
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产PNP100 mA50 V300mV @ 10mA,100mA100nA(ICBO)90 @ 1mA,6V150 mW180MHz150°C(TJ)表面贴装型SC-70,SOT-323SC-70
0
现货
停产
-
管件
停产NPN7 A100 V600mV @ 500mA,5A10µA40 @ 3A,5V1.5 W-150°C(TJ)通孔TO-220-3TO-220AB
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产------------
显示
/ 16

单双极晶体管


分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同,BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体,而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流,而 PNP 晶体管输出电流。